存储器件及其制备方法与流程

1.本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种存储器件及其制备方法。


背景技术：

2.传统的存储器件制备工艺中，形成字线结构的步骤包括：第一步，在衬底上形成有源区(aa区)和浅槽隔离结构(sti)后，蚀刻出字线沟槽(wl trench)。第二步，通过cvd工艺在衬底上淀积形成金属钨薄膜填充字线沟槽后，进行刻蚀工艺去除多余金属钨薄膜，得到由剩余金属钨薄膜构成的字线结构。但是，通过该方法得到的字线结构存在导电性能差，进而影响存储器件性能的问题。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述存储器件中字线结构导电性能差，进而影响存储器件性能的问题，提供一种存储器件及其制备方法。
4.一种存储器件的制备方法，包括：
5.提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布；
6.进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层，字线导电层的顶表面高于第一有源结构的顶表面；
7.图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；
8.在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构；
9.在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。
10.在其中一个实施例中，位于绝缘结构顶表面部分的字线导电层的底表面低于第一有源结构的顶表面，提供衬底的步骤包括：
11.提供表面形成有绝缘层的衬底；
12.图形化刻蚀绝缘层，得到绝缘结构及若干个于绝缘结构内间隔排布的有源沟槽；
13.填充有源沟槽，形成顶表面高于绝缘结构顶表面的第一有源结构。
14.在其中一个实施例中，有源沟槽露出衬底的上表面，填充有源沟槽，形成顶表面高于绝缘结构的第一有源结构的步骤包括：
15.进行外延工艺，在有源沟槽中形成所述第一有源结构。
16.在其中一个实施例中，在衬底上形成字线导电层的步骤包括：
17.在衬底上形成第一栅间绝缘层，第一栅间绝缘层覆盖第一有源结构的顶表面及绝缘结构的顶表面；
18.在第一栅间绝缘层的顶表面形成第一导电层；
19.在第一导电层的顶表面形成第二导电层；
20.其中，第一栅间绝缘层、第一导电层、第二导电层构成字线导电层。
21.在其中一个实施例中，图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构的步骤包括：
22.图形化刻蚀第二导电层、第一导电层及第一栅间绝缘层，得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构。
23.在其中一个实施例中，第二导电结构包括钨导电结构，第一导电结构包括氮化钛结构，第一栅间绝缘结构包括氧化硅结构。
24.在其中一个实施例中，得到包括依次叠加的第二导电结构、第一导电结构、第一栅间绝缘结构的字线结构之后还包括步骤：
25.在字线结构的侧壁依次形成第三导电结构和第二栅间绝缘结构；
26.其中，第三导电结构和第二栅间绝缘结构的延伸方向均与字线结构的延伸方向相同，第三导电结构和第二栅间绝缘结构的高度均等于字线结构的底表面与字线结构的顶表面之间的距离，存储器件的栅极字线包括字线结构、第三导电结构和第二栅间绝缘结构。
27.在其中一个实施例中，第三导电结构包括氮化钛结构，第二栅间绝缘结构包括氧化硅结构，字线结构包括埋入式字线结构，第二有源结构、隔离结构的顶表面均高于字线结构的顶表面。
28.在其中一个实施例中，第一栅间绝缘结构和第二栅间绝缘结构共同构成存储器件的栅介质结构。
29.在其中一个实施例中，在第一导电层的顶表面形成第二导电层的步骤包括：
30.在第一导电层上形成第二导电层材料；
31.对第二导电层材料进行平坦化处理，得到第二导电层。
32.在其中一个实施例中，第一有源结构和第二有源结构共同构成存储器件的有源区，隔离结构和绝缘结构共同构成有源区之间的浅槽隔离结构。
33.在其中一个实施例中，填充槽还包括露出第一有源结构部分顶表面的第二填充槽；
34.在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构顶表面向字线结构顶表面延伸的第二有源结构的同时还包括：
35.在第二填充槽中形成沿露出的第一有源结构顶表面向字线结构顶表面延伸的第三有源结构；
36.其中，第一有源结构、第二有源结构和第三有源结构共同构成存储器件的有源区。
37.在其中一个实施例中，在第二填充槽中形成沿露出的第一有源结构顶表面向字线结构顶表面延伸的第三有源结构的步骤包括：
38.进行外延工艺，在第二填充槽中形成沿露出的所述第一有源结构顶表面向字线结构顶表面延伸的第三有源结构。
39.在其中一个实施例中，在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构顶表面向字线结构顶表面延伸的第二有源结构的步骤包括：
40.进行外延工艺，在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构顶表面向字线结构顶
表面延伸的第二有源结构。
41.一种存储器件，是通过上述任一项所述的制备方法制成的。
