半导体器件的制作方法

1.本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件。


背景技术：

2.随着半导体行业的快速增长，将半导体器件集成在半导体衬底的有限区域中成为一种趋势。典型地，增加半导体器件的密度的尝试导致了精细图案的形成。已经提出了各种技术，用于形成具有纳米级关键尺寸的精细图案，例如，尺寸从大约几纳米到大约几十纳米。但是现有技术中精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高。
3.在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。


技术实现要素：

4.本技术的主要目的在于提供一种半导体器件，以解决现有技术中精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
5.为了实现上述目的，根据本技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括基底和多个间隔结构，多个所述隔结构位于所述基底的表面上，多个所述间隔结构沿第一方向间隔排列，所述第一方向与所述半导体器件的厚度方向垂直，所述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线和第二导线，其中，所述第一导线包括第一焊盘结构、第一子水平部以及第一子竖直部，所述第二导线包括第二焊盘结构、第二子水平部以及第二子竖直部，其中，所述第一子水平部和所述第一焊盘结构接触，所述第二子水平部和所述第二焊盘结构接触。
6.可选地，所述第一导线还包括第三子竖直部，所述第二导线还包括第四子竖直部，所述第三子竖直部的宽度与所述第二子竖直部的宽度相同，所述第三子竖直部的中轴线与所述第二子竖直部的中轴线重合，所述第四子竖直部与所述第一子竖直部的宽度相同，所述第四子竖直部的中轴线与所述第一子竖直部的中轴线重合。
7.可选地，所述第三子竖直部与所述第四子竖直部相同。
8.可选地，所述第一焊盘结构在第二方向上的宽度大于所述第一子竖直部在所述第一方向上的宽度的三倍，所述第二焊盘结构在所述第二方向上的宽度大于所述第二子竖直部在所述第一方向上的宽度的三倍，所述第二方向与所述第一方向垂直。
9.可选地，所述第一子竖直部在所述第一方向上的宽度大于所述第一焊盘结构在所述第一方向上的宽度的二分之一，所述第二子竖直部在所述第一方向上的宽度大于所述第二焊盘结构在所述第一方向上的宽度的二分之一。
10.可选地，多个所述间隔结构在所述第一方向上的间隔距离相同。
11.可选地，所述第一子竖直部和所述第二子竖直部相同，所述第一子水平部与所述第一子水平部相同。
12.本技术提供了一种半导体器件，所述的半导体器件，包括基底和多个间隔结构，多个所述间隔位于所述基底的表面上，所述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线和第二导线，其中，所述第一导线包括第一焊盘结构、第一子水平部以及第一子竖直部，所述第二导线包括第二焊盘结构、第二子水平部以及第二子竖直部，所述第一子水平部和所述第一焊盘结构接触，所述第二子水平部和所述第二焊盘结构接触，可以较为容易地形成所述的半导体器件，使得制作过程较为简单，保证了所述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
附图说明
13.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
14.图1示出了根据本技术的实施例的半导体器件的制作方法生成的流程示意图；
15.图2示出了根据本技术的实施例的预半导体器件的示意图；
16.图3示出了根据本技术的实施例的半导体器件的示意图；
17.图4至图5示出了根据本技术的实施例的半导体器件的形成过程的示意图；
18.图6示出了根据本技术的一种具体的实施例的半导体器件的示意图；以及
19.图7示出了根据本技术的一种具体的实施例的半导体器件的示意图。
20.其中，上述附图包括以下附图标记：
21.10、预结构；100、第一焊盘结构；101、第二焊盘结构；102、第一竖直部；103、第一水平部；104、第二竖直部；105、第二水平部；106、环形结构；107、第一导线；108、第二导线；109、第一子竖直部；110、第二子竖直部；111、第一子水平部；112、第二子水平部； 113、第三子竖直部；114、第四子竖直部；20、牺牲层；200、开口；201、阻挡部分；30、凹槽；300、第一子凹槽；301、第二子凹槽；302、第三子凹槽；40、基底。
具体实施方式
22.应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
23.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
24.应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
25.正如背景技术所介绍的，现有技术中精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高，为了解决如上问题，本技术提出了一种半导体器件的制作方法和半导体器件。
