显示设备的制作方法

1.本发明涉及一种显示设备。更具体地，本发明涉及具有一种改进的显示质量的柔性显示设备。


背景技术：

2.近来，随着技术的发展，正在生产具有较小尺寸、较轻重量和较好性能的显示产品。常规的阴极射线管(crt)电视已经被广泛地用作在性能和价格方面具有许多优点的显示设备。然而，克服crt在小型化或便携性方面的缺点并具有诸如小型化、轻量化特性和低功耗的优点的例如等离子体显示设备、液晶显示设备、有机发光显示设备等的显示设备正被关注。
3.有机发光显示器(oled)元件可以配置为使得从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在设置在阳极和阴极之间的发光层中组合以发射光。当使用oled元件时，可以实现具有宽视角、快速响应速度、薄的厚度和低功耗的显示设备。
4.近来，通过使用oled元件已经开发了用于实现可以弯曲的柔性显示设备的技术。由于与一般显示设备(刚性)相比，柔性显示设备具有复杂的结构，因此显示质量可能劣化。


技术实现要素：

5.技术问题
6.本发明的目的是提供一种具有改进的显示质量的显示设备。
7.解决方案
8.根据实施方式的一方面，显示设备可以包括：基础衬底，该基础衬底是柔性的；第一有源图案和第二有源图案，设置在基础衬底上；无机绝缘层，设置在第一有源图案和第二有源图案上并且限定开口区域；第一有机绝缘图案，设置在开口区域内；桥接电极，设置在第一有机绝缘图案上；第二有机绝缘层，设置在桥接电极上；第四有机绝缘层，设置在第二有机绝缘层上；第一像素电极和第二像素电极，设置在第四有机绝缘层上并且分别电连接到第一有源图案和第二有源图案；以及第三有机绝缘图案，设置在第二有机绝缘层和第四有机绝缘层之间，与第二像素电极重叠，并且不与第一像素电极重叠。
9.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在基础衬底上的第三有源图案、以及设置在第四有机绝缘层上并且电连接到第三有源图案的第三像素电极。此外，第三有机绝缘图案可以不与第三像素电极重叠。
10.在实施方式中，第一像素电极可以与红色子像素相对应，第二像素电极可以与绿色子像素相对应，以及第三像素电极可以与蓝色子像素相对应。
11.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在基础衬底上的第三有源图案、以及设置在第四有机绝缘层上并且电连接到第三有源图案的第三像素电极。此外，第三有机绝缘图案可以与第三像素电极重叠。
12.在实施方式中，第一像素电极可以与绿色子像素相对应，第二像素电极可以与红
色子像素相对应，以及第三像素电极可以与蓝色子像素相对应。
13.在实施方式中，当在平面图中观察时，无机绝缘层可以被开口区域分隔开以与多个子像素相对应。
14.在实施方式中，当在平面图中观察时，开口区域可以具有格子形状。
15.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在第四有机绝缘层上的像素限定层、设置在第一像素电极上的发光层、以及设置在发光层上的相对电极。
16.在实施方式中，显示设备还可以包括设置在相对电极上的薄膜封装层、以及设置在薄膜封装层上的滤色器层。
17.在实施方式中，第一像素电极和第一有源图案可以包括在第一子像素的像素电路中，第二像素电极和第二有源图案可以包括在第二子像素的像素电路中，并且桥接电极可以将第一子像素和第二子像素彼此电连接。
18.在实施方式中，无机绝缘层可以包括设置在基础衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的栅极绝缘层、以及设置在栅极绝缘层上的多个无机绝缘层。
19.在实施方式中，显示设备还可以包括：第一栅电极和第二栅电极，设置在栅极绝缘层上并且分别与第一有源图案和第二有源图案重叠；第一无机绝缘层，设置在栅极绝缘层上；第一导电图案，设置在第一无机绝缘层上；第二无机绝缘层，设置在第一导电图案上；第二导电图案，设置在第二无机绝缘层上；第三无机绝缘层，设置在第二导电图案上；第三导电图案，设置在第三无机绝缘层上；绝缘层，设置在第三导电图案上；以及第四导电图案，设置在绝缘层上。此外，第一无机绝缘层至第三无机绝缘层可以包括在无机绝缘层中。此外，第三有机绝缘图案和第四有机绝缘层可以设置在第四导电图案和第二像素电极之间。
20.在实施方式中，桥接电极可以包括在第三导电图案中。
21.在实施方式中，第三有机绝缘图案可以包括硅氧烷基树脂，以及第四有机绝缘层可以包括聚酰亚胺基树脂。
22.在实施方式中，第三有机绝缘图案和第四有机绝缘层可以包括相同的材料。
23.在实施方式中，显示设备还可以包括与无机绝缘层的开口区域重叠的光阻挡部。
24.在实施方式中，显示设备还可以包括绝缘层，该绝缘层设置在第二有机绝缘层和无机绝缘层之间，覆盖桥接电极，并且包括有机绝缘材料。