42.上述存储器件的制备方法，首先，通过物理气相淀积工艺在衬底上形成字线导电层，其中字线导电层的顶表面高于衬底上形成的第一有源结构的顶表面，其次，图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，所述填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；再次，在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构，在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。与先形成包括第一有源结构、第二有源结构的有源区和隔离结构，然后开槽、填充形成字线结构相比，本申请存储器件中的字线结构是通过物理气相淀积工艺形成字线导电层后刻蚀去除多余的字线导电层形成的，该字线结构中不存在卤族元素和空洞，达到提高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。
附图说明
43.为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1为一实施例中存储器件的制备方法的流程示意图；
45.图2为一实施例中步骤s102的流程示意图；
46.图3为一实施例中步骤s204之后存储器件的俯视示意图；
47.图4a为图3所示的存储器件沿a a’方向的剖面示意图；
48.图4b为图3所示的存储器件沿bb’方向的剖面示意图；
49.图5a为一实施例中形成第一有源结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图；
50.图5b为图5a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图；
51.图6为一实施例中在衬底上形成字线导电层的流程示意图；
52.图7a为一实施例中形成字线导电层后存储器件沿aa’方向的剖面示意图；
53.图7b为图7a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图；
54.图8a为一实施例中形成字线结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图；
55.图8b为图8a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图；
56.图9a为一实施例中形成隔离结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图；
57.图9b为图9a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图；
58.附图标记说明：
59.102
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衬底，202
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绝缘结构，204
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有源沟槽，206
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第一有源结构，304
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第二导电层，402
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第一栅间绝缘层，404
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第一导电层，502
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第二导电结构，504
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第二填充槽，506
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第一填充槽，508
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第一有源结构顶表面，510
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绝缘结构顶表面，512
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第一有源结构顶表面，602
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第一栅间绝缘结构，604
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第一导电结构，606
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第二栅间绝缘结构，608
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第三导电结构，610
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第二有源结构，612
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第三有源结构，614
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隔离结构。
具体实施方式
60.为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
