技术特征：
1.一种半导体元件的制造方法，包含：元件形成工序，在基底基板上形成半导体元件，所述半导体元件经由连接部而与该基底基板连接，并且具有相对于所述基底基板的生长面倾斜的上表面；准备工序，准备具有与所述基底基板对置的对置面的支承基板；接合工序，将所述半导体元件的上表面向所述支承基板的对置面按压以及进行加热，将所述半导体元件的上表面与所述支承基板接合；以及剥离工序，将所述半导体元件从所述基底基板剥离。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，所述基底基板的所述生长面使用作为相对于该生长面的法线具有偏离角的晶体面的面。3.一种半导体元件的制造方法，包含：元件形成工序，在基底基板上形成经由连接部而与该基底基板连接的半导体元件；准备工序，准备具有对置面的支承基板，该对置面在与所述基底基板对置时相对于该基底基板的生长面倾斜；接合工序，将所述半导体元件的上表面向所述支承基板的对置面按压以及进行加热，将所述半导体元件的上表面与所述支承基板接合；以及剥离工序，将所述半导体元件从所述基底基板剥离。4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，所述支承基板的所述对置面使用作为相对于该对置面的法线具有偏离角的晶体面的面。5.一种半导体元件的制造方法，包含：元件形成工序，在基底基板上形成经由连接部而与该基底基板连接的半导体元件；准备工序，准备具有与所述基底基板对置的对置面并且在该对置面设置有台阶部的支承基板；接合工序，将所述半导体元件的上表面向所述支承基板的对置面按压以及进行加热以使得所述半导体元件的上表面和所述支承基板的对置面的台阶部接触，将所述半导体元件的上表面与所述支承基板接合；以及剥离工序，将所述半导体元件从所述基底基板剥离。6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中，在所述接合工序中，所述半导体元件的所述上表面的一部分与所述支承基板的所述对置面的所述台阶部接触。7.一种半导体元件体，具备：支承基板；以及半导体元件层，具有第1面和相对于该第1面位于相反侧的第2面，所述第1面的一侧被固定在所述支承基板，所述第2面相对于所述支承基板的表面倾斜。8.一种半导体元件体，具备：支承基板，具有倾斜面；以及半导体元件层，具有第1面和相对于该第1面位于相反侧的第2面，所述第1面的一侧被固定在所述支承基板的倾斜面。
9.一种半导体元件体，具备：支承基板；以及半导体元件层，具有第1面和相对于该第1面位于相反侧的第2面，所述第1面的一侧被固定在所述支承基板，所述第1面以及所述第2面之中至少所述第1面相对于所述支承基板的表面倾斜。10.根据权利要求8或9所述的半导体元件体，其中，在所述支承基板的所述表面，所述半导体元件层的所述第1面经由金属而被固定。
技术总结
本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。离。离。
技术研发人员：正木克明 村川贤太郎
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：2020.02.28
技术公布日：2021/10/7