技术特征：
1.一种半导体处理设备，包括：热传导基板支撑件，所述热传导基板支撑件包括主网和次网；热传导轴，所述热传导轴包括传导杆，其中所述传导杆耦合至所述次网；以及连接组件，所述连接组件经配置以将所述次网电耦合至所述主网。2.如权利要求1所述的半导体处理设备，进一步包括rf发生器，所述rf发生器耦合至所述传导杆。3.如权利要求2所述的半导体处理设备，其中由所述rf发生器所产生的电流从所述次网散布至所述主网。4.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中所述主网经配置以作为静电吸附电极。5.一种半导体处理设备，包括：热传导基板支撑件，所述热传导基板支撑件包括主网和次网，其中所述次网在所述主网下方间隔开；热传导轴，所述热传导轴包括传导杆，其中所述传导杆通过焊接接头来耦合至所述次网；以及连接组件，所述连接组件包括多个金属柱，其中所述多个金属柱中的每一个经配置以经由连接结将所述次网电耦合至所述主网。6.如权利要求5所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱中的每一个的直径小于所述传导杆的直径。7.如权利要求6所述的半导体处理设备，其中所述金属柱中的每一个具有比所述传导杆的横截面面积要小的横截面面积。8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其中所述连接结具有比所述焊接接头要小的接触面积。9.如权利要求5所述的半导体处理设备，进一步包括rf发生器，所述rf发生器耦合至所述传导杆。10.如权利要求9所述的半导体处理设备，其中由所述rf发生器所产生的电流均等地穿过所述多个金属柱中的每一个来散布。11.如权利要求10所述的半导体处理设备，其中穿过所述多个金属柱中的每一个的所述电流比由所述rf发生器所产生的所述电流要小至少两倍。12.如权利要求5所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱包括至少两个金属柱。13.如权利要求5所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱由ni制成。14.一种半导体处理设备，包括：热传导基板支撑件，所述热传导基板支撑件包括主网、次网、以及加热元件，其中所述次网在所述主网下方间隔开；热传导轴，所述热传导轴包括传导杆，其中所述传导杆通过焊接接头来耦合至所述次网；连接组件，所述连接组件包括多个金属柱，其中所述多个金属柱中的每一个经配置以经由连接结将所述次网电耦合至所述主网并且被物理耦合至所述次网；射频(rf)功率源，所述射频(rf)功率源经配置以将rf功率分配至所述次网和所述主网；以及
交流电(ac)功率源，所述交流电(ac)功率源经配置以将ac功率分配至所述加热元件。15.如权利要求14所述的半导体处理设备，进一步包括rf发生器，所述rf发生器耦合至所述传导杆。16.如权利要求15所述的半导体处理设备，其中由所述rf发生器所产生的电流均等地穿过所述多个金属柱中的每一个来散布。17.如权利要求16所述的半导体处理设备，其中穿过所述多个金属柱中的每一个的所述电流比由所述rf发生器所产生的所述电流要小至少两倍。18.如权利要求14所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱包括至少两个金属柱。19.如权利要求14所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱由mo制成。20.如权利要求14所述的半导体处理设备，其中所述主网经配置以作为静电吸附电极。
技术总结
本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。会在正被处理的基板上引起局部热点。会在正被处理的基板上引起局部热点。
技术研发人员：李建 V
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.08.07
技术公布日：2022/4/8