技术特征：
1.一种碳化硅材料，包括：碳化硅层，其中，所述碳化硅层包括平均晶粒尺寸为3.5μm以下并在x射线衍射分析中(111)面优先生长的低导热率区域。2.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域的平均晶粒尺寸为0.5至3.5μm。3.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域，根据以下公式1计算的x射线衍射分析的衍射强度比i为0.5以下，[公式1]衍射强度比i＝((200)面的峰值强度+(220)面的峰值强度+(311)面的峰值强度)/(111)面的峰值强度。4.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域，根据以下公式2计算的x射线衍射分析的衍射强度比i为0.5以下，[公式2]衍射强度比i＝((200)面的峰值强度+(220)面的峰值强度)/(111)面的峰值强度。5.根据权利要求3或权利要求4所述的碳化硅材料，所述衍射强度比i为0.001至0.3。6.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域的导热率为200w/mk以下。7.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域通过化学气相沉积方法来进行沉积。8.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述碳化硅材料是用于制造半导体非存储器的等离子体处理装置的部件的材料。9.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述碳化硅材料是用于放置晶圆的环，所述低导热率区域形成在放置晶圆的区域。10.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域的温度偏差为1℃以下。11.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述低导热率区域是所述碳化硅层面积的50％以上及100％以下。12.根据权利要求1所述的碳化硅材料，所述碳化硅层的厚度为2mm以上。13.一种碳化硅材料，包括：碳化硅层，其平均晶粒尺寸为3.5μm以下，并在x射线衍射分析中(111)面优先生长。14.根据权利要求13所述的碳化硅材料，所述碳化硅层的导热率为200w/mk以下。15.根据权利要求13所述的碳化硅材料，所述碳化硅层，
根据以下公式1计算的x射线衍射分析的衍射强度比i为0.5以下，[公式1]衍射强度比i＝((200)面的峰值强度+(220)面的峰值强度+(311)面的峰值强度)/(111)面的峰值强度。16.根据权利要求13所述的碳化硅材料，所述碳化硅层，根据以下公式2计算的x射线衍射分析的衍射强度比i为0.5以下，[公式2]衍射强度比i＝((200)面的峰值强度+(220)面的峰值强度)/(111)面的峰值强度。17.根据权利要求13所述的碳化硅材料，所述碳化硅层的厚度为2mm以上。18.一种碳化硅材料的制备方法，包括以下步骤：准备基板；在所述基板上使用化学气相沉积方法来形成碳化硅层，在所述碳化硅层的至少一部分上形成有平均晶粒尺寸为3.5μm以下并在x射线衍射分析中(111)面优先生长的低导热率区域。
技术总结
本发明涉及一种碳化硅(SiC)材料及其制备方法，更具体地，涉及一种包括碳化硅(SiC)层的碳化硅(SiC)材料及其制备方法，其中，在所述碳化硅(SiC)层的至少一部分上形成有平均晶粒尺寸为3.5μm以下并在X射线衍射分析中(111)面优先生长的低导热率区域。优先生长的低导热率区域。优先生长的低导热率区域。
技术研发人员：李相喆
受保护的技术使用者：韩国东海炭素株式会社
技术研发日：2020.03.25
技术公布日：2021/9/21