技术特征：
1.一种具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：包括元胞区域，所述元胞区域上设有分裂栅结构和超级节结构。2.根据权利要求1所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：所述分裂栅结构和超级节结构间隔设置。3.根据权利要求1或2所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：包括衬底层（10）；所述衬底层（10）一侧设有外延层（120）；所述外延层（120）上的元胞区域一侧蚀刻有第一沟槽（11）和第二沟槽（12）；所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）内均设有离子杂质层（20）；所述第二沟槽（12）的槽深度大于其内的所述离子杂质层（20）的高度，以在所述第二沟槽（12）内形成第三沟槽（13）；所述第一沟槽（11）槽口设有第一栅氧化层（41），形成所述超级节结构；所述第三沟槽（13）内壁设有第二栅氧化层（42）；所述第二栅氧化层（42）上设有多晶硅层（50），形成所述分裂栅结构。4.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：所述外延层（120）的厚度为40-60μm。5.根据权利要求4所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：所述离子杂质层（20）中的杂质为p+型杂质。6.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：所述第一栅氧化层（41）和第二栅氧化层（42）的厚度均为800a-1500a。7.根据权利要求3所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：设有所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）的外延层（120）还设有若干pw沟道区（60）；部分所述pw沟道区（60）设于所述第一沟槽（11）和第二沟槽（12）周围；所述pw沟道区（60）内设有n+源极区（70）；所述pw沟道区（60）上依次设有层间介质（80）、金属源极（90）和钝化层（100）；所述衬底层（10）另一侧设有漏极层（110）。8.根据权利要求7所述的具有分裂栅结构的超级结 mos，其特征在于：所述层间介质（80）的厚度为1.0-2.0μm。9.一种器件，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的具有分裂栅结构的超级结 mos。