1.一种正面栅线钝化接触的perc太阳能电池，包括p型单晶硅衬底(1)，p型单晶硅衬底(1)背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层(2)和背面氮化硅钝化层(3)，p型单晶硅衬底(1)正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层(4)和正面氮化硅钝化层(5)，p型单晶硅衬底(1)正面设有贯穿正面氧化硅钝化层(4)和正面氮化硅钝化层(5)的正面金属银栅线(6)，其特征在于，所述的p型单晶硅衬底(1)正面且位于正面金属银栅线(6)下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层(7)和磷掺杂多晶硅层(8)。
2.根据权利要求1所述的正面栅线钝化接触的perc太阳能电池，其特征在于，所述的超薄隧穿氧化硅层(7)和磷掺杂多晶硅层(8)的印刷图形分别与正面金属银栅线(6)的印刷图形一致。
3.根据权利要求1所述的正面栅线钝化接触的perc太阳能电池，其特征在于，所述的超薄隧穿氧化硅层(7)的厚度为1-2nm，磷掺杂多晶硅层(8)的厚度为100-300nm。
4.根据权利要求1所述的正面栅线钝化接触的perc太阳能电池，其特征在于，所述的背面氧化铝钝化层(2)、背面氮化硅钝化层(3)、正面氧化硅钝化层(4)和正面氮化硅钝化层(5)的厚度分别为5-30nm、20-150nm、1-5nm和20-150nm。