一种非均质单晶磁粉及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种sm扩散源合金，其特征在于，以原子百分比表示的成分为sm
d
m1
100-d
，50≤d≤95，m1是cu和/或zn。2.权利要求1所述的sm扩散源合金的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在氩气保护下感应熔炼sm和m1合金得到熔体，熔体使用速度为10-50m/s的水冷铜辊制成快淬扩散源合金薄带，将快淬扩散源合金薄带研磨成粒径为10-500μm的颗粒，得到sm扩散源合金粉末。3.一种非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将粒径为1-20μm的富la/ce/y的(sm,r1)2fe
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合金粉末作为母合金磁粉，将权利要求2所述的sm扩散源合金粉末与易挥发的有机溶剂混合形成糊状体，将母合金磁粉与糊状体混合均匀得到混合料，母合金磁粉与扩散源合金粉末的质量比为88:12-97:3，然后将混合料依次进行扩散热处理、氢爆处理、脱氢处理、制粉和氮化后得到非均质单晶磁粉。4.根据权利要求3所述的非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，所述的富la/ce/y的(sm,r1)2fe
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合金粉末的成分以原子百分百表示为：(sm
1-α
r1
α
)
b
fe
100-b-c
m2
c
，其中，r1是除sm外的至少一种稀土元素，0.2<α<1；9<b<13；m2选自co、si、ga、al、ni、ti、cu、v、cr、zr、hf、nb、ta、mo和w中的至少一种，0≤c≤30。5.根据权利要求4所述的非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，r1选自la、ce和y中的至少一种。6.根据权利要求4所述的非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，所述的母合金磁粉的制备步骤是：按照(sm
1-α
r1
α
)
b
fe
100-b-c
m2
c
来配料，将配好的金属sm、纯fe、r1、m2放入感应熔炼炉中在高纯ar中熔炼，使用感应加热合金至原料完全熔融均匀得到熔体，将熔体用水冷铜辊速制备成速凝铸片，将母合金铸片置于热处理容器中，在氩气保护下进行热处理，空冷后，将母合金铸片破碎成平均颗粒为1-20μm的母合金磁粉粉末。7.根据权利要求6所述的非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，所述的水冷铜辊表面线速为10-30m/s，热处理温度为900℃-1000℃，热处理时间为30-50min。8.根据权利要求3所述的非均质单晶磁粉的制备方法，其特征在于，将混合料依次进行扩散热处理、氢爆处理、脱氢处理、制粉和氮化后得到非均质单晶磁粉的具体步骤为：将混合料置于高纯ar保护下的真空炉中，进行扩散热处理，扩散热处理温度为650℃-960℃，热处理时间为0.5-10h；将经过扩散热处理的铸片置于150-250℃的h2中处理1-3h，进行氢爆处理，将炉温调高至550℃-600℃，抽真空脱氢处理1.5-2.5h；将经过脱氢处理的铸片进行研磨得到磁粉，磁粉使用高纯氮气在400℃-450℃氮化磁粉30-40h，得到非均质单晶磁粉。9.权利要求3所述的非均质单晶磁粉的制备方法制备得到的非均质单晶磁粉，其特征在于，所述的非均质单晶磁粉由第一类相、第二类相和第三类相组成，所述的第一类相是由稀土元素sm、r1、fe及过渡金属元素m2组成，具有th2zn
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或者th2ni
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型结构的主相，主相晶粒具有球状或者等轴状的外形且具有富sm壳层，富sm壳层厚度在0.1-1.0μm之间；主相组成原子占母合金原子的80％-99％；所述的第二类相是富稀土辅助相，富稀土辅助相的组成原子占母合金的0.5％-19％，富稀土辅助相由(sm，r1)(fe，m2)2、(sm，r1)(fe，m2)t3、(sm，r1)(fe，m2)m1、(sm，r1)m12相中的任意三种构成，所述的第三类相是稀土sm、r1的氧化物或者氮化物及其他难以避免的杂质。10.权利要求9所述的非均质单晶磁粉在制备各向异性粘结永磁材料或者烧结各向异性永磁材料中的应用。

技术总结
本发明公开了一种非均质单晶磁粉及其制备方法和应用。一种非均质单晶磁粉的制备方法，包括如下步骤：将粒径为1-20μm的富La/Ce/Y的(Sm,R1)2Fe


技术研发人员：卢赐福 曾炜炜 周庆 王二豪 唐仁衡 肖方明
受保护的技术使用者：广东省科学院稀有金属研究所
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2022/9/19