61.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
62.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分；举例来说，可以将第一掺杂类型成为第二掺杂类型，且类似地，可以将第二掺杂类型成为第一掺杂类型；第一掺杂类型与第二掺杂类型为不同的掺杂类型，譬如，第一掺杂类型可以为p型且第二掺杂类型可以为n型，或第一掺杂类型可以为n型且第二掺杂类型可以为p型。
63.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
64.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
65.这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。
66.典型存储器件的制备工艺中，形成有源区和隔离结构后，蚀刻出字线沟槽，通过化
学气相淀积工艺形成钨金属薄膜后，然后进行快速热退火工艺(rta)，图形化刻蚀钨金属薄膜后，得到由字线沟槽中剩余的钨金属薄膜构成的字线结构。此时，字线结构中存在的卤族元素会影响字线结构的导电性，进而影响存储器件的性能。
67.参见图1，为一实施例中存储器件的制备方法的流程示意图。
68.为了解决上述问题，本申请提供一种存储器件的制备方法，如图1所示，该制备方法包括：
69.s102，提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布。
70.提供衬底，衬底上形成有绝缘结构及若干个第一有源结构，若干个第一有源结构于绝缘结构内间隔排布，可以理解的是第一有源结构为硅有源结构、绝缘结构为二氧化硅结构。
71.衬底可以采用未掺杂的单晶硅、掺杂有杂质的单晶硅、绝缘体上硅(soi)、绝缘体上层叠硅(ssoi)、绝缘体上层叠锗化硅(s
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sigeoi)、绝缘体上锗化硅(sigeoi)以及绝缘体上锗(geoi)等。作为示例，在本实施例中，衬底的构成材料选用单晶硅。
72.s104，进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层，字线导电层的顶表面高于第一有源结构的顶表面。
73.进行物理气相淀积工艺，在衬底上形成字线导电层，字线导电层覆盖在第一有源结构和绝缘结构上，且字线导电层的顶表面高于第一有源结构和绝缘结构的顶表面。与化学气相淀积相比，可以避免在形成字线导电层的过程中工艺气体中的卤族元素对字线导电层的导电性能的影响。
74.s106，刻蚀形成字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，所述填充槽包括第一填充槽。
75.图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽。即通过光刻工艺在字线导电层上形成掩膜图案后，通过刻蚀工艺刻蚀去除未被掩膜图案覆盖的字线导电层(多余的字线导电层)，得到由掩膜图案覆盖的字线导电层(剩余字线导电层)构成的若干条平行间隔排布的字线结构，以及位于相邻字线结构之间的填充槽，填充槽包括形成于第一有源结构上的字线结构和绝缘结构上的字线结构之间，且同时暴露出第一有源结构的部分顶表面、绝缘结构的部分顶表面以及第一有源结构和绝缘结构的交界处的第一填充槽。
76.s108，在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构。
77.在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构，即在第一填充槽中形成底部与第一填充槽露出的第一有源结构的顶表面重合的第二有源结构，该第二有源结构和第一有源结构接触，作为存储器件的有源区。
78.s110，在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。
79.在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构，即在第一填充槽未形成第二有源结构的部分填充形成底部与第一填充槽露出的绝
缘结构的顶表面重合的隔离结构，此时隔离结构的底表面和绝缘结构的顶表面接触。
80.上述存储器件的制备方法，首先，通过物理气相淀积工艺在衬底上形成字线导电层，其中字线导电层的顶表面高于衬底上形成的第一有源结构的顶表面，其次，图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构以及位于相邻字线结构之间的填充槽，所述填充槽包括同时露出第一有源结构部分顶表面和绝缘结构部分顶表面的第一填充槽；再次，在第一填充槽中形成沿露出的第一有源结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的第二有源结构，在第一填充槽中形成沿露出的绝缘结构的顶表面向字线结构的顶表面延伸的隔离结构。与先形成包括第一有源结构、第二有源结构的有源区和隔离结构，然后开槽、填充形成字线结构相比，本申请存储器件中的字线结构是通过物理气相淀积工艺形成字线导电层后刻蚀去除多余的字线导电层形成的，该字线结构中不存在卤族元素和空洞，达到提高字线结构导电性能及存储器件的性能的目的。
81.在其中一个实施例中，字线导电层的底表面与第一有源结构的顶表面齐平。在其他实施例中，字线导电层的底表面高于第一有源结构的顶表面。
