用于形成封装半导体装置的方法与流程

1.本公开大体上涉及集成电路，且更具体地说，涉及用于形成封装半导体装置的方法。


背景技术：

2.在形成封装半导体装置时，首先将半导体晶片单切成多个管芯。然后使用多种封装类型来封装这些管芯。使用锯片的锯切通常用于单切晶片，然而，此类锯切可能会在单切期间损坏管芯，例如使得管芯的前侧或后侧上出现切屑。此外，许多晶片的前侧和后侧都需要加工，因此，任何切屑或损坏都可能会对晶片的两侧造成不利影响。


技术实现要素：

3.根据一个方面，提供了一种用于形成封装半导体装置的方法，所述方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述硅层；当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线在所述硅层内形成改性区；在所述形成所述改性区之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层，使得所述改性区和半导体层在所述有效层与所述金属层之间；将所述金属层附接到扩展带；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。
4.所述方法另外包括：在所述将所述金属层附接到所述扩展带之后且在所述单切之前，去除所述支撑结构。
5.所述方法另外包括：在所述使所述红外激光束聚焦穿过所述硅层的所述部分之前，使所述暴露的硅层变薄。
6.使所述硅层变薄包括：研磨所述半导体晶片的所述底侧。
7.所述使所述红外激光束聚焦包括：沿着所述锯线扫描聚焦的红外激光束，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的顶部表面和底部表面在所述硅层内形成所述改性区。
8.所述方法另外包括：使第二红外激光束扫描穿过所述硅层的第二部分，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的所述顶部表面和底部表面在所述硅层中形成第二改性区，其中第一改性区位于所述第二改性区与所述有效层之间。
9.所述改性区的所述形成会沿着所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹。
10.执行所述通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片以使得：所述多个管芯中的所述管芯沿着所述硅层中先前形成的所述微小的预裂纹分离。
11.所述微小的预裂纹沿着所述锯线延伸穿过所述硅层的整个厚度。
12.在形成所述改性区之后，所述改性区包括多晶硅，并且所述改性区外部的所述硅
层包括单晶硅。
13.所述支撑结构包括玻璃载体。
14.所述半导体晶片包括在所述有效层上方的钝化层，使得所述有效层在所述钝化层与所述硅层之间。
15.所述形成所述金属层包括将所述金属层溅镀在所述半导体晶片的所述底侧处的所述暴露的硅层上。
16.根据另一个方面，提供了一种用于形成封装半导体装置的方法，所述方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片的顶侧附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线并且包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的所述顶侧处；当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使用红外激光束沿着所述半导体晶片的所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹；在所述形成所述微小的预裂纹之后，当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在与所述半导体晶片的所述顶侧相对的所述半导体晶片的底侧处的所述硅层的暴露表面上形成金属层，使得所述微小的预裂纹延伸穿过所述硅层的厚度而位于所述有效层与所述金属层之间；将所述金属层附接到扩展带并且去除所述支撑结构；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线中的所述微小的预裂纹分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。
17.所述形成所述金属层包括：将金属溅镀在所述硅层的所述暴露表面上。
18.使用所述红外激光以形成所述微小的预裂纹包括：应用红外层，以通过将所述硅层的单晶硅转换成多晶硅而在所述硅层中形成改性区，其中所述改性区的所述形成使得在所述硅层中形成微小的预裂纹。
19.形成所述改性区包括：沿着所述锯线将所述红外激光束施加到所述半导体晶片的所述底侧上的所述硅层的所述暴露表面，使得所述改性区穿过所述硅层的厚度部分地形成。
20.所述改性区形成于所述硅层的顶部表面与底部表面之间。
21.所述微小的预裂纹延伸穿过所述硅层的整个厚度而位于所述有效层与所述金属层之间。
