技术特征：
1.一种集成组合件，其包括：第一及第二支柱；所述支柱中的每一者沿横截面具有面向介于所述支柱之间的区的内边缘及与所述内边缘相对的外边缘；所述第一支柱具有第一上源极/漏极区、第一下源极/漏极区及介于所述第一上源极/漏极区与所述第一下源极/漏极区之间的第一沟道区；所述第二支柱具有第二上源极/漏极区、第二下源极/漏极区及介于所述第二上源极/漏极区与所述第二下源极/漏极区之间的第二沟道区；屏蔽线，其在介于所述第一支柱与所述第二支柱之间的所述区中；第一栅极，其靠近所述第一沟道区；第二栅极，其靠近所述第二沟道区；数字线，其在所述第一及第二支柱下面并且与所述第一及第二下源极/漏极区电耦合；第一底部电极，其与所述第一上源极/漏极区电耦合；所述第一底部电极经配置为第一角板；所述第一角板具有邻近所述第一上源极/漏极区的第一水平区段并且具有从所述第一水平区段向上延伸的第一竖直区段；第二底部电极，其与所述第二上源极/漏极区电耦合；所述第二底部电极经配置为第二角板；所述第二角板具有邻近所述第二上源极/漏极区的第二水平区段并且具有从所述第二水平区段向上延伸的第二竖直区段；绝缘材料，其在所述第一及第二底部电极上方；及顶部电极，其在所述绝缘材料上方。2.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述第一竖直区段比所述第一水平区段更长，且其中所述第二竖直区段比所述第二水平区段更长。3.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述绝缘材料为非铁电的。4.根据权利要求0所述的集成组合件，其中所述绝缘材料为铁电绝缘材料。5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一底部电极、所述顶部电极的第一区及所述铁电绝缘材料的第一区经配置为第一铁电电容器；所述第二底部电极、所述顶部电极的第二区及所述铁电绝缘材料的第二区经配置为第二铁电电容器；第一存取晶体管包括所述第一支柱及邻近所述第一支柱的所述第一栅极的区，并且将所述第一铁电电容器与所述数字线门控地耦合；第二存取晶体管包括所述第二支柱及邻近所述第二支柱的所述第二栅极的区，并且将所述第二铁电电容器与所述数字线门控地耦合；所述第一存取晶体管及所述第一铁电电容器经配置为第一存储器单元；所述第二存取晶体管及所述第二铁电电容器经配置为第二存储器单元；所述第一及第二存储器单元是存储器阵列的许多大体上等同存储器单元中的两者；所述第一及第二栅极是跨越所述存储器阵列延伸的许多大体上等同栅极中的两者；所述数字线是跨越所述存储器阵列延伸的许多大体上等同数字线中的一者；且所述存储器单元中的每一者由所述栅极中的一者结合所述数字线中的一者唯一寻址。6.根据权利要求4所述的集成组合件，其中所述铁电绝缘材料直接抵靠所述第一及第二底部电极。
7.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一及第二竖直区段中的每一者沿所述横截面具有面向所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间的区的内表面，及与所述内表面相对的外表面；且所述铁电绝缘材料沿所述第一及第二竖直区段的所述内及外表面两者。8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一竖直区段具有从所述第一竖直区段的所述内表面延伸到所述第一竖直区段的所述外表面的第一侧壁表面；其中所述第二竖直区段具有从所述第二竖直区段的所述内表面延伸到所述第二竖直区段的所述外表面的第二侧壁表面；其中所述数字线沿第一方向延伸；且进一步包括沿所述第一方向延伸并且直接邻近所述第一及第二侧壁表面的上区的绝缘结构。9.根据权利要求8所述的集成组合件，其中间隙在所述绝缘结构下方，且其中所述铁电绝缘材料延伸到所述间隙中。10.根据权利要求8所述的集成组合件，其中所述绝缘结构包含氮化硅。11.根据权利要求4所述的集成组合件，其中：所述第一及第二竖直区段中的每一者沿所述横截面具有面向所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间的区的内表面，及与所述内表面相对的外表面；且所述铁电绝缘材料是沿所述第一及第二竖直区段的所述内表面，而不是沿所述第一及第二竖直区段的所述外表面。12.