无机LED封装结构的制作方法

本实用新型led封装技术领域，尤其涉及一种无机led封装结构。

背景技术：

在目前现有技术当中，led的封装多采用硅胶、环氧树脂等有机材料对芯片进行封装，这些材料透过率好、易于操作，但耐紫外线性能差，在紫外环境下极易老化变质，以及其热膨胀容易导致器件失效，因此有机材料不利于封装强紫外led，而且uv光照射容易引起有机物失效，从而导致封装石英玻璃或其它封盖脱落，一直得不到有效的解决办法。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述问题，提出了一种无机led封装结构。

一种无机led封装结构，包括：基板，

第一焊盘及第二焊盘，所述第一焊盘与所述第二焊盘间隔设置于所述基板上，所述第一焊盘的面积小于所述第二焊盘的面积；

围框件，固定于所述基板上，所述围框件围绕所述第一焊盘及所述第二焊盘设置，所述围框件上设有焊接层；

芯片，固定于所述第二焊盘上；

封盖，表面设有金属层，所述金属层焊接于所述焊接层上。

其中，所述第一焊盘与所述第二焊盘均为扇形、矩形或者多边形。

其中，所述芯片位于所述第一焊盘与所述第二焊盘拼接形成圆形、椭圆形、矩形或六边形的中心区域。

其中，所述封盖为半球壳状。

其中，所述封盖为玻璃透镜封盖。

其中，所述玻璃透镜的发光面为30°-180°。

其中，所述芯片包括正装uvc晶片及正装齐纳二极管，所述正装uvc晶片与所述正装齐纳二极管均固定于所述第二焊盘上，所述正装uvc晶片固定与所述第二焊盘中心区域，所述正装齐纳二极管固定于所述第二焊盘的边缘区域。

其中，所述围框件高度为0.1mm-0.99mm。

其中，所述围框件为金属围框。

其中，所述围框件的表面设有金层，所述金层与所述焊接层固定连接。

采用本实用新型实施例，具有如下有益效果：通过基板、芯片、封盖都是无机或者金属使其固定在一起，没有有机物成分，有效的解决了uvc封装光照射容易引起有机物失效的问题，而第一焊盘与第二焊盘面积大小不同，芯片固定在焊盘的中心区域，形成两个不同的电极，可以使芯片固定在焊盘的中心区域，散热效果更好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为本实用新型的一实施例的无机led封装结构示意图；

图2为如图1所示的无机led封装结构的a-a截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1及图2，提供一种无机led封装结构，包括，基板10，围框件20，芯片30，封盖40，第一焊盘50及第二焊盘60，第一焊盘50与第二焊盘60间隔设置于基板10上，第一焊盘50的面积小于第二焊盘60的面积，围框件20固定于基板上10，围框件20围绕第一焊盘50及第二焊盘60设置，围框件20上设有焊接层21，芯片30固定于第二焊盘上，封盖40表面设有金属层，金属层焊接于焊接层21上。

在本实施例中，基板10可以为氮化铝基板，氮化铝可用0.38mm或0.5mm厚度的裸板进行制作，通过陶瓷dpc工艺氮化铝基板上做上下表面线路铜层，按陶瓷dpc工艺制作好氮化铝pcb双面基板，而芯片30用纳米银膏作为固晶胶进行固晶，固定于蘸有银膏的基板上，纳米银膏分多段高温烘烤，100℃-150℃为一段(1h-2h)，180℃-200℃为第二段(1h-2h)，200℃-250℃为第三段烘烤(3h-5h)，可将芯片稳定的固定在基板上且不易发生损坏。

在本实施例中，封盖40为可透射紫外uv晶片的玻璃透镜类，包含但不限于可透般uv波长的石英玻璃或蓝宝石玻璃等，封盖玻璃透镜可为不同角度(30°-180°)，封盖40以60度透镜为例，封盖40先做金属化作业，将玻璃透镜先进行超声波清水清洗，通过治具进行限位固定，在玻璃透镜对应焊接位置，即焊接层，用丝网印刷银浆+玻璃粉层8μm-12μm，先进行低温150℃-200℃初固化，再在同样位置进行印刷，然后再用陶瓷烧结炉进行高温共烧，共烧温度在550-750度之间，时间约0.5h-2h.两次烧结后玻璃透镜上银浆层厚度在(15μm-25μm)之间，在玻璃上印刷两次可以明显改善封盖与基板的焊接。

本实用新型所有物料及工艺过程中均为无机物或金属，没有有机物成分，所以本封装发明为全无机封装工艺，能够完美的解决紫外uvled的封装遇光封盖容易脱落的问题。

如图1及图2所示，第一焊盘与所述第二焊盘均为扇形、矩形或者多边形。

芯片位于第一焊盘与所述第二焊盘拼接形成圆形、椭圆形、矩形或六边形的中心区域。因为，第一焊盘50的形状与第二焊盘60为扇形、矩形或者多边形，所以，第一焊盘50与第二焊盘60为扇形可以拼接圆形、椭圆形，第一焊盘50的形状与第二焊盘60为矩形或者多边形也可以拼接形成矩形或六边形等。这样设置可以使焊盘灵活多变，适用于多种工作场景当中，大大的提高了工作的效率。

进一步地，封盖40为半球壳状。封盖40为玻璃透镜封盖。玻璃透镜玻璃透镜的发光面为30°-180°。在本方案中，封盖40选择为半球状，在实际生产使用中，封盖40的玻璃透镜弧面度是可以不同的，依据产品需求而定的，玻璃透镜的发光面为30°-180°是为最好的一个范围，当然也可以超出此范围，实际上为0°-180°，本方案中仅仅使用了60°，如果有需要本方案可以超出此范围，在此不做限定。

进一步地，芯片30包括正装uvc晶片31及正装齐纳二极管21，正装uvc晶片31与正装齐纳二极管32均固定于第二焊盘60上，正装uvc晶片31固定于第二焊盘60中心区域，正装齐纳二极管32固定于第二焊盘60的边缘区域。第一焊盘50与第二焊盘60拼接形成圆，在这里不将第一焊盘50或者第二焊盘60大小做限制，第一焊盘50面积大小可以大于第二焊盘60的面积，当然第一焊盘50的面积大小也可以小于第二焊盘60面积，这样可以设计出针对不同需要，从而使生产应用更加方便灵活。芯片一般固定于面积较大的焊盘上，因此，芯片就可以固定在焊盘的中心区域上，当然在特殊应用的条件下也可以固定在面积较小的焊盘上。

进一步地，焊接层21为纳米银膏焊层。用纳米银膏作为固晶胶进行固晶，将正装uva晶片31和齐纳二极管32固定于蘸有银膏的基板10上，正装uva晶片31和齐纳二极管32使电流稳定扩散，达到均匀发光，而金电极高度有序、稳定性好，其中，纳米银膏为纳米银含量>90％,在烘烤完成后，其溶剂成分主要为酯类,通过烘烤全部挥发，全部留下纳米银金属层。

进一步地，围框件20高度为0.1mm-0.99mm。围框件为金属围框，围框件20为具有延展性的金属或者合金材质，金属或者合金材质为铜或铜合金。围框件20表面设有金层，电镀金层的厚度为0.1μm-0.9μm。围框件20材质为电镀铜层，围框件20高度不做限度，通常情况下为0.1mm-0.99mm之间，围框件20高度根据芯片高度而定，围框件结构通过dpc电镀工艺完成。其中，围框件既可以是金属，又可以是在非金属且在非金属上设金属层。这样可以使围框件应用更加灵活、方便，而且选材更加容易。

以上所揭露的仅为本实用新型较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。