技术特征：
1.一种毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，包括自上而下设置的顶层介质基板、中间层介质基板以及底层介质基板，其中：顶层介质基板上表面设置有多个旋转对称的圆极化天线单元；中间层介质基板以及底层介质基板设置有宽带siw贯序旋转馈电网络；宽带siw贯序旋转馈电网络中的馈电端口位于底层，交叉耦合槽位于底层介质基板与中间层介质基板之间；馈电耦合槽位于中间层介质基板上表面，将能量耦合到圆极化天线单元。2.根据权利要求1所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述圆极化天线单元包括偶极子贴片、寄生贴片以及金属化通孔，其中：寄生贴片设置在偶极子贴片的周向；金属化通孔位于偶极子贴片与寄生贴片的外围，构成腔体。3.根据权利要求2所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述偶极子贴片采用孔径耦合馈电。4.根据权利要求1所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述顶层介质基板、中间层介质基板以及底层介质基板的宽度subx＝23mm，长度suby＝23mm，顶层介质基板的高度h3＝0.813mm、中间层介质基板的高度h2＝0.508mm，底层介质基板的高度h1＝0.508mm。5.根据权利要求1所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于：中间层介质基板、底层介质基板均为rogers rt 5880，介电常数ε
r
＝2.2，介质基板的损耗角tanδ＝0.0009；顶层介质基板为rogers ro 4003c，介电常数ε
r
＝3.55，介质基板的损耗角tanδ＝0.0027。6.根据权利要求1所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，交叉耦合槽的槽包括两个相互垂直交叉的槽，两个槽的宽度和长度分别为ws2＝0.3mm,ls2＝2.5mm,ws3＝0.25mm,ls3＝3.8mm。7.根据权利要求2所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述偶极子贴片包括l型贴片。8.根据权利要求7所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述l型贴片的第一侧边l1＝1.85mm，第二侧边l2＝1.05mm，下底边l3＝1.875mm，上底边l4＝0.5mm。9.根据权利要求1所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，在天线阵列的最底层由波导馈电，底层siw馈电宽边大小a1＝5.3mm,中间层siw宽边大小为a2＝5.2mm。10.根据权利要求2所述的毫米波低剖面宽带圆极化槽馈偶极子天线阵列，其特征在于，所述金属化通孔半径为r4＝0.45mm,连接偶极子的金属化通孔半径为r5＝0.2mm。