技术特征：
1.光传感器装置，其包括：基板；以及设置于基板上的像素区域处的第1晶体管、第2晶体管和第1遮光层，所述第1晶体管包括：设置于所述基板上的第1多晶硅层；设置于所述第1多晶硅层上的第1绝缘膜；设置于所述第1绝缘膜上且具有与所述第1多晶硅层重叠的区域的第1栅电极；设置于所述第1栅电极上的第2绝缘膜和第3绝缘膜；以及经由设置于所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜的开口部而与所述第1多晶硅层电连接的第1源电极和第1漏电极，所述第2晶体管包括：设置于所述第2绝缘膜上的氧化物半导体层；设置于所述氧化物半导体层上的所述第3绝缘膜；设置于所述第3绝缘膜上的第2栅电极；设置于所述第2栅电极上的第4绝缘膜；以及经由设置于所述第4绝缘膜的开口部而与所述氧化物半导体层电连接的第2源电极和第2漏电极，所述第1遮光层设置于所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜之间，具有与所述氧化物半导体层重叠的区域。2.根据权利要求1所述的光传感器装置，其中，所述第1源电极和所述第1漏电极中的一者与所述第2源电极和所述第2漏电极中的一者电连接。3.根据权利要求1所述的光传感器装置，其还具有设置于所述基板上的电容元件，所述电容元件由设置于所述第3绝缘膜上的第1电极、所述第4绝缘膜、和设置于所述第4绝缘膜上的第2电极构成。4.根据权利要求3所述的光传感器装置，其中，所述第2源电极和所述第2漏电极中的另一者与所述第2电极电连接。5.根据权利要求1所述的光传感器装置，其中，所述第1栅电极是由与所述第1遮光层相同的导电材料构成的。6.根据权利要求1所述的光传感器装置，其中，所述第1源电极和所述第1漏电极是由与所述第2栅电极相同的导电材料构成的。7.根据权利要求3所述的光传感器装置，其中，在所述第1晶体管和所述第2晶体管为截止状态的情况下，根据从所述基板侧入射至所述第1多晶硅层的光的光量对在所述电容元件中蓄积的电荷的量进行控制。8.根据权利要求7所述的光传感器装置，其中，在所述第1晶体管为截止状态的情况下，通过使所述第2晶体管从截止状态变为导通状态，读取蓄积在所述电容元件中的电荷。9.根据权利要求4所述的光传感器装置，其中，在设置于所述基板上且设置于所述像素区域的外围的驱动电路处，还具有第3晶体管，所述第3晶体管包括：
设置于所述基板上的第2遮光层；设置于所述第2遮光层上的第5绝缘膜；设置于所述第5绝缘膜上且具有与所述第2遮光层重叠的区域的第2多晶硅层；设置于所述第2多晶硅层上的所述第1绝缘膜；设置于所述第1绝缘膜上且具有与所述第2多晶硅层重叠的区域的第3栅电极；设置于所述第3栅电极上的所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜；以及经由设置于所述第2绝缘膜和所述第3绝缘膜的开口部而与所述第2多晶硅层电连接的第3源电极和第3漏电极。10.根据权利要求9所述的光传感器装置，其中，所述第2遮光层设置于比所述第1遮光层更靠下层。
技术总结
光传感器装置包括：基板；以及设置于基板上的像素区域处的作为受光元件发挥功能的第1晶体管，和写入/读取用的第2晶体管。第1晶体管由使用多晶硅的晶体管形成，第2晶体管由使用氧化物半导体的晶体管形成。在第2晶体管的氧化物半导体的背面侧设置遮光层。由此，能够长时间地对光传感器装置照射光，因此能够使第1晶体管的受光量增加，并且能够抑制第2晶体管的特性变动。的特性变动。的特性变动。
技术研发人员：津吹将志
受保护的技术使用者：株式会社日本显示器
技术研发日：2020.10.27
技术公布日：2022/7/22