1.一种oled的imito结构，其特征在于：包括玻璃基板(1)、消影层(2)和导电层(3)，所述消影层(2)设置在导电层(3)与玻璃基板(1)之间，消影层(2)设置在玻璃基板(1)上，导电层(3)设置在消影层(2)上。
2.如权利要求1所述的一种oled的imito结构，其特征在于：所述消影层(2)包括tio2膜层(21)和sio2膜层(22)，tio2膜层(21)设置在玻璃基板(1)上，sio2膜层(22)设置在tio2膜层(21)上，导电层(3)设置在sio2膜层(22)上。
3.如权利要求2所述的一种oled的imito结构，其特征在于：所述导电层(3)为透明导电层，导电层(3)包括ito膜层，ito膜层设置在sio2膜层(22)上。
4.如权利要求2或3所述的一种oled的imito结构，其特征在于：所述tio2膜层(21)采用的tio2材料的折射率为2.0-2.6，sio2膜层(22)采用的sio2材料的折射率为1.4-1.6。
5.如权利要求3所述的一种oled的imito结构，其特征在于：所述ito膜层采用的ito材料的折射率为1.8-2.2。
6.一种oled消影镀膜方法，其特征在于：包括原材料清洗、tio2镀膜、sio2镀膜、ito镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货，玻璃基板(1)在运输辊道上依次经过原材料清洗、tio2镀膜、sio2镀膜、ito镀膜、膜层抛光、清洗检验和包装出货工序。
7.如权利要求6所述的一种oled消影镀膜方法，其特征在于：所述原材料清洗的具体操作为：通过镀膜清洗机清洗玻璃基板(1)，玻璃基板(1)在运输辊道上运行，在清洗段设有毛刷、高压喷淋和风刀，高压喷淋位于玻璃基板(1)的上方和/或下方，毛刷和风刀与玻璃基板(1)的表面接触，且毛刷和风刀能自行旋转，使用碱水和纯水对玻璃基板(1)进行清洗；所述镀膜清洗机速度为4±2m/min，碱水的ph值为11±1，毛刷转速为300±50r/min，喷淋压力为35±5psi，风刀压力为5±2kpa。
8.如权利要求7所述的一种oled消影镀膜方法，其特征在于：所述tio2镀膜、sio2镀膜和ito镀膜具体操作为：采用磁控溅射镀膜，在真空条件下实现等离子体放电，利用电磁场控制带电粒子的运动，轰击被镀材料，从而在基片上沉积所需要的薄膜，镀膜靶材选用旋转ti靶、旋转si靶、旋转ito靶，靶位配置为三对旋转ti靶、三对旋转si靶、四支旋转ito靶来进行im+ito连续镀膜。
9.如权利要求8所述的一种oled消影镀膜方法，其特征在于：所述tio2镀膜、sio2镀膜和ito镀膜的镀膜过程中真空度控制在1pa以下，温度控制在300±50℃，并在ti、si、ito靶位通入250±50sccm的溅射气体ar和在ti、si靶位通入150±50sccm的反应气体o2，形成折射率为2.0-2.6的tio2膜层，折射率为1.4-1.6的sio2膜层(22)，折射率为1.8-2.2的ito膜层。
10.如权利要求9所述的一种oled消影镀膜方法，其特征在于：所述膜层抛光时间控制在25±5s，抛光时用的下抛光垫的硬度为45ha。