25.在实施方式中，基础衬底可以包括用于显示图像的显示区域和围绕显示区域的外围区域。此外，可以通过部分地去除无机绝缘层而在外围区域中形成弯曲开口，并且第一有机绝缘图案可以设置在弯曲开口内。
26.根据实施方式的另一方面，显示设备包括配置为发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，该显示设备可以包括：基础衬底，还基础衬底是柔性的；第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路，设置在基础衬底上；第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，分别电连接到第一像素电路至第三像素电路；以及多个无机绝缘层和多个有机绝缘层，设置在基础衬底和第一像素电极至第三像素电极之间。这里，当在平面图中观察时，第一像素电极至第三像素电极之间可以形成有开口区域，该开口区域是其中没有形成无机绝缘层的区域，并且有机绝缘层可以设置在开口区域内。此外，设置在第二像素电极和基础衬底之间的有机绝缘层的数量可以不同于设置在第一像素电极和基础衬底之间或第三像素电极和基础衬底之间的有机绝缘层的数量。
27.在实施方式中，显示设备还可以包括与开口区域重叠的桥接电极。此外，桥接电极可以将两个相邻的像素电路彼此电连接。
28.有益效果
29.根据本发明的实施方式，显示设备可以具有非对称结构，在该非对称结构中，第三有机绝缘图案设置在与至少一个子像素相对应的像素电极下方，并且第三有机绝缘图案不设置在与至少一个另一子像素相对应的像素电极下方，使得可以防止出现具有特定颜色的反射色带。
30.此外，可以在无机绝缘层中形成用于应力松弛的开口区域，并且该开口区域可以填充有包括有机绝缘材料的层，使得可以防止由无机绝缘层中的应力引起的裂纹或撕裂。
31.然而，本发明的效果不限于上述效果，并且可以在不背离本发明的精神和范围的情况下进行各种扩展。
附图说明
32.图1是示出根据本发明的实施方式的显示设备的平面图。
33.图2是示出图1的显示设备的显示区域中的子像素的部分的局部放大图。
34.图3是沿着图2中的线i-i'截取的剖视图。
35.图4是沿着图1中的线ii-ii'截取的剖视图。
36.图5是示出根据本发明的实施方式的显示设备的剖视图。
37.图6是示出当不应用本发明的配置时柔性显示设备的反射色带的图。
38.图7a和图7b是扫描电子显微镜(sem)照片，示出了当不应用本发明的配置时与柔性显示设备的第一子像素和第二子像素相对应的部分的区段。
39.图8是示出根据本发明的实施方式的电子设备的框图。
40.图9a是示出其中图8的电子设备被实现为电视的示例的图。
41.图9b是示出其中图8的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
42.在下文中，将参考附图详细说明本发明的实施方式。
43.图1是示出根据本发明的实施方式的显示设备的平面图。
44.参考图1，显示设备10可以包括用于显示图像的显示区域da、以及围绕显示区域的外围区域pa。外围区域pa可以包括其中显示设备10被弯曲的弯曲区域ba、以及与外部驱动器连接的焊盘区域pad。
45.图2是示出图1的显示设备的显示区域中的子像素的部分的局部放大图，图3是沿着图2中的线i-i'截取的剖视图，以及图4是沿着图1中的线ii-ii'截取的剖视图。
46.参考图2至图4，显示设备可以包括在第一方向d1和与第一方向d1相交的第二方向d2上以矩阵形式布置的多个子像素。例如，子像素可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3，并且第一子像素至第三子像素可以分别是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
47.可以形成分别与子像素相对应的像素电路。下面将描述的无机绝缘层ino可以被填充有第一有机绝缘图案ol1的开口区域oa分隔开，以与子像素中的每个相对应。
48.换言之，当在平面图中观察时，开口区域oa可以在第一方向d1和第二方向d2上具有格子形状。
49.同时，可以形成横跨像素电路的信号布线，例如扫描信号线和数据信号线，以通过桥接电极bre横跨像素电路。
50.再次参考图3，在显示区域da中，显示设备可以包括基础衬底100、缓冲层110、第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3、栅极绝缘层120、栅电极层、第一无机绝缘层130、第一导电图案con1、第二无机绝缘层140、第二导电图案con2、第三无机绝缘层150、第三导电图案con3、第一有机绝缘图案ol1、绝缘层160、第四导电图案con4、第二有机绝缘层ol2、第三有机绝缘图案ol3、第四有机绝缘层ol4、第一像素电极pe1、第二像素电极pe2、第三像素电极pe3、像素限定层pdl、第一发光层el1、第二发光层el2、第三发光层el3、相对电极ce、薄膜封装层tfe、光阻挡部bm和滤色器层cf。