22.根据另一个方面，提供了一种用于形成封装半导体装置的方法，所述方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在单晶硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述单晶硅层；当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，穿过所述单晶硅层施加红外激光束以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成多晶硅改性区，其中所述多晶硅改性区形成于所述单晶硅层的顶部表面与底部表面之间；在所述形成所述多晶硅改性区之后并且在所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的单晶硅层上形成金属层，使得所述多晶硅改性区在所述有效层与所述金属层之间；将所述金属层附接到扩展带，使得所述金属层在所述扩展带与所述单晶硅层之间；在所述附接所述金属层之后，去除所述支撑结构；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。
附图说明
23.本发明通过举例示出且不受附图的限制，在附图中，类似标记指示类似元件。为了简单和清晰起见而示出图中的元件，并且这些元件不一定按比例绘制。
24.图1至图7以截面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的用于单切晶片的各种加工阶段。
25.图8以截面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的封装单切管芯。
26.图9和图10示出了根据本发明的一个实施例的隐形激光切割的各种视图。
27.图11示出了根据本发明的一个实施例的晶片在单切之前的俯视图。
具体实施方式
28.在一个方面中，除了锯切，隐形激光切割也用于在晶片中单切管芯。通过使红外(ir)激光沿着锯线从晶片的后侧聚焦到晶片的半导体材料的厚度来执行隐形切割，所述半导体材料在晶片的顶部表面与底部表面之间。这导致单晶硅被改性为多晶硅，从而在晶片中形成应力区并沿着晶片的锯线形成预裂纹。然而，不可能通过例如金属或其它ir阻挡膜等特定材料来处理此ir激光。因此，在一个方面中，在沿着晶片的锯线形成预裂纹之后，对晶片的后侧执行进一步加工，例如后侧金属化。在完成此加工之后，使用先前形成的预裂纹沿着锯线单切晶片，其中单切使每一管芯与任何对应的后侧层或膜完全分离。
29.图1以截面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的半导体晶片10。晶片10的截面包括四个管芯30
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33。在替代实施例中，如下文将描述的，晶片10的截面可以包括任何数量的管芯。在顶侧(也被称作前侧)，晶片10包括覆盖硅层12的有效层14。硅层12可以由单晶硅形成，并且有效层14包括用于每一管芯的有效电路系统以及金属层。有效电路系统可以是任何类型的电路系统，用于按每一管芯中的需要来执行任何类型的功能。钝化层位于晶片10的顶部表面上方，例如分别在管芯31
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33中的每一个的顶部表面上的钝化层16、18、20和22。钝化层可以按需要在其中具有开口，以暴露管芯的接触垫。每一管芯之间存在被称为锯线(也被称作锯道)的区。这包括管芯30与31之间的锯线24、管芯31与32之间的锯线26以及管芯31与32之间的锯线28。有效层14还可以包括锯线中的在晶片单切时会被破坏的金属层，例如测试结构或其它制造特征。希望使这些锯线尽可能窄，以使晶片区域具有更大的管芯空间。
30.图11示出了根据本发明的一个实施例的晶片10的俯视图。在图11的实施例中，晶片10包括十二个管芯，然而，在替代实施例中，晶片10包括任何数量的管芯，这取决于每一管芯的大小和晶片的总表面积。图11中同样可见的是位于每一管芯之间的竖直锯线和水平锯线。锯线(也被称作锯道)是指晶片10的管芯将沿着其进行单切的线。竖直锯线包括在图1的截面图中也可见的锯线24、26和28。水平锯线包括锯线94、95和96。锯线94位于管芯30
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33的顶部边界处且在图1的截面图中不可见，因为所述锯线94将位于页面后方。类似地，锯线95位于管芯30
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33的底部边界处且在图1的截面图中也不可见，因为其将位于页面前方。一般来说，所有的锯线都具有相同的宽度，对应于图1中可见的相邻管芯的钝化层之间的宽度。
31.图2示出了根据本发明的一个实施例的处于后续加工阶段的图1的晶片10。在图2中，支撑板36(也被称作支撑结构)键合到晶片10的顶侧。粘合层38用于将支撑板36附接到
