一种引线框结构、引线框组件及混合晶振产品的制作方法

1.本技术涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种引线框结构、引线框组件及混合晶振产品。


背景技术：

2.在半导体产品中，通常采用引线框架实现芯片内部电路的引出，因此需要将芯片与引线框架进行电连接。如何提高引线框架与芯片的连接效果，提高半导体产品的良率(比如具有芯片及晶振元件的混合晶振产品)，一直备受各界关注。


技术实现要素：

3.本技术的一个方面提供一种引线框结构，所述引线框结构设有用于贴装芯片的芯片键合区，所述引线框结构包括位于芯片键合区的第一内引脚，以及位于芯片键合区外的第一金属连接筋，所述第一内引脚连接于所述第一金属连接筋的内端且用于与芯片连接，所述第一金属连接筋上设有用于焊接晶振元件的焊接部，所述焊接部与所述第一内引脚之间设有阻焊槽。
4.可选的，所述阻焊槽贯穿所述第一金属连接筋的相对的两侧边。
5.可选的，所述阻焊槽的表面设有阻焊材料层。
6.可选的，所述阻焊材料层的材质包括绿油。
7.可选的，所述阻焊槽的深度为所述第一金属连接筋厚度的1/4至2/5；或，
8.所述阻焊槽的宽度大于或等于0.5mm。
9.可选的，所述引线框结构包括第二金属连接筋，连接于所述第二金属连接筋外端的外引脚，以及连接于第二金属连接筋内端的第二内引脚，所述第二内引脚位于所述芯片键合区且用于与所述芯片连接。
10.可选的，所述外引脚与所述焊接部位于所述芯片键合区的不同侧。
11.可选的，所述引线框结构的上表面设有助焊层，所述助焊层开设有与所述阻焊槽对应的助焊层开口。
12.本技术的一个方面提供一种引线框组件，所述引线框组件包括多个如上所述的引线框结构，多个所述引线框结构呈阵列排布。
13.本技术的一个方面提供一种混合晶振产品，包括晶振元件、芯片及如上所述的引线框结构；其中，所述晶振元件焊接于所述焊接部，所述芯片设于所述芯片键合区并与所述第一内引脚电连接。
14.本技术实施例提供的上述引线框结构、引线框组件及混合晶振产品，通过在引线框结构的焊接部与第一内引脚之间设置阻焊槽，使得在焊接部焊接晶振元件时，焊料不会流至第一内引脚处，从而减小焊料对第一内引脚带来的不利影响，提高第一内引脚与芯片键合的稳定性，从而提高引线框架整体与芯片连接的温定性及连接效果，且阻焊槽的设置简单易实施。
附图说明
15.图1是根据本技术示例型实施例提出的一种引线框组件的结构示意图。
16.图2是根据本技术示例型实施例提出的一种引线框架结构的结构示意图。
17.图3是图2所示引线框架结构的包括助焊层设置区域的结构示意图。
具体实施方式
18.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
19.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。除非另作定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”表示两个或两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”和/或“下”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
20.在半导体产品中，通常采用引线框架实现芯片内部电路的引出，因此需要将芯片与引线框架进行电连接。如何提高引线框架与芯片的连接效果，提高半导体产品的良率(比如具有芯片及晶振元件的混合晶振产品)，一直备受各界关注。发明人(们)通过研究发现，在对具有芯片及晶振元件的混合晶振产品进行生产加工时，通常采用回流焊的方式将晶振元件焊接于引线框架之上，以与芯片进行连接。然而，回流时容易出现助焊剂液流至引线框架的键合区域，对键合区域造成污染，从而影响到芯片与引线框结构的键合效果，影响产品的良率。
21.为解决上述技术问题，本技术提供一种引线框架100以及引线框组件1000。图1是根据本技术示例型实施例提出的一种引线框组件的结构示意图。图2即是根据本技术示例型实施例提出的一种引线框架结构100的结构示意图。引线框组件1000包括多个引线框结构100，且该多个引线框结构100呈阵列排布。引线框架结构100可由引线框组件切分而成。
22.请参照图2所示，并在必要时结合图3所示，引线框结构100设有用于贴装芯片的芯片键合区101。引线框结构100包括位于芯片键合区101的第一内引脚11，以及位于芯片键合区101外的第一金属连接筋13，第一内引脚11连接于第一金属连接筋13的内端且用于与芯片连接，第一金属连接筋13上设有用于焊接晶振元件的焊接部131，焊接部131与第一内引脚11之间设有阻焊槽15。
23.需要说明的是，这里所说的用于焊接晶振元件的焊接部131可以是第一金属连接筋上的一部分区域。第一金属连接筋13可以包括多个，相应地，第一内引脚也可以包括多个。此外，这里所说的芯片，可以理解为裸片。晶振元件可用于控制半导体产品的工作频率。