51.基础衬底100可以包括柔性衬底。基础衬底100可以被实现为具有弯曲表面，并且可以包括适合用于支承堆叠的导电图案和层的透明绝缘材料。例如，基础衬底100可以包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯等。例如，基础衬底100可以具有堆叠结构，该堆叠结构包括第一聚酰亚胺层101、设置在第一聚酰亚胺层101上的第一屏障层102、设置在第一屏障层102上的第二聚酰亚胺层103、以及设置在第二聚酰亚胺层103上的第二屏障层104。
52.缓冲层110可以设置在基础衬底100上。缓冲层110可以在基础衬底100的顶表面上提供平坦表面，并且防止水或杂质扩散。缓冲层110可以包括无机绝缘材料。缓冲层110可以包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
53.第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3可以设置在缓冲层110上。
54.第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3可以包括非晶硅、多晶硅等。在另一实施方式中，第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3可以包括氧化物半导体。第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3中的每个可以包括掺杂有杂质的漏区和源区、以及设置在漏区和源区之间的沟道区。
55.栅极绝缘层120可以设置在其上设置有第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3的缓冲层110上。栅极绝缘层120可以包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
56.栅电极层可以设置在栅极绝缘层120上。栅电极层可以包括第一栅电极ge1、第二栅电极ge2和第三栅电极ge3。第一栅电极ge1可以与第一有源图案act1的沟道区重叠。第二栅电极ge2可以与第二有源图案act2的沟道区重叠。第三栅电极ge3可以与第三有源图案act3的沟道区重叠。栅电极层可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
57.第一有源图案act1和第一栅电极ge1可以包括在构成第一子像素px1的像素电路的第一薄膜晶体管tft1中。第二有源图案act2和第二栅电极ge2可以包括在构成第二子像素px2的像素电路的第二薄膜晶体管tft2中。第三有源图案act3和第三栅电极ge3可以包括在构成第三子像素px3的像素电路的第三薄膜晶体管tft3中。
58.第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管中的每个可以是具有顶栅结构的薄膜晶体管。然而，出于说明的目的已经提供了上面的实施方式，所以薄膜晶体管的结构不限于此。例
如，薄膜晶体管可以是具有底栅结构的薄膜晶体管。
59.第一无机绝缘层130可以设置在其上设置有栅电极层的栅极绝缘层120上。第一无机绝缘层130可以包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
60.第一导电图案con1可以设置在第一无机绝缘层130上。第一导电图案con1可以构成像素电路的一部分。第一导电图案con1可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
61.第二无机绝缘层140可以设置在其上设置有第一导电图案con1的第一无机绝缘层130上。第二无机绝缘层140可以包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
62.第二导电图案con2可以设置在第二无机绝缘层140上。第二导电图案con2可以构成像素电路的一部分。第二导电图案con2可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
63.第三无机绝缘层150可以设置在其上设置有第二导电图案con2的第二无机绝缘层140上。第三无机绝缘层150可以包括诸如硅化合物和金属氧化物的无机绝缘材料。
64.在这种情况下，缓冲层110、栅极绝缘层120、第一无机绝缘层130、第二无机绝缘层140和第三无机绝缘层150可以包括在无机绝缘层ino中。