26.根据本技术的一种典型的实施例，提供了一种半导体器件的制作方法，如图1所示，上述的半导体器件的制作方法包括：
27.步骤s101，在基底40上形成预半导体器件，如图2所示，上述预半导体器件包括多个沿第一方向间隔排列的预结构10，上述预结构包括环形结构106、第一焊盘结构100和第二焊盘结构101，上述第一焊盘结构100和上述第二焊盘结构101分别位于上述环形结构106的两端并与上述环形结构106接触，上述第一方向与上述半导体器件的厚度方向垂直，上述环形结构106包括首尾依次连接的第一竖直部102、第一水平部103、第二竖直部104和第二水平部105，其中，上述第一水平部103和上述第一焊盘结构100接触，上述第二水平部105和上述第二焊盘结构101接触；
28.步骤s102，对上述预半导体器件进行刻蚀，去掉上述环形结构106的第一部分和第二部分，使得上述预结构形成间隔结构，如图3所示，上述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线107和第二导线108，其中，上述第一导线107包括上述第一焊盘结构100、至少部分上述第一水平部以及至少部分上述第一竖直部，上述第二导线108包括上述第二焊盘结构101、至少部分上述第二水平部以及至少部分上述第二竖直部。
29.上述的半导体器件的制作方法，通过在基底上形成预半导体器件，上述预半导体器件包括多个上述沿第一方向间隔排列的预结构，上述预结构包括上述环形结构、第一焊盘结构和第二焊盘结构，上述环形结构包括首尾依次连接的上述第一竖直部、上述第一水平部、上述第二竖直部和上述第二水平部，通过对上述预半导体器件进行刻蚀，去掉上述环形结构的第一部分和第二部分，使得上述预结构形成互不相连的上述第一导线和上述第二导线，上述第一导线包括上述第一焊盘结构、至少部分上述第一水平部和至少部分上述第一竖直部，上述第二导线包括上述第二焊盘结构、至少部分上述第二水平部和至少部分上述第二竖直部，可以较为容易地形成上述半导体器件，制作过程较为简单，保证了上述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
30.根据本技术的一种具体的实施例，如图4所示，对上述预半导体器件进行刻蚀，去掉上述环形结构106的第一部分和第二部分，使得上述预结构形成间隔结构，包括：在上述预半导体器件上形成牺牲层20，上述牺牲层20具有多个开口200和阻挡部分201，上述开口200使得上述第一部分和上述第二部分裸露；刻蚀去除上述第一部分和上述第二部分，形成上述间隔结构；去除上述牺牲层20。上述的方法，通过在上述预结构上形成上述牺牲层，上述牺牲层具有多个上述开口和上述阻挡部分，上述开口使得上述第一部分和上述第二部分裸露，从而保证了可以较为简单地去除上述第一部分和上述第二部分，之后再去除上述牺牲层，来形成多个上述间隔结构，进一步地保证了上述间隔结构的制作过程较为简单。
31.为了进一步地保证上述半导体器件的形成过程较为简单，保证上述半导体器件的制作良率较高，根据本技术的另一种具体的实施例，在基底40上形成预半导体器件，包括：在上述基底40上形成多个凹槽30，如图5所示，多个上述凹槽30沿上述第一方向间隔排列，上述凹槽30包括第一子凹槽300、第二子凹槽301和第三子凹槽302，上述第二子凹槽301和上述第三子凹槽302分别位于上述第一子凹槽300的两端并与上述第一子凹槽300接触；在上述凹槽中设置填充材料，使得上述第一子凹槽300的侧壁上形成环形结构，使得上述第二子凹槽301形成上述第一焊盘结构100，使得上述第三子凹槽302形成上述第二焊盘结构
101，得到如图2所示的预半导体器件。
32.上述预半导体器件的形成方法可以为现有技术中的任何可行的方法，为了进一步地保证上述半导体器件的形成过程较为简单，保证上述半导体器件的制作良率较高，根据本技术的再一种具体的实施例，在基底上形成预半导体器件，包括：在上述基底上形成多个填充层，在上述填充层上形成阻挡层，上述阻挡层具有多个子开口，上述子开口使得上述填充层的第三部分、第四部分和第五部分裸露；刻蚀去除上述第三部分、上述第四部分和上述第五部分，形成上述第一焊盘结构、上述第二焊盘结构和上述环形结构；去除上述阻挡层，形成如图2 所示的预半导体器件。本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择上述预半导体器件的形成方法。
33.在实际的应用过程中，如图3所示，上述第一焊盘结构在第二方向上的宽度w1大于上述第一竖直部在上述第一方向上的宽度w2的三倍，上述第二焊盘结构在上述第二方向上的宽度 w3大于上述第二竖直部在上述第一方向上的宽度w4的三倍，上述第二方向与上述第一方向垂直。这样保证了上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构的接触面积较大，进而保证了接触阻值较小，避免了接触阻值较大对器件性能的影响。
34.本技术的又一种具体的实施例，如图6所示，上述第一导线还包括至少部分上述第二竖直部，上述第二导线还包括至少部分上述第一竖直部。这样进一步地保证了形成上述第一导线和上述第二导线的过程较为简单，可以较为容易地得到上述第一导线和上述第二导线，进而保证了上述半导体器件的制作良率较高。
