1.一种高可靠性沟槽功率mos晶体管，其特征在于：包括：位于n型硅片本体（1）上部的p型基体层（2）、位于n型硅片本体（1）中部的轻掺杂n型漂移层（3）、位于n型硅片本体（1）下部的重掺杂n型衬底层（4），位于p型基体层（2）中的沟槽（5）从p型基体层（2）上表面延伸至轻掺杂n型漂移层（3）内，此沟槽（5）内具有一栅极多晶硅部（6），此栅极多晶硅部（6）与沟槽（5）之间通过一栅极氧化隔离层（7）；
位于所述p型基体层（2）上部且在沟槽（5）周边具有一重掺杂n型源极区（8），一重掺杂p型植入区（9）位于重掺杂n型源极区（8）外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂n型源极区（8）下方，所述重掺杂p型植入区（9）在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂n型源极区（8）正下方，所述重掺杂p型植入区（9）与沟槽（5）之间且位于重掺杂n型源极区（8）下方的区域作为通道区（10）；
一漏极金属层（12）位于重掺杂n型衬底层（4）与轻掺杂n型漂移层（3）相背的表面，所述重掺杂n型源极区（8）上表面开有一凹槽（14），一绝缘介质层（11）覆盖所述沟槽（5）和栅极多晶硅部（6）上表面并延伸覆盖凹槽（14）一部分，一源极金属层（13）覆盖于和重掺杂p型植入区（9）上表面并延伸覆盖重掺杂n型源极区（8）的凹槽（14）剩余部分。
2.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率mos晶体管，其特征在于：所述p型基体层（2）与轻掺杂n型漂移层（3）的深度比为1：1.5~4。
3.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率mos晶体管，其特征在于：所述沟槽（5）延伸至轻掺杂n型漂移层（3）的上部。
4.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率mos晶体管，其特征在于：所述重掺杂p型植入区（9）与重掺杂n型源极区（8）的深度比为10：6~8。
5.根据权利要求1所述的高可靠性沟槽功率mos晶体管，其特征在于：所述凹槽（14）的开口宽度大于底部的宽度。