65.开口区域oa可以形成在无机绝缘层ino中。开口区域oa可以与像素限定层pdl和光阻挡部bm重叠，并且开口区域oa可以部分地或完全地填充有第一有机绝缘图案ol1。
66.第一有机绝缘图案ol1可以设置在无机绝缘层ino的开口区域oa内。第一有机绝缘图案ol1可以通过使用诸如光刻胶、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和硅氧烷基树脂的有机绝缘材料来形成。
67.当柔性的显示设备10弯曲时，可能由包括无机绝缘材料的无机绝缘层ino中的压缩力或拉伸力引起应力。用于应力松弛的开口区域oa可以形成在无机绝缘层ino中，并且开口区域oa可以填充有包括有机绝缘材料的第一有机绝缘图案ol1。因此，可以防止由无机绝缘层ino中的应力引起的裂纹或撕裂。
68.第三导电图案con3可以设置在无机绝缘层ino和第一有机绝缘图案ol1上。第三导电图案con3可以构成像素电路的一部分。第三导电图案con3可以包括桥接电极bre。第三导电图案con3可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
69.绝缘层160可以设置在其上设置有第三导电图案con3的无机绝缘层ino上。绝缘层160可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，绝缘层160可以包括硅氧烷基树脂。
70.第二有机绝缘层ol2可以设置在绝缘层160上。第二有机绝缘层ol2可以通过使用诸如光刻胶、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和硅氧烷基树脂的有机绝缘材料来形成。
71.第四导电图案con4可以设置在第二有机绝缘层ol2上。第四导电图案con4可以构成像素电路的一部分。第四导电图案con4可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
72.第三有机绝缘图案ol3可以设置在其上设置有第四导电图案con4的第二有机绝缘层ol2上。第三有机绝缘图案ol3可以形成为与第二子像素px2相对应。换言之，第三有机绝缘图案ol3可以仅在与第二像素电极pe2重叠的部分中形成，并且可以不与第一像素电极pe1和第三像素电极pe3重叠。
73.第三有机绝缘图案ol3可以通过使用诸如光刻胶、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和硅氧烷基树脂的有机绝缘材料来形成。例如，第三有机绝缘图案ol3可以包括硅氧烷基树脂。
74.第四有机绝缘层ol4可以设置在其上设置有第三有机绝缘图案ol3和第四导电图案con4的第二有机绝缘层ol2上。第四有机绝缘层ol4可以通过使用诸如光刻胶、丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和硅氧烷基树脂的有机绝缘材料来形成。例如，第四有机绝缘层ol4可以包括聚酰亚胺基树脂。在这种情况下，尽管已经将第三有机绝缘图案ol3和第四有机绝缘层ol4描述为包括相互不同的材料，但是实施方式不限于此，而是第三有机绝缘图案ol3和第四有机绝缘层ol4可以包括相同的材料。
75.第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可以设置在第四有机绝缘层ol4上。第一像素电极pe1可以通过第一子像素px1的像素电路电连接到第一薄膜晶体管tft1。第二像素电极pe2可以通过第二子像素px2的像素电路电连接到第二薄膜晶体管tft2。第三像素电极pe3可以通过第三子像素px3的像素电路电连接到第三薄膜晶体管tft3。根据显示设备的光发射方案，第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3中的每个可以通过使用反射材料或透射材料来形成。在实施方式中，第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3中的每个可以形成为单层结构或包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的多层结构。
76.同时，尽管在附图中未示出，但是由于第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3的布置和结构的差异，设置在第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3下方的像素电路可以具有相互不同类型的台阶结构。因此，尽管第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3在图中已被示出为具有平坦表面，但是第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3可以具有微小的曲线和倾斜度，使得可能由第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3的曲线和倾斜度的偏差导致具有特定颜色的反射色带。(参见图6、图7a和图7b)
