技术特征：
1.一种半导体激光二极管(100)，具有
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沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在操作中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及
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在所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中，
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所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域之上的接触区域(21)和在垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接到所述接触区域的至少一个覆盖区域(22)，
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所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，
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所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上，
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存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖，并且
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所述半导体激光二极管在所述上侧上没有介电材料。2.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述覆盖层具有透明导电氧化物。3.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，在所述覆盖层的背离所述半导体层序列的一侧上设置有金属的接触元件(11)。4.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述接触元件是用于线键合或用于焊接所述半导体激光二极管的接触层。5.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，限定所述有源区域的所述至少一个元件具有构成在所述上侧的所述接触区域中的脊部(9)。6.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述脊部通过所述半导体层序列的一部分形成。7.根据前两项权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，所述脊部形成用于在所述有源区域中产生的所述光的折射率导引的脊形波导结构。8.根据权利要求5或6所述的半导体激光二极管，其中，所述脊部具有高度，所述高度小至使得通过所述脊部不引起在所述有源区域中产生的所述光的折射率导引。9.根据权利要求5至8之一所述的半导体激光二极管，其中，所述脊部具有透明导电的接触层(14)。10.根据权利要求5所述的半导体激光二极管，其中，所述脊部通过透明导电的接触层形成，所述透明导电的接触层通过透明导电氧化物形成。11.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，限定所述有源区域的所述至少一个元件在所述至少一个覆盖区域中具有受损的半导体结构(12)。12.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述受损的半导体结构在所述半导体层序列的所述上侧形成。13.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，金属的接触层或透明导电的接触层以直接邻接于所述上侧的方式在所述半导体层序列的所述上侧上设置在所述接触区域中，所述透明导电的接触层由所述覆盖层遮盖。
14.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，所述覆盖层具有第一层和第二层，所述第一层至少在所述接触区域中具有第一透明导电氧化物并且所述第二层在所述至少一个覆盖区域中具有与所述第一透明导电氧化物不同的第二透明导电氧化物，所述第二透明导电氧化物由所述第一透明导电氧化物至少部分地遮盖成使得所述第一层在所述至少一个覆盖区域中遮盖所述第二层。15.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述第二层仅设置在所述至少一个覆盖区域中。16.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，所述半导体激光二极管在所述上侧上不具有影响所述有源区域的介电材料。17.根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管，其中，
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在所述上侧上存在多个接触区域，
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在所述有源层中在操作中存在多个有源区域，并且在每个所述有源区域之上在竖直方向上分别设置有接触区域，
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所述接触区域通过多个覆盖区域中的数个覆盖区域彼此分隔开，并且，
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存在限定所述有源区域的多个元件，所述元件由所述覆盖层遮盖。18.根据前一项权利要求所述的半导体激光二极管，其中，所述覆盖层连续地设置在所述多个接触区域和所述多个覆盖区域之上。19.根据权利要求17所述的半导体激光二极管，其中，所述覆盖层划分成彼此分隔开的部段并且每个所述部段与一有源区域相关联。20.一种用于制造根据前述权利要求之一所述的半导体激光二极管(100)的方法，其中，
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提供所述半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有所述有源层(3)和所述上侧(20)，所述上侧具有所述接触区域(21)和所述至少一个覆盖区域(22)，
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形成限定所述有源区域的所述至少一个元件(10)，以及
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将所述覆盖层(4)连续地施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上。
技术总结
提出一种半导体激光二极管(100)，所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4)，其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22)，所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上，所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10)，所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。
技术研发人员：斯文
受保护的技术使用者：欧司朗光电半导体有限公司
技术研发日：2020.02.13
技术公布日：2021/10/29