1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括位于显示区的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成所述第一有源层；
在所述第一有源层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二有源层；
在所述第二有源层上形成第二绝缘层，所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；
对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔；所述第一接触孔与所述第二接触孔贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第一有源层；所述第三接触孔与所述第四接触孔贯穿所述第二绝缘层，且分别暴露部分所述第二有源层；
形成第一电极、第二电极、第三电极及第四电极，所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；
形成显示膜层。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；或者所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体时，所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；所述第二有源层包括两层或两层以上的子膜层时，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板的制备方法还包括：
形成位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底，所述绑定区可通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；
所述形成位于所述弯折区的开孔的步骤、与所述对所述第一绝缘层与所述第二绝缘层进行刻蚀，同时形成第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔及第四接触孔的步骤同步进行。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述开孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。
6.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括显示区；所述显示基板包括衬底、低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层；
所述低温多晶硅薄膜晶体管与所述氧化物半导体薄膜晶体管位于所述显示区，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层、第一电极及第二电极；所述氧化物半导体薄膜晶体管包括第二有源层、第三电极及第四电极；所述第二有源层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比；
所述第一绝缘层位于所述第一有源层上，所述第二有源层位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层位于所述第二有源层上；所述显示基板还设有贯穿所述第一绝缘层及所述第二绝缘层且暴露部分所述第一有源层的第一接触孔和第二接触孔、贯穿所述第一绝缘层且暴露部分所述第二有源层的第三接触孔和第四接触孔；所述第一电极部分位于所述第一接触孔内且与所述第一有源层接触，所述第二电极部分位于所述第二接触孔内且与所述第一有源层接触；所述第三电极部分位于所述第三接触孔内且与所述第二有源层接触，所述第四电极部分位于所述第四接触孔内且与所述第二有源层接触；所述显示膜层位于所述第一电极上。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二有源层的材料为多晶金属氧化物半导体；所述第二有源层的厚度范围为10nm～100nm；
或者，所述第二有源层包括层叠设置的两层或两层以上的子膜层，所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的材料为多晶金属氧化物半导体；所述第二有源层与所述第二绝缘层接触的子膜层的厚度范围为10nm～100nm。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括绑定区及邻接所述绑定区与所述显示区的弯折区，所述显示基板还设有位于所述弯折区的开孔，所述开孔未贯穿所述衬底；所述绑定区通过所述弯折区弯折至所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧；
所述开孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求6至8任一项所述的显示基板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。