一种用于内埋基板的功率器件封装结构及基板及电子产品的制作方法

1.本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种用于内埋基板的功率器件封装结构及内埋有该功率器件封装结构的基板及具有该基板的电子产品。


背景技术：

2.半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，半导体元件根据半导体材料的特性，属于固态元件，其体积可以缩小到很小的尺寸，因此耗电量少，集成度高，在电子技术领域获得了广泛的引用，随着电子产品小型化的发展，封装半导体也在向着小型化且高性能化发展，在此情况下，设计一种集成化程度更好的芯片封装结构是十分必要的。


技术实现要素：

3.本实用新型实施例的目的在于：提供一种用于内埋基板的功率器件封装结构及基板及电子产品，其能够解决现有技术中存在的上述问题。
4.为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
5.一方面，提供一种用于内埋基板的功率器件封装结构，包括源极引出端、栅极引出端、漏极引出端以及用于封装器件的封装树脂，所述源极引出端、栅极引出端及漏极引出端分别暴露于所述封装结构的上表面或与所述上表面平行相对的下表面，所述漏极引出端为引线框架，所述源极引出端为设置在所述上表面或所述下表面的铜垫片，所述源极引出端通过导电焊材焊接于芯片的源极、所述栅极引出端通过导电焊材焊接于芯片的栅极，所述芯片以漏极朝向所述引线框架的方向焊接在所述引线框架上。
6.作为所述的用于内埋基板的功率器件封装结构的一种优选的技术方案，所述源极引出端、所述栅极引出端以及所述漏极引出端均位于所述封装结构的同一表面。
7.作为所述的用于内埋基板的功率器件封装结构的一种优选的技术方案，所述漏极引出端通过引线框架弯折引出至与所述源极引出端及所述漏极引出端位于同一平面。
8.作为所述的用于内埋基板的功率器件封装结构的一种优选的技术方案，所述引线框架具有基岛部分以及引脚部分，所述芯片焊接连接于所述基岛部分，所述引脚部分弯折至与所述封装结构的上表面齐平形成漏极引出端。
9.作为所述的用于内埋基板的功率器件封装结构的一种优选的技术方案，所述漏极引出端通过在所述引线框架上设置导电铜柱引出至与所述源极引出端及所述漏极引出端位于同一平面。
10.另一方面，提供一种基板，在所述基板内部埋设有如上所述的用于内埋基板的功率器件封装结构。
11.作为所述基板的一种优选的技术方案，包括绝缘材料层和层压材料层，所述芯片通过焊接材料焊接在所述绝缘材料层上并埋设在所述层压材料层中。
12.作为所述基板的一种优选的技术方案，还包括散热铜层，所述散热铜层设置在所述绝缘材料层远离所述层压材料层的一侧。
13.作为所述基板的一种优选的技术方案，还包括阻焊层，所述阻焊层设置在所述层压材料层远离所述绝缘材料层的一侧，所述阻焊层中设置有焊盘。
14.再一方面，提供一种电子产品，具有如上所述的基板。
15.本实用新型的有益效果为：本方案中通过将源极、栅极、漏极分别通过源极引出端、栅极引出端以及漏极引出端引出至封装体的表面，从而使得封装体可以方便的埋设于基板内部，减小基板厚度及钻孔深度，从而有效减小基板体积，提升基板散热性能。
附图说明
16.下面根据附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。
17.图1为本实用新型一实施例所述用于内埋基板的功率器件封装结构结构示意图。
18.图2为本实用新型一实施例所述基板结构示意图。
19.图3为本实用新型又一实施例所述用于内埋基板的功率器件封装结构结构示意图。
20.图4为本实用新型又一实施例所述基板结构示意图。
21.图5为本实用新型再一实施例所述用于内埋基板的功率器件封装结构结构示意图。
22.图中：
23.100、封装结构；101、源极引出端；102、栅极引出端；103、漏极引出端； 104、芯片；105、封装树脂；106、引线框架；107、导电焊材；
24.200、基板；201、散热铜层；202、绝缘材料层；203、层压材料层；204、导电铜柱；205、阻焊层；206、焊盘。
具体实施方式
25.为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
27.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
28.实施例一：
29.如图1、2所示，本实施例提供一种用于内埋基板200的功率器件封装结构 100，包括源极引出端101、栅极引出端102、漏极引出端103以及用于封装器件的封装树脂105，所述源极引出端101、栅极引出端102及漏极引出端103分别暴露于所述封装结构100的上表面或与所述上表面平行相对的下表面，所述漏极引出端103为引线框架106，所述源极引出端101为设置在所述上表面或所述下表面的铜垫片，所述源极引出端101通过导电焊材107焊接于芯片104的源极、所述栅极引出端102通过导电焊材107焊接于芯片104的栅极，所述芯片104以漏极朝向所述引线框架106的方向焊接在所述引线框架106上。
30.本方案中通过将源极、栅极、漏极分别通过源极引出端101、栅极引出端 102以及漏极引出端103引出至封装体的表面，从而使得封装体可以方便的埋设于基板
31.200内部，减小基板200厚度及钻孔深度，从而有效减小基板200体积，提升基板200散热性能。
