技术特征：
1.一种系统，包括：具有顶表面、底表面和侧表面的硅背板；所述硅背板的顶表面上的金属连接器阵列；围绕所述硅背板的侧表面的衬底，所述衬底具有顶表面、底表面和侧表面；所述硅背板的顶表面和所述衬底的顶表面上的第一重分布层；所述硅背板的底表面和所述衬底的底表面上的第二重分布层；以及至少一个通孔，在所述第一重分布层和所述第二重分布层之间延伸穿过所述衬底并且填充有金属材料。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一重分布层包括：至少一个第一介电层，和至少一个第一金属层，所述至少一个第一金属层从所述硅背板的周边区域朝向所述衬底的侧表面延伸，并且具有从至少一个介电层暴露的至少一部分，以形成至少一个接合焊盘。3.根据权利要求2所述的系统，进一步包括电耦合到所述至少一个接合焊盘的至少一个无源部件。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二重分布层包括：至少一个第二介电层，以及至少一个第二金属层，所述至少一个第二金属层从硅背板的周边区域向衬底的侧表面延伸，并且具有从至少一个介电层暴露的至少一部分，以形成至少一个接合焊盘。5.根据权利要求4所述的系统，进一步包括在中心区域中电耦合和热耦合到所述硅背板的底表面的金属层，所述金属连接器与所述第二重分布层间隔开。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述金属连接器阵列是铜柱凸块阵列。7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括电耦合到所述金属连接器阵列的发光二极管（led）阵列。8.根据权利要求7所述的系统，其中所述led阵列是单片led阵列。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述单片led阵列包括多个发射器，所述多个发射器中的每一个具有100μm或更小的宽度。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述多个发射器布置成行和列，并且相邻行和列之间的通道具有20μm或更小的宽度。11.根据权利要求1所述的系统，其中所述衬底包括模制材料。12.根据权利要求1所述的系统，其中所述硅背板是互补金属氧化物半导体（cmos）集成电路。13.根据权利要求1所述的系统，其中所述硅背板是专用集成电路（asic）。14.一种车辆头灯系统，包括：至少一个传感器；控制器，通信地耦合到所述至少一个传感器；发光二极管（led）驱动器；以及主动式头灯，通信地耦合到所述控制器并且电耦合到所述led驱动器，所述主动式头灯
包括：具有顶表面、底表面和侧表面的硅背板，围绕所述硅背板的侧表面的衬底，所述衬底具有顶表面、底表面和侧表面，所述硅背板的顶表面和所述衬底的顶表面上的重分布层，所述重分布层包括至少一个介电层和至少一个金属层，所述至少一个金属层从所述硅背板的周边区域朝向所述衬底的侧表面延伸，并且具有从所述至少一个介电层暴露的至少一部分，以形成至少一个接合焊盘，所述硅背板的顶表面上的led阵列。15.根据权利要求14所述的系统，其中所述至少一个传感器、所述控制器和所述驱动器中的至少一个包括至少一个无源元件，并且所述至少一个无源元件电耦合到所述至少一个接合焊盘。16.根据权利要求15所述的系统，其中：所述主动式头灯进一步包括电耦合和热耦合到所述硅背板的底表面的金属层，并且所述系统进一步包括电耦合和热耦合到所述金属层的电路板。17.根据权利要求16所述的系统，其中所述至少一个无源元件包括多个无源元件，并且所述多个无源元件中的至少一个在所述电路板上。18.根据权利要求14所述的系统，其中所述led阵列是包括多个发射器的单片led阵列，所述多个发射器中的每一个具有100μm或更小的宽度。19.根据权利要求18所述的系统，其中所述多个发射器布置成行和列，并且相邻行和列之间的通道具有20μm或更小的宽度。
技术总结
描述了LED照明系统和车辆头灯系统。一种LED照明系统，包括具有顶表面、底表面和侧表面的硅背板和围绕硅背板的侧表面的衬底，所述衬底具有顶表面、底表面和侧表面。第一重分布层设置在硅背板的顶表面和衬底的顶表面上。第二重分布层设置在硅背板的底表面和衬底的底表面上。至少一个通孔在第一重分布层和第二重分布层之间延伸穿过衬底，并且填充有金属材料。并且填充有金属材料。并且填充有金属材料。
技术研发人员：T
受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司
技术研发日：2020.11.19
技术公布日：2022/8/19