技术特征：
1.一种发光装置，所述发光装置发出第1光，其中，所述第1光在630～680nm的波长区域具有第1峰值波长，在430nm～480nm的波长区域具有第2峰值波长，在380nm～430nm的波长区域具有第3峰值波长，所述第1光在将所述第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，所述第1峰值波长处的相对光强度为0.05～0.35，所述第3峰值波长处的相对光强度为0.25～0.45，所述第1光在从480nm到所述第1峰值波长的波长区域，具有光强度的第1极小值。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置具备：发出具有所述第3峰值波长的第2光的发光元件；将所述第2光变换成具有所述第1峰值波长的光的第1荧光体；和将所述第2光变换成具有所述第2峰值波长的光的第2荧光体。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在所述第1光中，630～680nm的波长区域中的第1发光光谱的第1光谱分布相对于350～800nm的波长区域中的发光光谱的发光光谱分布的比例为3～10％。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其中，在所述第1光中，430～480nm的波长区域中的第2发光光谱的第2光谱分布相对于350～800nm的波长区域中的发光光谱的发光光谱分布的比例为40～50％。5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其中，所述第1光进一步在680nm～710nm的波长区域具有第4峰值波长，在所述第1光中，在将所述第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，所述第4峰值波长处的相对光强度为0.05～0.35。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述第4峰值波长处的半值宽度为第1峰值波长处的半值宽度的1/3以下。7.根据权利要求5或6所述的发光装置，其中，所述第4峰值波长的相对光强度相对于所述第1峰值波长的相对光强度为0.7以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的发光装置，其中，在所述第1光中，380～430nm的波长区域中的发光光谱的第3光谱分布相对于350～800nm的波长区域中的发光光谱的发光光谱分布的比例为8～10％。9.根据权利要求1～8中任一项所述的发光装置，其中，在所述第1光中，在将所述第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，所述第1极小值处的相对光强度为0.05～0.1。10.根据权利要求1～9中任一项所述的发光装置，其中，所述第1光在所述第2峰值波长与所述第3峰值波长之间具有光强度的第2极小值，在所述第1光中，在将所述第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，所述第2极小值处的相对光强度为0.1～0.2。11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述第2极小值处的相对光强度比所述第1极小值处的相对光强度大。12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光装置，其中，
在所述第1光中，350～800nm的波长范围中的光强度在所述第2峰值波长处最大。13.根据权利要求1～12中任一项所述的发光装置，其中，在所述第1光中，430～550nm的波长范围中的发光光谱的形状以所述第2峰值波长为中心，是非对称的。14.根据权利要求1～13中任一项所述的发光装置，其中，在所述第1光中，430～550nm的波长区域中的发光光谱的第4光谱分布相对于350～800nm的波长区域中的发光光谱的发光光谱分布的比例为65～80％。15.一种照明装置，具备至少一个权利要求1～14中任一项所述的发光装置。16.根据权利要求15所述的照明装置，其中，所述照明装置还具备：调整所述发光装置的发光强度的控制部。
技术总结
本公开的一实施方式所涉及的发光装置发出第1光，该第1光在630～680nm的波长区域具有第1峰值波长，在430nm～480nm的波长区域具有第2峰值波长，在380nm～430nm的波长区域具有第3峰值波长。第1光在将第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，第1峰值波长处的相对光强度为0.05～0.35，第3峰值波长处的相对光强度为0.25～0.45。第1光在从480nm到第1峰值波长的波长区域，具有光强度的第1极小值。具有光强度的第1极小值。具有光强度的第1极小值。
技术研发人员：草野民男 横井清孝
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：2020.10.15
技术公布日：2022/5/31