35.为了较为容易地形成上述导线结构，保证上述半导体器件的制程良率较高，在实际的应用过程中，上述第一导线107的上述第一焊盘结构100的边缘与上述第一竖直部的远离上述第二竖直部的边缘在一条直线上，或者上述第一焊盘结构100的边缘与上述第二竖直部的远离上述第一竖直部的边缘在一条直线上，且上述第二导线108的上述第二焊盘结构101的边缘与上述第一竖直部的远离上述第二竖直部的边缘在一条直线上，或者上述第二焊盘结构101 的边缘与上述第二竖直部的远离上述第一竖直部的边缘在一条直线上，图7示出了上述第一焊盘结构100的边缘与上述第二竖直部的远离上述第一竖直部的边缘在一条直线上，上述第二焊盘结构101的边缘与上述第一竖直部的远离上述第二竖直部的边缘在一条直线上的情况。
36.本技术的再一种具体的实施例中，如图3所示，上述第一竖直部在上述第一方向上的宽度 w2大于上述第一焊盘结构在上述第一方向上的宽度w5的二分之一，上述第二竖直部在上述第一方向上的宽度w4大于上述第二焊盘结构在上述第一方向上的宽度w6的二分之一。上述第一焊盘结构通过在上述第二子凹槽中设置填充材料，填充材料延伸至上述第二子凹槽形成，上述第二焊盘结构通过在上述第三子凹槽中设置填充材料，填充材料延伸至上述第三子凹槽形成，上述的方法，通过管控上述第一竖直部在上述第一方向上的宽度大于上述第一焊盘结构在上述第一方向上的宽度的二分之一，上述第二竖直部在上述第一方向上的宽度大于上述第二焊盘结构在上述第一方向上的宽度的二分之一，即管控上述第一竖直部的宽度大于上述第二子凹槽的宽度的二分之一，上述第二竖直部的宽度大于上述第三子凹槽的宽度的二分之一，保证了在形成上述第一竖直部和上述第二竖直部的过程中，上述第二子凹槽和上述第三子凹槽能填满上述填充材料，进一步地保证了上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构的形成过程较为容易。
37.另一种具体的实施例中，上述半导体器件的制作方法还可以包括：在基底上形成多个封闭半导体器件，多个上述封闭半导体器件沿第一方向间距排列，任意两个相邻的上述封闭半导体器件的距离相同，多个上述封闭半导体器件在上述第一方向上的宽度相同，均为d1，上述第一方向为上述封闭半导体器件的短边方向；形成第一焊盘结构和第二焊盘结构，上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构分别与上述封闭半导体器件的长边的两个端点接触连接，上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构在上述第一方向上的宽度相同，均为d2，d1＞d2，且d1 ＜2
×
d2；对上述封闭半导体器件进行分割，分割后的上述封闭半导体器件、上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构形成上述间隔结构。
38.在实际的应用过程中，上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构相同或不同。本领域技术人员可以根据实际情况设置相同的上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构，或者不同宽度的上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构。
39.本技术的一种典型的实施例中，提供了一种半导体器件，上述半导体器件由任一种上述的制作方法制作得到。
40.上述的半导体器件，通过任一种上述的制作方法制作得到，可以较为容易地形成上述半导体器件，制作过程较为简单，保证了上述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。同时，通过上述的方法制作得到的上述半导体器件中，上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构的接触面积较大，保证了接触电阻较小，进而保证了器件的性能较好。
41.根据本技术的另一种典型的实施例，提供了一种半导体器件，如图3所示，包括基底40 和多个间隔结构，多个上述间隔结构位于上述基底40的表面上，多个上述间隔结构沿第一方向间隔排列，上述第一方向与上述半导体器件的厚度方向垂直，上述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线107和第二导线108，其中，上述第一导线107包括第一焊盘结构100、第一子水平部111以及第一子竖直部109，上述第二导线108包括第二焊盘结构101、第二子水平部112以及第二子竖直部110，其中，上述第一子水平部111和上述第一焊盘结构 100接触，上述第二子水平部112和上述第二焊盘结构101接触。
42.上述的半导体器件，包括基底和多个间隔结构，多个上述间隔位于上述基底的表面上，上述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线和第二导线，其中，上述第一导线包括第一焊盘结构、第一子水平部以及第一子竖直部，上述第二导线包括第二焊盘结构、第二子水平部以及第二子竖直部，上述第一子水平部和上述第一焊盘结构接触，上述第二子水平部和上述第二焊盘结构接触，可以较为容易地形成上述的半导体器件，使得制作过程较为简单，保证了上述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