根据权利要求11所述的集成组合件，其进一步包括介于所述第一竖直区段与所述第二竖直区段之间并且直接抵靠所述第一及第二竖直区段的所述内表面的绝缘团块。13.根据权利要求12所述的集成组合件，其中所述绝缘团块包括二氧化硅及氮化硅中的一或两者。14.根据权利要求12所述的集成组合件，其进一步包括：第一泄漏装置，其将所述第一底部电极与所述顶部电极耦合；及第二泄漏装置，其将所述第二底部电极与所述顶部电极耦合。15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括ti、ni及nb中的一或多者结合ge、si、o、n及c中的一或多者。16.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括si、ge、sin、tisin、tio、tin、nio、nion及tion中的一或多者；其中所述化学式指示主要组分而不是特定的化学计量。17.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括钛、氧及氮。18.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述泄漏装置包括沿所述绝缘团块的竖直延伸区段。19.根据权利要求18所述的集成组合件，其中所述竖直延伸区段具有在从约到约的范围内的水平厚度。20.一种形成集成组合件的方法，其包括：形成构造，其具有半导体材料的第一及第二支柱，并且沿横截面具有介于所述第一支柱与所述第二支柱之间的第一及第二栅极；所述第一栅极邻近所述第一支柱，且所述第二栅极邻近所述第二支柱；所述第一及第二支柱分别具有第一及第二源极/漏极区；所述构造包含在所述栅极上方及介于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的第一绝
缘材料；所述构造的上表面跨越所述第一绝缘材料及所述第一及第二源极/漏极区延伸；在所述上表面上方形成掩模结构；所述掩模结构沿所述横截面具有一对侧壁；所述掩模结构在所述绝缘材料正上方且不覆盖所述第一及第二源极/漏极区；沿所述掩模结构及沿所述第一及第二源极/漏极区共形地形成底部电极材料；将所述底部电极材料图案化为在所述第一源极/漏极区上方的第一底部电极结构及在所述第二源极/漏极区上方的第二底部电极结构；所述第一底部电极结构具有沿所述掩模结构的所述侧壁中的一者的第一竖直区段、沿所述第一源极/漏极区的第一水平区段及将所述第一竖直区段接合到所述第一水平区段的第一拐角；所述第二底部电极结构具有沿所述掩模结构的所述侧壁中的另一者的第二竖直区段、沿所述第二源极/漏极区的第二水平区段及将所述第二竖直区段接合到所述第二水平区段的第二拐角；在所述第一及第二底部电极结构上方形成第二绝缘材料；及在所述第二绝缘材料上方形成顶部电极材料。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一及第二拐角各自为约90
°
。22.根据权利要求20所述的方法，其中所述第二绝缘材料为非铁电的。23.根据权利要求20所述的方法，其中所述第二绝缘材料是铁电绝缘材料。24.根据权利要求23所述的方法，其进一步包括在形成所述铁电绝缘材料之前移除所述掩模结构。25.根据权利要求24所述的方法，其包括在移除所述绝缘掩模结构之前，沿着并且直接抵靠所述第一及第二竖直区段的上区形成绝缘结构。26.根据权利要求25所述的方法，其中所述绝缘结构包括氮化硅。27.根据权利要求25所述的方法，其中间隙在所述绝缘结构下方，且其中所述铁电绝缘材料延伸到所述间隙中。28.根据权利要求23所述的方法，其中所述掩模结构经图案化为绝缘块，并且进一步包括在所述绝缘块上方形成所述铁电绝缘材料。29.根据权利要求28所述的方法，其中所述掩模结构包括二氧化硅及氮化硅中的一或两者。30.根据权利要求23所述的方法，其中所述铁电绝缘材料包括锆、氧化锆、铌、氧化铌、铪、氧化铪、钛酸锆铅及钛酸锶钡中的一或多者。31.根据权利要求30所述的方法，其中所述铁电绝缘材料进一步包含包括硅、铝、镧、钇、铒、钙、镁及锶中的一或多者的掺杂剂。32.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括在对所述底部电极材料进行图案化之前在所述底部电极材料上方形成氮化硅。33.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括在对所述底部电极材料进行图案化之前在所述底部电极材料上方形成氧化物。34.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括在对所述底部电极材料进行图案化之前在所述底部电极材料上方形成抗蚀剂。35.根据权利要求34所述的方法，其进一步包括形成与所述底部电极材料耦合的泄漏装置材料。36.根据权利要求35所述的方法，其中所述泄漏装置材料包括si、ge、sin、tisin、tio、