24.通常，晶振元件在相对的两端设置有连接部，以通过连接部焊接于焊接部131。相应地，引线框架100中的两个第一金属连接筋13中对应设置有焊接部131，以分别焊接晶振元件的两端。相应地，设有焊接部的第一金属连接筋13内端的第一内引脚11与芯片键合连接。
25.在一些实施例中，阻焊槽15贯穿第一金属连接筋13的相对的两侧边，以完全阻隔焊料流至第一内引脚11，提高阻焊槽的阻隔焊料的效果。
26.在一些实施例中，阻焊槽15的表面可设有阻焊材料层，以减小焊料的流动性。
27.阻焊材料层的材质可选为与焊料的材质不相溶的材质。可选的，在一些实施例中，阻焊材料层的材质包括绿油。
28.进一步，发明人(们)通过大量试验验证，阻焊槽15的深度为第一金属连接筋13厚度的1/4至2/5，其阻隔焊料的效果较佳，且阻焊槽15的设置不会影响第一金属连接筋13及引线框架100的结构强度。
29.可选的，阻焊槽15的深度为第一金属连接筋13厚度的1/3。比如，以引线框架100的厚度为0.15mm为例，其阻焊槽15的深度设置为0.05mm，该阻焊槽15阻隔焊料的效果较佳。
30.进一步，发明人(们)通过大量试验验证，阻焊槽15的宽度大于或等于0.5mm，阻焊槽15阻隔焊料的效果较佳。
31.当然，阻焊槽15的宽度越大其阻隔焊料的效果越好。比如，在一些实施例中，所述第一金属连接筋上位于焊接部和所述第一内引脚之间的全部区域均可开设阻焊槽。
32.进一步，请继续参照图2所示，引线框结构100还可包括第二金属连接筋16，连接于第二金属连接筋16外端的外引脚14，以及连接于第二金属连接筋16内端的第二内引脚12。第二内引脚12位于芯片键合区101且用于与芯片连接。该外引脚14可用于与外部的其他产品或结构进行键合连接。
33.需要说明的是，外引脚14的个数可以是多个。第二金属连接筋的个数可以是多个。相应地，第二内引脚12的个数也可以是多个。本技术对此不做限定，可根据具体应用环境进行设置。此外，这里所说的第一金属连接筋13与第二金属连接筋不能直接连接，第一金属连接筋13可通过芯片键合区101设置的芯片而与第二金属连接筋12间接连接。
34.在一些实施例中，外引脚14与焊接部131位于芯片键合区101的不同侧，以便于晶振元件的焊接，避免晶振元件与外引脚之间互相影响，有利于引线框架的整体布局设计。
35.具体的，如图2所示，外引脚14可包括相对的两排，该两排外引脚14可设于键合区101相对的两侧，并可位于第一金属连接筋的相对的两侧。
36.进一步，在一些实施例中，引线框结构100的上表面设有助焊层，所述助焊层开设有与阻焊槽15对应的助焊层开口。
37.在一些实施例中，助焊层至少可设于引线框架100内引脚(包括第一内引脚和第二内引脚)的上表面。当然，除了内引脚之外，还可设于金属连接筋的上表面。其中，至少还可设于具有焊接部的第一金属连接筋的上表面的部分或全部区域。比如，请结合图3所示，在一些实施例中，该引线框结构10的助焊层可设于引线框架100位于阴影区域1012的上表面。
38.这里所说的助焊层有利于提高引线框架100与其他结构件之间的焊接效果。可选的，在一些实施例中，引线框架的材质可为金属铜。助焊层的材质可以为银。当然，助焊层的材质也可以为其他较为稳定且有利于提高焊接效果的金属材质，引线框架的材质也可以是
其他导电材料，本技术对此不做限定，可根据具体应用环境进行设置。
39.本技术提供的上述引线框结构100中，通过在引线框结构的焊接部与第一内引脚之间设置阻焊槽，使得在焊接部焊接晶振元件时，焊料可流至阻焊槽，而不会流至第一内引脚处，从而减小焊料对第一内引脚带来的不利影响，提高第一内引脚与芯片键合的稳定性，从而提高引线框架整体与芯片连接的温定性及连接效果，且阻焊槽的设置简单易实施。此外，相对于需要另外设置结构来阻隔焊料的流动或在回流焊后增加喷淋清洗工序以去除多余焊料的实施方式而言，本技术提供的上述引线框结构100中，阻焊槽的设置，有利于降低引线框架结构的生产成本，以降低半导体产品整体的生产成本。
40.另外，本技术还提供一种混合晶振产品。该混合型晶振装置包括晶振元件、芯片及如上所述的引线框结构100。其中，所述晶振元件焊接于焊接部131，所述芯片设于芯片键合区101并与第一内引脚11键合以实现电连接。具体的，可结合图3所示，芯片可贴设于芯片键合区101中部的区域1011处。
41.引线框架结构100具体可参照上述相关描述，此处不予以赘述。相应地，所述芯片还可与引线框结构100的第二内引脚12键合以实现电连接。
42.上述实施例提供的混合晶振产品，其采用引线框结构100，使得该混合晶振产品的芯片与引线框架的键合强度更高，提高芯片与引线框架之间的连接效果，提高混合晶振产品的良率，同时有利于降低混合晶振产品的生产成本。
43.在本技术中，所述结构实施例与方法实施例在不冲突的情况下，可以互为补充。
44.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术保护的范围之内。