技术特征：
1.一种边发射半导体激光器，其特征在于，包括：光波导、高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜；光波导具有n型衬底层，高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜均形成在n型衬底层上。2.如权利要求1所述的边发射半导体激光器，其特征在于，光波导还具有沿垂直于n型衬底层的z方向依次设置在n型衬底层上的n型包层、n型波导层、有源层、p型波导层、p型包层和p型掺杂盖层。3.如权利要求2所述的边发射半导体激光器，其特征在于，定义n型衬底层所在的平面为x
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y面，x方向与y方向垂直；p型掺杂盖层在y方向上的长度小于其他各层，且为沿x方向延伸的条状结构；或者p型掺杂盖层和p型包层的一部分在y方向上的长度小于p型包层的另一部分和其他各层，且为沿x方向延伸的条状结构；或者p型掺杂盖层和p型包层在y方向上的长度小于其他各层，且为沿x方向延伸的条状结构；或者p型掺杂盖层、p型包层和p型波导层的一部分在y方向上的长度小于p型波导层的另一部分和其他各层，且为沿x方向延伸的条状结构。4.如权利要求3所述的边发射半导体激光器，其特征在于，光波导沿x方向具有第一侧面和第二侧面，第一侧面形成有高反膜；第二侧面形成有增透膜，构成光波导的出光面。5.如权利要求4所述的边发射半导体激光器，其特征在于，高阶非球面快轴准直镜在x方向上具有第一侧面和第二侧面，第一侧面为沿y方向延伸的曲面，第二侧面为沿y方向延伸的平面，该曲面与x
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z面相交为曲线，与x
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y平面相交为直线；在高阶非球面快轴准直镜的第一侧面和第二侧面形成有增透膜。6.如权利要求5所述的边发射半导体激光器，其特征在于，高阶非球面慢轴准直镜在x方向上具有第一侧面和第二侧面，第一侧面靠近高阶非球面快轴准直镜，为沿y方向延伸的平面，第二侧面远离高阶非球面快轴准直镜，为沿z方向延伸的曲面，该曲面与x
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y面相交为曲线，与x
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z面相交为直线；在高阶非球面慢轴准直镜的第一侧面和第二侧面形成有增透膜。