77.然而，根据本实施方式，该实施方式可以具有非对称结构，在该非对称结构中，第三有机绝缘图案ol3与第二像素电极pe2重叠并且不与第一像素电极pe1和第三像素电极pe3重叠，并且第三有机绝缘图案ol3可以用于减轻第二像素电极pe2的曲线和倾斜度，从而可以防止出现具有特定颜色的反射色带。
78.像素限定层pdl可以设置在其上设置有第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3的第四有机绝缘层ol4上。像素限定层pdl可以通过使用有机材料、无机材料等形成。例如，像素限定层pdl可以通过使用光刻胶、丙烯酸纤维基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯酸基树脂、硅树脂化合物等形成。在实施方式中，可以蚀刻像素限定层pdl以形成分别部分暴露第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3的开口。显示设备的发射区域和非发射区域可以由像素限定层pdl的开口来限定。例如，像素限定层pdl的开口位于其中的部分可以与发射区域相对应，以及非发射区域可以与和像素限定层pdl的开口相邻的部分相对应。
79.第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3可以分别设置在通过像素限定层pdl的开口暴露的第一像素电极pe1、第二像素电极pe2和第三像素电极pe3上。此外，第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3中的每个可以延伸到像素限定层pdl的开口的
侧壁上。在实施方式中，第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3中的每个可以具有多层结构，该多层结构包括有机发射层el、空穴注入层hil、空穴传输层htl、电子传输层etl、电子注入层eil等。在另一实施方式中，除了有机发射层之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以公共地形成为与多个像素相对应。第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3的有机发射层可以通过使用发光材料来形成，用于根据显示设备的像素中的每个生成不同颜色的光，诸如红光、绿光和蓝光。根据其它实施方式，第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3的有机发射层中的每个可以具有通过堆叠多种发光材料而形成的结构，用于实现诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色光以发射白光。在这种情况下，上面的发光结构可以公共地形成为与像素相对应，并且像素可以由滤色器层cf分类。
80.相对电极ce可以设置在像素限定层pdl和第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3上。根据显示设备的光发射方案，相对电极ce可以包括透射材料或反射材料。在实施方式中，相对电极ce也可以形成为单层结构或包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的多层结构。
81.薄膜封装层tfe可以设置在相对电极ce上。薄膜封装层tfe可以防止湿气和氧气从外部渗透。薄膜封装层tfe可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替堆叠。例如，薄膜封装层tfe可以包括两个无机层和设置在它们之间的一个有机层，但是实施方式不限于此。在另一实施方式中，可以提供密封衬底来代替薄膜封装层，以阻止外部空气和湿气渗入显示设备中。
82.光阻挡部bm和滤色器层cf可以设置在薄膜封装层tfe上。
83.光阻挡部bm可以包括用于阻挡光的材料。光阻挡部bm可以与无机绝缘层ino的开口区域oa以及像素限定层pdl重叠。