32.优选的，所述源极引出端101、所述栅极引出端102以及所述漏极引出端 103均位于所述封装结构100的同一表面。通过将源极引出端101、栅极引出端 102以及漏极引出端103均设置与封装结构100的同一表面可以仅在该侧对应设置对应的被动元件、栅极驱动器以及微控制单元，相较于双侧设置的方案能够进一步降低应用改基板
33.200的产品的厚度。
34.同时本方案中引线框架106整个基岛的背面均可以作为散热结构，提升产品的散热性能。
35.为了便于后续的封装以及电连接，本实施例中所述漏极引出端103通过引线框架106弯折引出至与所述源极引出端101及所述漏极引出端103位于同一平面。
36.具体的，本实施例中所述引线框架106具有基岛部分以及引脚部分，所述芯片104焊接连接于所述基岛部分，所述引脚部分弯折至与所述封装结构100 的上表面齐平形成漏极引出端103。
37.同时，本实施例中还提供一种基板200，在所述基板200内部埋设有如上所述的用于内埋基板200的功率器件封装结构100。
38.本实施例中所述基板200包括绝缘材料层202和层压材料层203、散热铜层 201以及阻焊层205，所述芯片104通过焊接材料焊接在所述绝缘材料层202上并埋设在所述层压材料层203中。所述设置在所述绝缘材料层202远离所述层压材料层203的一侧。所述阻焊层205设置在所述层压材料层203远离所述绝缘材料层202的一侧，所述阻焊层205中设置有焊盘。
39.为了提高层压材料层203与绝缘材料层202的连接强度，本方案中在所述绝缘材料层202的表面还设置有连接支架，所述连接支架呈v字形焊接在所述绝缘材料层202的表面，或通过设置在绝缘材料层202的通孔直接与散热铜层 201焊接连接，连接支架在未设置层压材料层203的状态下其开口较小，在压合层压材料层203的过程中，连接支架开口的两侧边均插入到层压材料层203中，随着层压的进行，两侧边收到层压材料层203的压合力作用逐渐向两侧张开，使其呈较大的倾角嵌入至层压材料层203中，压合完成后所述连接支架能够起到连接层压材料层203与绝缘材料层202，或连接层压材料层203、绝缘材料层 202和散热铜层201的作用。
40.同时，本实施例中还提供一种电子产品，其具有如上所述的基板200。
41.实施例二：
42.如图3、4所示，本实施例中还提供一种用于内埋基板200的功率器件封装结构100，包括源极引出端101、栅极引出端102、漏极引出端103以及用于封装器件的封装树脂105，所述源极引出端101、栅极引出端102及漏极引出端103 分别暴露于所述封装结构100的上表面或与所述上表面平行相对的下表面，所述漏极引出端103为引线框架106，所述源极引出端101为设置在所述上表面或所述下表面的铜垫片，所述源极引出端101通过导电焊材107焊接于芯片104 的源极、所述栅极引出端102通过导电焊材107焊接于芯片104的栅极，所述芯片104以漏极朝向所述引线框架106的方向焊接在所述引线框架106上。
43.所述源极引出端101、所述栅极引出端102以及所述漏极引出端103均位于所述封装结构100的同一表面。具体的，本实施例中所述漏极引出端103通过在所述引线框架106上设置导电铜柱204引出至与所述源极引出端101及所述漏极引出端103位于同一平面。
44.同时，本实施例中还提供一种基板200，在所述基板200内部埋设有如上所述的用于内埋基板200的功率器件封装结构100。
45.所述基板200包括绝缘材料层202和层压材料层203、散热铜层201以及阻焊层205，所述芯片104通过焊接材料焊接在所述绝缘材料层202上并埋设在所述层压材料层203中。所述散热铜层201设置在所述绝缘材料层202远离所述层压材料层203的一侧。所述阻焊层205设置在所述层压材料层203远离所述绝缘材料层202的一侧，所述阻焊层205中设置有焊盘。
46.为了提高层压材料层203与绝缘材料层202的连接强度，本方案中在所述绝缘材料层202的表面还设置有连接支架，所述连接支架呈v字形焊接在所述绝缘材料层202的表面，或通过设置在绝缘材料层202的通孔直接与散热铜层 201焊接连接，连接支架在未设置层压材料层203的状态下其开口较小，在压合层压材料层203的过程中，连接支架开口的两侧边均插入到层压材料层203中，随着层压的进行，两侧边收到层压材料层203的压合力作用逐渐向两侧张开，使其呈较大的倾角嵌入至层压材料层203中，压合完成后所述连接支架能够起到连接层压材料层203与绝缘材料层202，或连接层压材料层203、绝缘材料层 202和散热铜层201的作用。
47.同时，本实施例中还提供一种电子产品，具有如上所述的基板200。
48.需要指出的是，所述电极的设置方位并不局限于上述实施例中的源极引出端101、栅极引出端102以及漏极引出端103均设置于同一表面，如图5所示，在其他实施例中还可以将所述引线框架106设置为平面结构，所述漏极引出端 103与所述源极引出端101及栅极引出端102分别位于所述封装结构100的两个表面。
49.于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、等方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
50.在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
51.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
52.以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。