技术特征：
1.一种形成组合件的方法，其包括：在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠；所述第一阶层及所述第二阶层分别包括第一材料及绝缘第二材料；形成延伸穿过所述第一堆叠的第一开口；用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的侧壁；将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料；在所述第一开口内形成牺牲材料；在所述第一堆叠上方且在所述牺牲材料上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠；所述第三阶层及所述第四阶层分别包括第三材料及绝缘第四材料；形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口；用第二内衬材料加衬里于所述第二开口的侧壁；将所述第二内衬材料转化为第二电荷阻挡材料；移除所述牺牲材料；形成邻近所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料的电荷存储材料；形成邻近所述电荷存储材料的电介质材料；形成邻近所述电介质材料的沟道材料；及用一或多种导电材料取代所述第一材料及所述第三材料中的至少一些。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包含拉伸应力材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料填充所述第一开口的容积的至少约90％。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料填充所述第一开口的容积的约100％。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括一或多种高k氧化物。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括氧化铝、氧化铪及氧化锆中的一或多者。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括氧化铝。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述氧化铝上方形成罩盖材料层。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述罩盖材料包括硅酸盐玻璃。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述罩盖材料包括硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃及氟硅酸盐玻璃中的一或多者。11.根据权利要求2所述的方法，其中所述拉伸应力材料包括钨。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料是彼此相同的组合物。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料包括氮化硅。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料包括sion，其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料在可检测位置处彼此结合。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料及所述第三材料是彼此相同的组合物。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘第二材料及所述绝缘第四材料是彼此相同的组合物。18.一种形成组合件的方法，其包括：在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠；形成延伸穿过所述第一堆叠且到所述导电结构的上表面的第一开口；用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的外围，所述第一内衬材料沿着所述第一开口的侧壁且沿着所述导电结构的上表面；化学更改所述第一内衬材料以将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料；在所述第一开口内且沿着所述第一电荷阻挡材料形成牺牲材料；在所述第一堆叠上方且在所述牺牲材料上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠；形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口；用第二内衬材料加衬里于所述第二开口的侧壁；化学更改所述第二内衬材料以将所述第二内衬材料转化为第二电荷阻挡材料；移除所述牺牲材料；在移除所述牺牲材料之后，形成沿着所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料的电荷存储材料；形成沿着所述电荷存储材料的电介质材料；击穿沿着所述导电结构的所述上表面的所述第一电荷阻挡材料；在击穿所述第一电荷阻挡材料之后，形成沿着所述电介质材料且与所述导电结构电耦合的沟道材料；及在所述第一阶层及所述第三阶层内形成一或多种导电材料。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料的所述化学更改包括所述第一内衬材料及所述第二内衬材料的氧化。20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料包括彼此相同的组合物。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料包括氮化硅。22.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一内衬材料及所述第二内衬材料包括相对于彼此不同的组合物。23.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料包括sion，其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。24.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一电荷阻挡材料及所述第二电荷阻挡材料沿着可检测界面彼此结合。25.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一开口具有延伸到所述第一堆叠下方的横向区；且其中所述电荷存储材料、所述电介质材料及所述沟道材料延伸到所述横向区中。26.一种集成组合件，其包括：
第一层叠，其具有布置成安置于彼此顶上的第一阶层的第一存储器胞元；第二层叠，其在所述第一层叠上方；所述第二层叠具有布置成安置于彼此顶上的第二阶层的第二存储器胞元；电荷阻挡结构，其沿着所述第一层叠及所述第二层叠延伸；所述电荷阻挡结构具有沿着所述第一层叠的第一区及沿着所述第二层叠的第二区，且具有其中所述第一区结合到所述第二区的可检测位置；及柱，其穿过所述第一层叠及所述第二层叠且邻近所述电荷阻挡结构；所述柱包括邻近所述电荷阻挡结构的电荷存储材料、邻近所述电荷存储材料的电介质材料，及邻近所述电介质材料的沟道材料。27.根据权利要求26所述的集成组合件，其中所述电荷阻挡结构的所述第一区及所述第二区包括彼此相同的组合物且包括相对于彼此不同的横向厚度。28.根据权利要求27所述的集成组合件，其中所述电荷阻挡结构的所述第一区及所述第二区的所述横向厚度在从约到约的范围内。29.根据权利要求26所述的集成组合件，其中所述电荷阻挡结构的所述第一区及所述第二区包括相对于彼此不同的组合物。30.根据权利要求26所述的集成组合件，其中所述电荷阻挡结构的所述第一区及所述第二区包括sion，其中所述化学式指示主要成分而非特定化学计量。31.根据权利要求26所述的集成组合件，其中：所述第一层叠在导电结构上方；所述沟道材料与所述导电结构电耦合；凹部在所述第一层叠与所述导电结构之间；及所述导电柱的所述电荷存储材料、所述电介质材料及所述沟道材料延伸到所述凹部中。32.根据权利要求31所述的集成组合件，其中所述导电结构包括导电掺杂硅，且其中所述沟道材料直接抵靠所述导电结构的所述导电掺杂硅。33.根据权利要求26所述的集成组合件，其中所述电荷存储材料包括氮化硅。
技术总结
一些实施例包含一种形成组合件的方法。在导电结构上方形成交替第一阶层及第二阶层的第一堆叠。形成延伸穿过所述第一堆叠的第一开口。用第一内衬材料加衬里于所述第一开口的侧壁。将所述第一内衬材料转化为第一电荷阻挡材料。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上方形成交替第三阶层及第四阶层的第二堆叠。形成延伸穿过所述第二堆叠而到所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第二内衬材料，对其进行各向异性蚀刻，且接着将其转化为第二电荷阻挡材料。移除所述牺牲材料。形成邻近于所述电荷阻挡材料的电荷存储材料、电介质材料及沟道材料。一些实施例包含集成组合件。合件。合件。
技术研发人员：张佩琼 徐志鑫 方昀
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.11.03
技术公布日：2022/7/29