82.参见图2，为一实施例中步骤s102的流程示意图。参见图3，为一实施例中步骤s204之后存储器件的俯视示意图。参见图4a，为图3所示的存储器件沿aa’方向的剖面示意图。参见图4b，为图3所示的存储器件沿bb’方向的剖面示意图。参见图5a，为一实施例中形成第一有源结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图。参见图5b，为图5a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图。
83.如图2
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图5b所示，在其中一个实施例中，位于绝缘结构顶表面部分的字线导电层的底表面低于第一有源结构的顶表面，步骤s102包括：
84.s202，提供表面形成有绝缘层的衬底。
85.s204，图形化刻蚀绝缘层，得到绝缘结构及若干个于绝缘结构内间隔排布的有源沟槽。
86.图形化刻蚀去除衬底102上多余的绝缘层，得到绝缘结构202、以及若干个于绝缘结构内间隔排布的有源沟槽204。
87.如图4a、图4b所示，具体地，首先，在衬底上102上形成覆盖在需要保留的绝缘层上的掩膜图案，即掩膜图案暴露出后续形成第一有源结构的位置上的绝缘层。然后，刻蚀去除未被掩膜图案覆盖的绝缘层，得到由剩余绝缘层构成的绝缘结构202，以及若干个于绝缘结构202内间隔排布的有源沟槽204。
88.在其中一个实施例中，有源沟槽204的底部和衬底102的上表面之间具有一定厚度的绝缘层。
89.s206，填充有源沟槽，形成顶表面高于绝缘结构顶表面的第一有源结构。
90.填充有源沟槽204，形成顶表面高于绝缘结构202顶表面的第一有源结构206。具体地，在有源沟槽204中填充形成顶表面高于绝缘结构202的第一有源结构206。
91.在其他实施例中，第一有源结构206和绝缘结构202的顶表面齐平，或者第一有源结构206的顶表面低于绝缘结构202的顶表面。
92.如图4a、图4b、图5a、图5b所示，在其中一个实施例中，有源沟槽204露出衬底102的上表面，填充有源沟槽204，形成顶表面高于绝缘结构202的第一有源结构206的步骤包括：
93.进行外延工艺，在有源沟槽204中形成第一有源结构206，所述第一有源结构206为
硅外延结构，通过外延工艺形成的第一有源结构206为单晶硅结构，避免了第一有源结构206与衬底102之间晶格不匹配的问题。
94.在其中实施例中，可以选用本领域技术人员熟知的其他形成硅有源结构的方式形成第一有源结构。
95.参见图6，为一实施例中在衬底上形成字线导电层的流程示意图。参见图7a，为一实施例中形成字线导电层后存储器件沿aa’方向的剖面示意图。参见图7b，为图7a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图。
96.如图6、图7a、图7b所示，在其中一个实施例中，在衬底102上形成字线导电层的步骤包括：
97.s302，在衬底上形成第一栅间绝缘层。
98.在衬底102上形成第一栅间绝缘层402，第一栅间绝缘402覆盖第一有源结构206的顶表面及绝缘结构202的顶表面。具体地，如图7a、图7b所示，在第一有源结构206的上表面形成第一栅间绝缘层402，第一栅间绝缘层402沿第一有源结构206的顶表面延伸覆盖在绝缘结构202的顶表面。本实施例中，第一栅间绝缘层402至少包括二氧化硅薄膜、高k栅介质薄膜中的一种，可以通过原子层淀积工艺或其他工艺形成第一栅间绝缘层402。
99.s304，在第一栅间绝缘层的顶表面形成第一导电层。
100.在第一栅间绝缘层402的顶表面形成第一导电层404，例如ti/tin金属层。
101.s306，在第一导电层的顶表面形成第二导电层。
102.在第一导电层404的顶表面形成第二导电层304，第一栅间绝缘402、第一导电层404、第二导电层304构成字线导电层。
103.在其中一个实施例中，第二导电层304包括钨导电层。当第一栅间绝缘层402选取氧化硅层，第一导电层404选取氮化钛金属层，第二导电层304选取钨导电层时，在第一导电层404上成第二导电层304的步骤为：在氮化钛金属层的上表面形成钨导电层，此时，氮化钛金属层同时作为粘附层。在本实施例中，第二导电层304的下表面低于第一有源结构206的上表面。
104.在其中一个实施例中，步骤s306包括：第一步，在第一导电层404上形成第二导电层材料。第二步，对第二导电层材料进行平坦化处理，得到第二导电层304，例如，通过化学研磨工艺对第二导电层材料进行平坦化处理，得到由剩余第二导电层材料构成的第二导电层304。
105.参见图8a，为一实施例中形成字线结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图。参见图8b，为图8a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图。
106.如图8a、图8b所示，在其中一个实施例中，图形化刻蚀字线导电层，得到若干条平行间隔排布的字线结构的步骤包括：
107.图形化刻蚀第二导电层304、第一导电层404及第一栅间绝缘层402，得到包括依次叠加的第二导电结构502、第一导电结构604、第一栅间绝缘结构602的字线结构。
108.具体地，在衬底102上形成字线掩膜图案，字线掩膜图案覆盖在需要保留的第二导电层304上，暴露出需要去除的第二导电层304，刻蚀去除字线掩膜图案露出的第二导电层304以及位于第二导电层304下方的第一导电层404、第一栅间绝缘层402，得到包括依次叠加的第二导电结构502(剩余第二导电层304)、第一导电结构604(剩余第一导电层404)、第
一栅间绝缘结构602(剩余第一栅间绝缘层402)的字线结构。
109.在其中一个实施例中，第二导电结构502包括钨导电结构，第一导电结构604包括氮化钛结构，第一栅间绝缘结构602包括氧化硅结构。