43.本技术的一种具体的实施例中，上述第一导线107还包括第三子竖直部113，上述第二导线108还包括第四子竖直部114，得到如图6所示的半导体器件。上述第三子竖直部113的宽度与上述第二子竖直部110的宽度相同，上述第三子竖直部113的中轴线与上述第二子竖直部 110的中轴线重合，上述第四子竖直部114与上述第一子竖直部109的宽度相同，上述第四子竖直部114的中轴线与上述第一子竖直部109的中轴线重合。即上述第三子竖直部的端部与上述第二子竖直部的端部重合，上述第四子竖直部的端部和上述第一子竖直部的端部重合，这样进一步地保证了上述半导体器件的制程较为简单，进而保证了上述
半导体器件的制作良率较高。
44.在实际的应用过程中，上述第三子竖直部与上述第四子竖直部相同。当然，上述第三子竖直部和上述第四子竖直部也可以不同。本领域技术人员可以根据实际的制程能力进行灵活的选择。
45.为了较为容易地形成上述导线结构，保证上述半导体器件的制程良率较高，在实际的应用过程中，上述第一导线107的上述第一焊盘结构100的边缘与上述第一子竖直部109的远离上述第三子竖直部113的边缘在一条直线上，或者上述第一焊盘结构100的边缘与上述第三子竖直部113的远离上述第一子竖直部109的边缘在一条直线上，且上述第二导线108的上述第二焊盘结构101的边缘与上述第四子竖直部114的远离上述第二子竖直部110的边缘在一条直线上，或者上述第二焊盘结构101的边缘与上述第二子竖直部110的远离上述第四子竖直部114的边缘在一条直线上，图7示出了上述第一焊盘结构100的边缘与上述第三子竖直部113的远离上述第一子竖直部109的边缘在一条直线上，上述第二焊盘结构101的边缘与上述第四子竖直部114的远离上述第二子竖直部110的边缘在一条直线上的情况。
46.根据本技术的另一种具体的实施例，如图3所示，上述第一焊盘结构在第二方向上的宽度 w1大于上述第一子竖直部在上述第一方向上的宽度w2的三倍，上述第二焊盘结构在上述第二方向上的宽度w3大于上述第二子竖直部在上述第一方向上的宽度w4的三倍，上述第二方向与上述第一方向垂直。这样保证了上述第一焊盘结构的接触面积较大，以及上述第二焊盘结构的接触面积较大，进而保证了上述导线的接触电阻较小，保证了器件的性能较好。
47.为了进一步地保证上述半导体器件的制程良率较高，能较为容易的得到上述半导体器件，根据本技术的再一种具体的实施例，上述第一子竖直部在上述第一方向上的宽度大于上述第一焊盘结构在上述第一方向上的宽度的二分之一，上述第二子竖直部在上述第一方向上的宽度大于上述第二焊盘结构在上述第一方向上的宽度的二分之一。
48.为了进一步地保证器件的性能较好，本技术的又一种具体的实施例中，多个上述间隔结构在上述第一方向上的间隔距离相同。
49.在实际的应用过程中，上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构相同或不同。本领域技术人员可以根据实际情况设置相同的上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构，或者不同宽度的上述第一焊盘结构和上述第二焊盘结构。
50.本技术的另一种具体的实施例中，上述第一子竖直部和上述第二子竖直部相同，上述第一子水平部与上述第一子水平部相同。当然，上述第一子竖直部和上述第二子竖直部还可以不同，上述第一子水平部与上述第一子水平部还可以不同。
51.从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下技术效果：
52.1)、本技术提供了一种半导体器件的制作方法，上述的半导体器件的制作方法，通过在基底上形成预半导体器件，上述预半导体器件包括多个上述沿第一方向间隔排列的预结构，上述预结构包括上述环形结构、第一焊盘结构和第二焊盘结构，上述环形结构包括首尾依次连接的上述第一竖直部、上述第一水平部、上述第二竖直部和上述第二水平部，通过对上述预半导体器件进行刻蚀，去掉上述环形结构的第一部分和第二部分，使得上述预结构形成互不相连的上述第一导线和上述第二导线，上述第一导线包括上述第一焊盘结构、
至少部分上述第一水平部和至少部分上述第一竖直部，上述第二导线包括上述第二焊盘结构、至少部分上述第二水平部和至少部分上述第二竖直部，可以较为容易地形成上述半导体器件，制作过程较为简单，保证了上述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
53.2)、本技术还提供了一种半导体器件，上述的半导体器件，包括基底和多个间隔结构，多个上述间隔位于上述基底的表面上，上述间隔结构包括两个互不相连的导线，分别为第一导线和第二导线，其中，上述第一导线包括第一焊盘结构、第一子水平部以及第一子竖直部，上述第二导线包括第二焊盘结构、第二子水平部以及第二子竖直部，上述第一子水平部和上述第一焊盘结构接触，上述第二子水平部和上述第二焊盘结构接触，可以较为容易地形成上述的半导体器件，使得制作过程较为简单，保证了上述半导体器件的制程良率较高，缓解了现有的精细图案的制作过程较为复杂，导致精细图案的制程良率不高的问题。
54.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。