一种半导体外延片的击穿电压检测装置的制作方法

1.本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体外延片的击穿电压检测装置。


背景技术：

2.外延片制作是半导体行业生产制造过程中的中间环节，即在由半导体单晶材料制成的晶圆片上生长出外延层；之后将制作好的外延片，经刻蚀电路、加装电极等后续工艺，制作出芯片。
3.二极管是芯片最基本的组成器件，外延层各层的厚度以及均匀情况将直接影响后续工艺制作出的芯片中二极管性能，其中二极管的反向击穿电压是其重要的性能指标，若将外延片加工成芯片才对其进行检测，将影响效率，故在外延片生产完成后进行检测十分必要；目前外延片的检测多为基于光学原理的对外延层厚度的测量，想要对外延片的电学性能(如电压) 进行检测，需将外延片上加工电极，才能测出击穿电压，此方法不仅费时，而且会破坏外延片，故只能抽检。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在不足，本实用新型提供了一种半导体外延片的击穿电压检测装置，快速、直接、无损地检测半导体外延片的击穿电压。
5.本实用新型是通过以下技术手段实现上述技术目的的。
6.一种半导体外延片的击穿电压检测装置，包括交流电源、滑移机构、转盘和探针，交流电源负极与转盘连接，交流电源正极与探针连接，交流电源正极与探针之间设有示波器，探针固定在滑移机构上；转盘采用导电材料。
7.进一步的技术方案，所述滑移机构包括滑移杆和滑移座，滑移杆底端卡接在滑移座的凹槽内，滑移杆能够沿滑移座凹槽移动。
8.进一步的技术方案，所述转盘底端通过转轴与固定座连接，转盘以转轴为圆心进行转动。
9.进一步的技术方案，所述交流电源的电流大小能调整。
10.本实用新型的有益效果为：本实用新型将外延片放置在转盘上，p型层上表面与探针接触，衬底下表面与转盘接触，探针与交流电源正极连接，转盘与交流电源负极连接；通过增大交流电源的电压，实现外延片击穿电压的检测；另外，探针固定在滑移机构上，可实现探针与p型层上表面在径向上接触，转动转盘，实现探针与p型层上表面在周向上接触。本实用新型无需在外延片上加工电极，能够快速、直接地检测出外延片的击穿电压，且对外延片不会产生破坏。
附图说明
11.图1为本实用新型所述半导体外延片的击穿电压检测装置结构示意图；
12.图中：1-交流电源，2-示波器，3-滑移机构，31-滑移杆，32-滑移座，4-转轴，5-转盘， 6-固定座，7-探针，8-外延片，81-p型层，82-n型层，83-衬底。
具体实施方式
13.下面结合附图以及具体实施例对本实用新型作进一步的说明，但本实用新型的保护范围并不限于此。
14.如图1所示，一种半导体外延片的击穿电压检测装置，包括交流电源1、示波器2、滑移机构3、转盘5和探针7，滑移机构3包括滑移杆31和滑移座32；转盘5采用导电材料，且与交流电源1负极连接，探针7通过示波器2与交流电源1正极连接，探针7上端固定在滑移杆31上，滑移杆31底端卡接在滑移座32的凹槽内，滑移杆31能够沿滑移座32凹槽移动；转盘5用于放置外延片8，转盘5底端通过转轴4与固定座6连接，转盘5可以转轴4为圆心进行转动。外延片具体层级结构种类繁多且复杂，本实用新型将其简化为：从上到下依次为p型层81、n型层82和衬底83，衬底83不导电。
15.一种半导体外延片的击穿电压检测过程为：将待检测的外延片8放置在转盘5上，p型层81上表面与探针7接触，衬底83下表面与转盘5接触；控制交流电源1电压逐渐增大，外延片8的pn结未反向击穿时，仅有正向电压通过，当电压增大到一定数值时，pn结反向击穿；在控制交流电源1电压逐渐增大的过程中，通过示波器2观测电压变化情况，从而确定探针7接触的外延片8击穿电压大小。通过转动转盘5，实现探针7与p型层81上表面在周向上接触；通过移动滑移杆31，实现探针7与p型层81上表面在径向上接触；从而确定外延片8其它位置的击穿电压。
16.所述实施例为本实用新型的优选的实施方式，但本实用新型并不限于上述实施方式，在不背离本实用新型的实质内容的情况下，本领域技术人员能够做出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本实用新型的保护范围。