84.滤色器层cf可以包括与第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3的发光颜色相对应的红色、绿色和蓝色滤色器层。同时，当发光层el1、el2和el3具有不同的颜色时，滤色器层cf可以包括具有与发光层的颜色相对应的颜色的滤色器层。可以在100℃或更低的低温工艺中制造的低温滤色器可以用作滤色器层cf。低温滤色器可以通过使用有机材料制造，其中在约100℃或更低的温度下通过紫外线执行固化工艺。在这种情况下，滤色器层cf可以通过低温工艺直接形成在薄膜封装层tfe上。因此，不需要施加附加的偏振膜来改善室外可见性。
85.再次参考图4，在弯曲区域ba中，显示设备可以包括基础衬底100、无机绝缘层ino、第一有机绝缘图案ol1、绝缘层160、第二有机绝缘层ol2、第四导电图案con4、第三有机绝缘图案ol3、第四有机绝缘层ol4、像素限定层pdl和薄膜封装层tfe。
86.基础衬底100可以包括第一聚酰亚胺层101、第一屏障层102、第二聚酰亚胺层103和第二屏障层104。无机绝缘层ino可以包括缓冲层110、栅极绝缘层120、第一无机绝缘层130、第二无机绝缘层140和第三无机绝缘层150。
87.可以通过部分地去除无机绝缘层ino来形成弯曲开口，并且第一有机绝缘图案ol1可以设置在弯曲开口内。换言之，弯曲开口可以通过第三无机绝缘层150、第二无机绝缘层140、第一无机绝缘层130、栅极绝缘层120、缓冲层110和第二屏障层104来形成，并且弯曲开口可以填充有第一有机绝缘图案ol1和第二有机绝缘层ol2。
88.图5是示出根据本发明的实施方式的显示设备的剖视图。
89.参考图5，除了形成第三有机绝缘图案ol3的位置之外，该显示设备与图1至图4的显示设备基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。
90.显示设备可以包括基础衬底100、缓冲层110、第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3、栅极绝缘层120、栅电极层、第一无机绝缘层130、第一导电图案con1、第二无机绝缘层140、第二导电图案con2、第三无机绝缘层150、第三导电图案con3、第一有机绝缘图案ol1、绝缘层160、第四导电图案con4、第二有机绝缘层ol2、第三有机绝缘图案ol3、第四有机绝缘层ol4、第一像素电极pe1、第二像素电极pe2、第三像素电极pe3、像素限定层pdl、第一发光层el1、第二发光层el2、第三发光层el3、相对电极ce、薄膜封装层tfe、光阻挡部bm和滤色器层cf。
91.在这种情况下，第一像素电极pe1位于其中的第一子像素px1可以是红色子像素，第二像素电极pe2位于其中的第二子像素px2可以是绿色子像素，以及第三像素电极pe3位于其中的第三子像素px3可以是蓝色子像素。
92.与图1至图4的显示设备不同，该显示设备可以配置成使得第三有机绝缘图案ol3与第一像素电极pe1和第三像素电极pe3重叠并且不与第二像素电极pe2重叠。
93.图6是示出当不应用本发明的配置时柔性显示设备的反射色带的图。
94.参考图6，在没有应用本发明的配置的柔性显示设备的情况下，如图中所示，观察到反射色带。如图中所示，当柔性显示设备显示白色时，在上侧和左侧上观察到绿色反射带，以及在下侧和右侧上观察到蓝色反射带，使得柔性显示设备整体上呈现出不均匀的反射特性。
95.尽管未示出，但是发现，当应用本发明的配置时，不均匀的反射特性消失，并且没有观察到具有特定颜色的反射色带。
96.图7a和图7b是扫描电子显微镜(sem)照片，示出了当不应用本发明的配置时与柔性显示设备的第一子像素和第二子像素相对应的部分的区段。
97.根据图7a，发现由于设置在第一像素电极pe1的下部处的复杂布线结构，在第一像素电极pe1的下部处产生台阶。此外，根据图7b，发现由于设置在第二像素电极pe2的下部处的复杂的布线结构和设置在开口区域oa中的桥接电极，第二像素电极pe2的下部的台阶和倾斜度与第一像素电极pe1的下部的台阶和倾斜度总体上不同。
98.换言之，像素电极下方的布线结构可能是复杂的，并且可能由桥接电极等的结构引起红色、绿色和蓝色子像素的相应像素电极的下部的台阶和倾斜度的偏差，使得可以观察到具有特定颜色的反射色带。
99.根据本发明的实施方式，显示设备可以具有非对称结构，在该非对称结构中，第三有机绝缘图案设置在与至少一个子像素相对应的像素电极下方，并且第三有机绝缘图案不设置在与至少一个另一子像素相对应的像素电极下方，使得可以防止出现具有特定颜色的反射色带。
100.图8是示出根据本发明的实施方式的电子设备的框图，9a是示出其中图8的电子设备被实现为电视的示例的图，以及9b是示出其中图8的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
101.参考图8至图9b，电子设备500可以包括处理器510、存储器设备520、存储设备530、