110.在其中一个实施例中，得到包括依次叠加的第二导电结构502、第一导电结构604、第一栅间绝缘结构602的字线结构之后还包括步骤：
111.在字线结构的侧壁依次形成第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606；其中，第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606的延伸方向均与字线结构的延伸方向相同，第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606的高度均等于字线结构的底表面与字线结构的顶表面之间的距离，存储器件的栅极字线包括字线结构、第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606。第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606自字线结构向填充槽依次叠加，即第二栅间绝缘结构606与字线结构之间的距离大于第三导电结构608与字线结构之间的距离。
112.具体地，在字线结构的侧壁依次形成第三导电结构608和第二栅间绝缘结构606的步骤包括：第一步，在字线结构的侧面(即字线结构502两侧填充槽的侧壁)形成第三导电结构608，其中，第三导电结构608的延伸方向与字线结构的延伸方向相同，第三导电结构608的高度(第三导电结构608靠近衬底102的底表面与远离衬底102的顶表面之间的距离即填充槽的底壁与填充槽的开口之间的距离)等于字线结构的底表面与字线结构的顶表面之间的距离。第二步，在第三导电结构608的侧面形成第二栅间绝缘结构606，其中，第二栅间绝缘结构606的延伸方向与字线结构的延伸方向相同，第二栅间绝缘结构606的高度(第二栅间绝缘结构606靠近衬底102的底表面与远离衬底102的顶表面之间的距离即填充槽的底壁与填充槽的开口之间的距离)等于字线结构的底表面与字线结构的顶表面之间的距离。
113.在其中一个实施例中，第一栅间绝缘结构602和第二栅间绝缘结构606是由相同材料构成的，例如均为二氧化硅栅介质层或高k栅介质层。第一导电结构608和第三导电结构608是由相同材料构成的，例如均为氮化钛金属结构。
114.在其中一个实施例中，第三导电结构608包括氮化钛结构，第二栅间绝缘结构606包括氧化硅结构，字线结构包括埋入式字线结构，第二有源结构、隔离结构的顶表面均高于字线结构的顶表面。
115.在其中一个实施例中，第一栅间绝缘结构602和第二栅间绝缘结构606共同构成存储器件的栅介质结构。
116.参见图9a，为一实施例中形成隔离结构后存储器件沿aa’方向的剖面示意图。参见图9b，为图9a对应的存储器件沿bb’方向的剖面示意图。
117.如图8a、图9a、图9b所示，在其中一个实施例中，填充槽还包括露出第一有源结构206部分顶表面的第二填充槽504；
118.在第一填充槽506中形成沿露出的第一有源结构206顶表面508向字线结构顶表面延伸的第二有源结构610的同时还包括：
119.在第二填充槽504中形成沿露出的第一有源结构206顶表面512向字线结构顶表面延伸的第三有源结构612；
120.其中，第一有源结构206、第二有源结构610和第三有源结构612共同构成存储器件的有源区。
121.在其中一个实施例中，第二有源结构610和第三有源结构612的顶表面齐平。
122.在其中一个实施例中，第二有源结构610、第三有源结构612和字线结构的顶表面齐平。
123.具体地，如图9a所示，第一有源结构206、第二有源结构610和第三有源结构612作为一个整体的硅有源结构，后续在第二有源结构610中形成存储器件中晶体管的源极结构，在第三有源结构612中形成存储器件中晶体管的漏极结构，该存储器件包括双字线结构、共漏极结构的晶体管。
124.在其中一个实施例中，第三有源结构612和第二有源结构610是在同一步工艺中形成的。
125.在其中一个实施例中，在第二填充槽504中形成沿露出的第一有源结构206顶表面512向字线结构顶表面延伸的第三有源结构612的步骤包括：
126.进行外延工艺，在第二填充槽504中形成沿露出的所述第一有源结构206顶表面向字线结构顶表面延伸的第三有源结构612。
127.在其中一个实施例中，字线结构两侧的第二有源结构610分别用于形成存储器件中晶体管的源极结构和漏极结构。
128.在其中一个实施例中，在第一填充槽506中形成沿露出的第一有源结构206顶表面向字线结构顶表面延伸的第二有源结构610的步骤包括：
129.进行外延工艺，在第一填充槽506中形成沿露出的第一有源结构206顶表面向字线结构顶表面延伸的第二有源结构610。
130.在其中一个实施例中，第一有源结构206和第二有源结构610共同构成存储器件的有源区，步骤s110中在第一填充槽506中形成沿露出的绝缘结构202顶表面510向字线结构顶表面延伸的隔离结构614和绝缘结构202共同构成有源区之间的浅槽隔离结构。
131.本申请还提供一种存储器件，是通过上述任一项所述的制备方法制成的。
132.本申请还提供一种存储设备，所述存储设备包括上述存储器件。
133.应该理解的是，虽然图1、图2、图6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图2、图6中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
134.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
135.以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。