1.一种终端结构，其特征在于，包括：
衬底；
配置在所述衬底第一表面的外延层；
设置在所述外延层内的场限环，设置在所述场限环两侧的内部金属层；
配置在所述外延层上的电容复合结构层，配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层，覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层，其中，所述外部金属层与内部金属层电连接，所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，还包括：底部金属电极层；
其中，所述底部金属电极层配置在所述衬底的第二表面上。
3.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述场限环包括p埋层及p-埋层。
4.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述内部金属层包括有源极与漏极。
5.根据权利要求1所述的一种终端结构，其特征在于，所述外部金属层设置有栅极。
6.根据权利要求4所述的一种终端结构，其特征在于，所述电容复合结构层包括多个互不相连的多晶硅构成，在靠近左侧的所述多晶硅与所述源极电气连接，在靠近右侧的所述多晶硅与所述漏极电气连接。
7.根据权利要求6所述的一种终端结构，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅，所述二氧化硅隔断多个所述多晶硅。
8.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至7任意一项所述的一种终端结构。