输入/输出(i/o)设备540、电源550和显示设备560。这里，显示设备560可以是图1的显示设备10。此外，电子设备500还可以包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(usb)设备、其它电子设备等通信的多个端口。在实施方式中，如图9a中所示，电子设备500可以被实现为电视。在另一实施方式中，如图9b中所示，电子设备500可以被实现为智能电话。然而，电子设备500不限于此。例如，电子设备500可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板pc、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(hmd)设备等。
102.处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(cpu)、应用处理器(ap)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等联接到其它组件。此外，处理器510可以联接到诸如外围组件互连(pci)总线的扩展总线。存储器设备520可以存储用于电子设备500的操作的数据。例如，存储器设备520可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(eprom)设备、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)设备、快闪存储器设备、相变随机存取存储器(pram)设备、电阻随机存取存储器(rram)设备、纳米浮栅存储器(nfgm)设备、聚合物随机存取存储器(poram)设备、磁随机存取存储器(mram)设备、铁电随机存取存储器(fram)设备等的非易失性存储器设备和/或诸如动态随机存取存储器(dram)设备、静态随机存取存储器(sram)设备、移动dram设备等的易失性存储器设备。存储设备530可以包括固态驱动器(ssd)设备、硬盘驱动器(hdd)设备、cd-rom设备等。i/o设备540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标设备、触摸板、触摸屏等的输入设备和诸如打印机、扬声器等的输出设备。电源550可以为电子设备500的操作提供电力。
103.显示设备560可以经由总线或其它通信链路联接到其它组件。在一些实施方式中，显示设备560可以包括在i/o设备540中。如上所述，显示设备560可以具有非对称结构，在该非对称结构中，第三有机绝缘图案设置在与至少一个子像素相对应的像素电极下方，并且第三有机绝缘图案不设置在与至少一个另一子像素相对应的像素电极下方，使得可以防止出现具有特定颜色的反射色带。此外，可以在无机绝缘层中形成用于应力松弛的开口区域，并且该开口区域可以填充有包括有机绝缘材料的层，使得可以防止由无机绝缘层中的应力引起的裂纹或撕裂。然而，由于上面描述了这些内容，因此将不再重复与其相关的重复描述。
104.工业实用性
105.本发明可以应用于有机发光显示设备和包括该有机发光显示设备的电子设备。例如，本发明可以应用于蜂窝电话、智能电话、视频电话、智能板、智能手表、平板pc、汽车导航系统、电视、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(hmd)装置、mp3播放器等。
106.前面的描述是实施方式的说明，而不是被解释为对其的限制。尽管已经描述了几个实施方式，但是本领域中的技术人员将容易理解，在实质上不背离本发明的新颖教导和优点的情况下，实施方式中能够有许多修改。因此，所有这些修改旨在包括在如权利要求中所限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，前面的描述是各种实施方式的说明，而不是被解释为限于所公开的特定实施方式，并且对所公开的实施方式以及其它实施方式的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。
107.参考标记的描述
108.100：基础衬底
109.110：缓冲层
110.120：栅极绝缘层
111.130：第一无机绝缘层
112.140：第二无机绝缘层
113.150：第三无机绝缘层
114.160：绝缘层
115.tft1、tft2、tft3：第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管
116.ol1：第一有机绝缘图案
117.ol2：第二有机绝缘层
118.ol3：第三有机绝缘图案
119.ol4：第四有机绝缘层
120.pdl：像素限定层
121.pe1、pe2、pe3：第一像素电极至第三像素电极
122.el1、el2、el3：第一发光层至第三发光层