1.一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:它包括如下步骤,
a.酸洗:用酸性溶液对硅片进行酸洗,之后清洗烘干;
b.高温沉积psg:在经步骤a酸洗处理后的硅片表面高温沉积磷硅玻璃层,并进行退火处理;
c.一次除杂:经步骤b高温沉积psg处理后的硅片用溶剂进行清洗并抛光,去除表面反应层和吸附的杂质;
d.高温氢气退火:将经步骤c一次除杂处理后的硅片置于高纯氢气氛中进行高温退火处理。
2.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述步骤a酸洗的具体方法为,用酸性溶液对硅片浸洗180-300s,然后用去离子水浸洗片表面120-240s,之后烘干至表面无水迹残留,烘干温度为50-90℃,烘干时间为3-5min。
3.根据权利要求2所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述酸性溶液为氢氟酸、盐酸、硝酸中的一种以上与水配置而成,酸的总质量百分比为5-15%。
4.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述步骤b高温沉积psg中高温沉积磷硅玻璃层的具体方法为,采用三氯氧磷扩散法进行高温沉积磷硅玻璃层;扩散温度为800℃-1100℃,扩散压力为50mbar-300mbar,扩散时间为5min-30min,在高温扩散过程中通入pocl3、o2、n2,pocl3气体流量为50sccm-500sccm,o2气体流量为200sccm-2000sccm,n2气体流量为500sccm-5000sccm。
5.根据权利要求4所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述步骤b高温沉积psg中退火的具体方法为,退火温度为700℃-1000℃,降温速率为2-10℃/min;退火压力为100mbar-500mbar,退火时间为60min-180min;在退火过程中通入o2和n2,o2和n2的气体流量分别为500sccm-5000sccm。
6.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述步骤c一次除杂的具体方法为,用酸性溶液对硅片进行浸洗,清洗时间为5-10分钟,清洗温度为20℃-30℃;之后进行抛光,抛光时使用氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液,抛光时间为2-5min;所述氢氧化钾或氢氧化钠的质量百分比为0.5%-3%。
7.根据权利要求1所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:在进行步骤a酸洗处理之前,硅片先后浸入sci、scii溶液中漂洗。
8.根据权利要求7所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述sci溶液配比为vnh3.h2o∶vh2o2∶vdi-water=1∶1∶6,所述scii溶液配比为vhcl∶vh2o2∶vdi-water=1∶1∶5;每种溶液的漂洗温度为80℃,每种溶液的漂洗时间为10min。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法,其特征在于:所述步骤d高温氢气退火的具体方法为,将经步骤c一次除杂处理后的硅片置于高纯氢气氛中进行高温退火处理,氢气纯度为99.999%,退火温度范围为1100℃-1350℃,退火气体流量为200sccm-100sccm,退火压力为100mbar-400mbar,退火时间为30min-120min。