单向可控硅器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种单向可控硅器件。

背景技术：

可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种单向可控硅器件，该单向可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种单向可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；

所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接；

所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔；

所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出，此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔。

1.上述方案中，所述环氧封装体上表面和下表面均开有至少一个盲孔。

2.上述方案中，所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。

3.上述方案中，所述阳极电极的阳极焊接部和阳极管脚之间具有一折弯部。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1.本实用新型单向可控硅器件，其陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件电性的可靠性。

2.本实用新型单向可控硅器件，其陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命；还有，其阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔，能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型单向可控硅器件的结构示意图；

附图2为附图1的剖面结构示意图。

以上附图中：1、可控硅芯片；101、阳极区；102、阴极区；103、栅极区；2、陶瓷绝缘片；21、通孔；3、阳极电极；31、阳极焊接部；32、阳极管脚；4、阴极电极；41、阴极焊接部；42、阴极管脚；5、栅极电极；51、栅极焊接部；52、栅极管脚；6、导电柱；7、焊膏层；8、环氧封装体；9、第一导线；10、第二导线；11、折弯部；12、散热板；13、圆孔；14、盲孔。

具体实施方式

实施例1：一种单向可控硅器件，包括：可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3、阴极电极4和栅极电极5，所述陶瓷绝缘片2开有通孔21，此通孔21内设置有一导电柱6，所述可控硅芯片1位于陶瓷绝缘片2的一表面并覆盖通孔21，此可控硅芯片1的阳极区101通过一焊膏层7与所述导电柱6一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与可控硅芯片1相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与导电柱6另一端电连接；

所述可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3的阳极焊接部31、阴极电极4的阴极焊接部41和栅极电极5的栅极焊接部51位于环氧封装体8内，所述阴极电极4的阴极焊接部41与可控硅芯片1的阴极区102通过第一导线9连接，所述栅极电极5的栅极焊接部与可控硅芯片1的栅极区103通过第二导线10连接；

所述陶瓷绝缘片2从环氧封装体8远离阳极管脚32的端面延伸出的一散热板12，此散热板12上开有一圆孔13，所述环氧封装体8上表面或者下表面开有至少一个盲孔14；

所述阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52从环氧封装体8内延伸出，此阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚32、阴极管脚42和栅极管脚52的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔。

上述环氧封装体8上表面和下表面均开有至少一个盲孔14。

实施例2：一种单向可控硅器件，包括：可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3、阴极电极4和栅极电极5，所述陶瓷绝缘片2开有通孔21，此通孔21内设置有一导电柱6，所述可控硅芯片1位于陶瓷绝缘片2的一表面并覆盖通孔21，此可控硅芯片1的阳极区101通过一焊膏层7与所述导电柱6一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与可控硅芯片1相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与导电柱6另一端电连接；

所述可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3的阳极焊接部31、阴极电极4的阴极焊接部41和栅极电极5的栅极焊接部51位于环氧封装体8内，所述阴极电极4的阴极焊接部41与可控硅芯片1的阴极区102通过第一导线9连接，所述栅极电极5的栅极焊接部与可控硅芯片1的栅极区103通过第二导线10连接；

所述陶瓷绝缘片2从环氧封装体8远离阳极管脚32的端面延伸出的一散热板12，此散热板12上开有一圆孔13，所述环氧封装体8上表面或者下表面开有至少一个盲孔14；

所述阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52从环氧封装体8内延伸出，此阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚32、阴极管脚42和栅极管脚52的宽度，所述扁平片状管脚的中心处开有一矩形通孔。

上述环氧封装体8上表面和下表面均开有至少一个盲孔14。

上述阴极电极4、栅极电极5均位于陶瓷绝缘片2的前侧。

上述阳极电极3的阳极焊接部31和阳极管脚32之间具有一折弯部11。

采用上述单向可控硅器件时，其大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件电性的可靠性；还有，其陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命；还有，其能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。