tin、nio、nion及tion中的一或多者；其中所述化学式指示主要组分而不是特定的化学计量。37.一种形成集成组合件的方法，其包括：形成具有半导体材料的支柱的构造；所述支柱中的每一者竖直延伸并且具有上源极/漏极区、下源极/漏极区及介于所述上源极/漏极区与所述下源极/漏极区之间的沟道区；所述构造包含介于所述上源极/漏极区之间的绝缘材料；所述构造的上表面跨越所述绝缘材料及所述上源极/漏极区延伸；所述构造包含在所述支柱下方并且与所述底部源极/漏极区耦合的数字线，所述数字线在第一方向上延伸；所述构造包含在所述支柱旁边并且在第二方向上延伸的栅极；所述支柱中的每一者由所述栅极中的一者及所述数字线中的一者唯一寻址；所述构造包含在所述支柱旁边并且沿与所述栅极相同的方向延伸的屏蔽线；所述支柱中的每一者具有邻近于所述屏蔽线中的一者的一侧及邻近于所述栅极的一者的与所述一侧成相对关系的另一侧；所述构造沿横截面包含所述支柱中的四者、所述栅极中的四者及所述屏蔽线中的一者的布置；所述支柱中的所述四者按横向顺序为所述支柱中的第一者、第二者、第三者及第四者；栅极中的所述四者按横向顺序为所述栅极中的第一者、第二者、第三者及第四者；所述第一及第二栅极介于所述第一支柱与所述第二支柱之间；所述第三及第四栅极介于所述第三与第四支柱之间；所述屏蔽线中的所述一者介于所述第二支柱与所述第三支柱之间；形成在所述构造的所述上表面上方并且沿所述第二方向延伸的掩模结构；所述掩模结构中的第一者在所述第一及第二栅极上方，且所述掩模结构中的第二者在所述第三及第四栅极上方；沿所述掩模结构及沿未被所述掩模结构覆盖的所述构造的所述上表面的区共形地形成底部电极材料；将所述底部电极材料图案化为具有沿所述掩模结构的竖直区段及具有沿所述上表面的水平区段的角板；沿所述横截面的所述角板中的四者为所述角板中的第一者、第二者、第三者及第四者；所述第一、第二、第三及第四角板的水平区段分别直接抵靠所述第一、第二、第三及第四支柱的所述上源极/漏极区；在所述角板上方且直接抵靠所述角板形成绝缘材料；及形成在所述绝缘材料上方且跨越所述角板延伸的顶部电极材料。38.根据权利要求37所述的方法，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。39.根据权利要求38所述的方法，其进一步包括在形成所述铁电绝缘材料之前移除所述掩模结构。40.根据权利要求39所述的方法，其包括在移除所述掩模结构之前，沿着并且直接抵靠所述角板的所述竖直区段的上区形成绝缘结构。41.根据权利要求40所述的方法，其中所述绝缘结构沿所述第二方向延伸。42.根据权利要求38所述的方法，其中掩模结构经图案化为绝缘团块，且其中所述铁电绝缘材料形成在所述绝缘团块上方。43.根据权利要求38所述的方法，其中：所述角板的所述竖直区段相对于所述掩模结构的上区凹入；沿所述掩模结构的所述上区形成泄漏装置材料；
所述铁电绝缘材料形成在所述泄漏装置材料上方及所述掩模结构上方，以及在所述角板的所述水平区段上方；平坦化以移除所述铁电绝缘材料的部分并且暴露邻近所述掩模结构的所述泄漏装置材料的区，同时将所述铁电绝缘材料的其它区留在所述角板的所述水平区段上方；且所述顶部电极材料直接抵靠所述泄漏装置材料的所述经暴露区及所述铁电绝缘材料的所述其它区而形成。
技术总结
一些实施例包含具有第一及第二支柱的组合件。所述支柱中的每一者具有内边缘及外边缘。第一栅极靠近所述第一支柱的沟道区。第二栅极靠近所述第二支柱的沟道区。屏蔽线介于所述第一支柱与所述第二支柱之间。第一及第二底部电极分别在所述第一及第二支柱上方；并且经配置为第一及第二角板。绝缘材料在所述第一及第二底部电极上方。所述绝缘材料可为铁电的或非铁电的。顶部电极在所述绝缘材料上方。一些实施例包含形成组合件的方法。实施例包含形成组合件的方法。实施例包含形成组合件的方法。
技术研发人员：G
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.12.20
技术公布日：2022/8/19