技术特征：
1.一种形成氧化硅膜的方法，包括以下步骤：将其上沉积有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中；和在所述含硅膜上形成氧化硅膜，包括以下步骤：将所述含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质；和将所述高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。2.如权利要求1所述的方法，其中所述胺添加剂包括铵或氨，并且其中所述氧化介质包括约1,000ppm至约20,000ppm的所述胺添加剂。3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化介质选自由蒸汽、过氧化物、氧气、臭氧、水蒸气、重水、含氢氧化物的化合物、氧同位素、氢同位素及其组合所组成的组。4.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅膜是氮化硅膜，并且其中所述氧化介质进一步包括氢基添加剂。5.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化硅膜具有在约20埃至约400埃之间的均匀厚度，并且其中所述温度在约400摄氏度和约505摄氏度之间。6.如权利要求1所述的方法，其中在所述含硅膜上形成所述氧化硅膜的步骤执行约5分钟至约150分钟之间的时间段。7.一种形成共形氧化硅膜的方法，包括以下步骤：在包括多个过孔的基板上沉积含硅膜，所述含硅膜沉积在所述基板和所述多个过孔的每个暴露表面上；将其上沉积有所述含硅膜的所述基板装载到高压容器的处理区域中；和在所述含硅膜上形成共形氧化硅膜，包括以下步骤：将所述含硅膜暴露于包括胺添加剂的氧化介质，其中所述氧化介质包括约1,000ppm至约20,000ppm的所述胺添加剂；和将所述高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下以及在约1bar至约65bar之间的压力下。8.如权利要求7所述的方法，其中所述胺添加剂包括铵或氨，并且其中所述氧化介质包括约7,000ppm的所述胺添加剂。9.如权利要求7所述的方法，其中所述氧化介质选自由蒸汽、过氧化物、氧气、臭氧、水蒸气、重水、含氢氧化物的化合物、氧同位素、氢同位素及其组合所组成的组，并且其中所述含硅膜包括硅或氮化硅。10.如权利要求7所述的方法，其中所述氧化介质是蒸汽，并且所述胺添加剂是氨，其中所述含硅膜是氮化硅膜，并且其中所述氧化介质进一步包括氢基添加剂。11.如权利要求7所述的方法，其中在所述含硅膜上形成所述氧化硅膜的步骤是在约400摄氏度至约505摄氏度之间的温度下执行约5分钟至约150分钟之间的时间段，并且其中所述共形氧化硅膜具有在约20埃至约400埃之间的均匀厚度。12.一种形成氧化硅膜的方法，包括以下步骤：将其上沉积有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中；和在所述含硅膜上形成氧化硅膜，包括以下步骤：将所述含硅膜暴露于包括氨的氧化介质，其中所述氧化介质选自由蒸汽、氧气和过氧化物的组；和
将所述高压容器保持在约400摄氏度和约505摄氏度之间的温度下以及在大于约10bar的压力下，其中所述氧化硅膜具有在约100埃至约400埃之间的均匀厚度。13.如权利要求12所述的方法，其中所述氧化介质包括约1,000ppm至约20,000ppm的所述氨。14.如权利要求12所述的方法，其中所述含硅膜包括硅或氮化硅，并且其中所述压力在约10bar至约60bar之间。15.如权利要求12所述的方法，其中在所述含硅膜上形成所述氧化硅膜的步骤执行为约5分钟至约120分钟的时间段。
技术总结
于此描述的实施方案大体涉及在半导体基板上形成低k介电材料的方法。更具体地，于此描述的实施方案涉及在高压和低温下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步骤：将其上形成有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中。方法进一步包括以下步骤：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步骤包括以下步骤：将含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质，并将高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。温度下。温度下。
技术研发人员：柯蒂斯
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.02.23
技术公布日：2021/10/26