技术特征：
1.一种处理方法，所述方法包括：在处理腔室的壁上沉积一厚度的集气剂材料；以及在所述处理腔室中使用等离子体蚀刻基板，以移除原生氧化物并且形成经清洁的基板，其中蚀刻所述基板释放释气分子，所述释气分子化学地结合至所述集气剂材料。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述经清洁的基板上沉积阻挡层。3.如权利要求2所述的方法，其中所述阻挡层包括钛(ti)或铜(cu)中的一者或多者。4.如权利要求1所述的方法，其中所述集气剂材料包括钛、钡或铈中的一者或多者。5.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述集气剂材料包括溅射工艺。6.如权利要求5所述的方法，其中所述溅射工艺包括将遮盘暴露于等离子体。7.如权利要求6所述的方法，其中所述遮盘包括钛、钡或铈中的一者或多者。8.如权利要求6所述的方法，进一步包括将所述遮盘移动至缓冲站和将所述基板定位在所述处理腔室中。9.如权利要求1所述的方法，其中所述释气分子包括氧(o2)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)或水(h2o)中的一者或多者。10.如权利要求1所述的方法，其中所述集气剂材料的所述厚度大于或等于约10nm。11.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体包括氩(ar)或氦(he)中的一者或多者。12.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括铝(al)、铜(cu)、氧化物层或聚合物层中的一者或多者。13.如权利要求1所述的方法，其中来自所述基板的co释气的量减少至小于或等于来自无所述集气剂材料的处理腔室中的基板的co释气的约10％。14.一种处理工具，包括：预清洁腔室，所述预清洁腔室具有在所述预清洁腔室中的基板支撑件；缓冲站；机器人，所述机器人经配置以进出所述预清洁腔室和所述缓冲站；以及控制器，所述控制器连接至所述预清洁腔室、所述缓冲站和所述机器人，所述控制器具有选自以下项的一个或多个配置：沉积集气剂材料、蚀刻基板、或者沉积阻挡层。15.如权利要求14所述的处理工具，其中所述缓冲站在所述预清洁腔室内。16.如权利要求14所述的处理工具，其中所述缓冲站在相邻于所述预清洁腔室的腔室中。17.如权利要求14所述的处理工具，进一步包括至少一个狭缝阀，用于进出所述预清洁腔室和所述缓冲站。18.如权利要求14所述的处理工具，其中所述控制器包括中央处理单元(cpu)、存储器、输入/输出(i/o)、或支持电路中的一者或多者。19.一种非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质包括多个指令，所述多个指令在由处理腔室的控制器执行时使所述处理腔室执行以下操作：在所述处理腔室的壁上沉积集气剂材料；以及在所述处理腔室中使用等离子体蚀刻基板。
20.如权利要求19所述的非暂态计算机可读介质，其中沉积集气剂材料包括将包括所述集气剂材料的遮盘暴露于等离子体和溅射所述集气剂材料。
技术总结
描述用于物理气相沉积(PVD)的包括钛(Ti)、钡(Ba)、或铈(Ce)中的一者或多者的遮盘，所述遮盘允许粘贴以在基板的蚀刻期间最小化释气和控制缺陷。所述遮盘合并集气剂材料，所述集气剂材料对于包括O2、CO、CO2、和水的反应气体分子具有高度选择性。气体分子具有高度选择性。气体分子具有高度选择性。
技术研发人员：张康 魏俊琪 欧岳生 K
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.09.03
技术公布日：2022/4/13