晶片10的顶部表面。在一个实施例中，支撑板36是玻璃载体。然而，在替代实施例中，可以使用其它材料或结构。在一个实施例中，支撑板具有在约800微米到1000微米范围内的厚度。如下文将描述，支撑板支撑晶片，以确保管芯受到保护且经过后续加工以晶片形式保持在一起。
32.图3示出了根据本发明的一个实施例的处于后续加工阶段的晶片10。在图3中，使与包括有效层14的顶侧相对的晶片10的底侧(也被称作后侧)变薄(例如，通过研磨)，以得到晶片10的目标厚度。此目标厚度可以是取决于客户需求的任何厚度。在一个实施例中，有效层14具有在约6微米到12微米范围内的厚度，而硅层12具有约50微米的所得厚度。
33.图4示出了处于后续加工阶段的晶片10。在图4中，使晶片10翻转，使得支撑板36的暴露侧放置在载体或其它支撑结构上。例如，在一个实施例中，支撑板36的暴露侧通过支撑环(例如，膜框架载体(ffc))附接到或安装到切割带。然后应用激光隐形切割以沿着晶片10的锯线形成改性区，这导致晶片10的锯线中形成微小的预裂纹。如图4所示，将聚焦的ir激光束40施加到晶片10的暴露后侧，以分别沿着晶片10的例如锯线24、26和28的锯线形成预裂纹42、44和46。这些微小的预裂纹延伸穿过或大部分穿过晶片10的硅层12，并且对应于单切期间将发生管芯分离的位置。
34.图9和图10示出了用于形成微小的预裂纹的激光隐形切割的各种视图。图9示出了硅层82中的锯线的截面侧视图。即在图9中，锯线在页面的右侧与左侧之间延伸。硅层82对应于晶片的硅层，例如晶片10的硅层12。ir激光束84聚焦穿过层82到层82的约中间位置(层82的顶部与底部之间的中间位置)，形成其中层82的单晶硅被转换成多晶硅的改性区86。可以从左向右扫描激光束84，如图9中由箭头88所示。当扫描时，因激光沿着锯线移动而形成的所有改性区形成改性层90。因此，应注意，改性区或改性层平行于形成有所述改性区或改性层的硅层(例如，层82)的顶部表面和底部表面。因此，尽管层82为单晶硅，但改性层90为多晶硅。改性层90形成应力区，这产生在改性层90上方和下方延伸的预裂纹92，如图10的正视图所示。因此，从改性区86形成在改性区上方和下方延伸的预裂纹92。希望预裂纹92延伸穿过层82的整个厚度。这些预裂纹沿着改性层90的长度延伸，并且对应于例如图4的预裂纹42、44和46。沿着晶片10的所有锯线扫描激光84，使得沿着锯线24、26、28、94、95和96形成改性层(参见图11)。希望从改性层产生的所有所得预裂纹延伸穿过硅层12的整个厚度。
35.在一个实施例中，如果硅层12过厚，则可以通过ir激光以超过一个深度执行扫描。例如，可以将激光束84以第一深度聚焦到层82、在层82的底部上方，而不是将激光束84聚焦到层82的中间位置，并进行第一次扫描。然后，可以将激光束84以第二深度聚焦到层82、在第一深度上方但在层82的顶部下方，并进行第二次扫描。将沿着晶片10的所有锯线执行这两次扫描——分别为第一次扫描和第二次扫描。在又其它实施例中，根据硅层的厚度，可以不同深度进行额外的扫描，以充分形成穿过层的整个厚度的预裂纹。
36.应注意，通过晶片10的后侧的暴露硅层12执行图5的激光扫描。晶片10的后侧上没有形成中间层或ir阻挡层，使得激光束40可以恰当地聚焦到层12的中间部分。在一个实施例中，可以通过晶片10的前侧施加激光束(假设支撑板36替代地附接到晶片10的后侧)。然而，锯线可能会过窄，使得波束40无法在不影响相邻管芯的有效电路系统的情况下以恰当的深度聚焦到硅层12中。并且，如上文所论述，可能存在形成于管芯之间的锯线区域中的金属层，这也会妨碍激光束40的恰当聚焦。因此，在一个实施例中，希望直接通过晶片10的后
侧处的暴露硅层执行隐形切割。
37.图5示出了处于后续加工阶段的晶片10。在隐形切割之后，从支撑板36和晶片10去除支撑环和切割带(或其它支撑结构)。应注意，支撑板36确保晶片10的管芯保持呈晶片形式，并且不会在先前沿着锯线形成的预裂纹处分裂。随后，可以执行另外的后侧加工，其中一个或多个层或膜可以形成于晶片10的后侧上或涂敷于所述后侧，与晶片10的顶侧相对。例如，在图5所示的实施例中，后侧金属层48形成于晶片10的后侧上，其中金属层48形成于层12内的预裂纹上方。即，晶片10中的预裂纹位于晶片10的顶侧与金属层48之间。在一个实施例中，通过溅镀工艺形成金属层48。
38.图6示出了处于后续加工阶段的晶片10。在形成例如后侧金属层48的任何后侧层之后，晶片10经历晶片扩展过程以单切管芯。针对扩展过程，提供了具有支撑环50(例如ffc)的扩展带52。使晶片10翻转且安装到环50内的位于后侧下方的扩展带52上，使得后侧金属层48附接到扩展带52。在将晶片10安装到扩展带52之后，从晶片10的前侧去除支撑板36和粘合层38。
39.图7示出了处于后续加工阶段的晶片10。通过在所有方向上均等地拉动扩展带52而使晶片10延伸，如箭头54所示。应注意，带也会在进入以及离开页面的方向上被拉动。延伸带52的此拉动使得晶片10的所有管芯均等地彼此分离。由于后侧金属层48非常薄(在例如1微米到3微米的范围内)，因此其无法承受拉力，且因此晶片10在与先前通过ir激光束40形成于硅层12中的微小的预裂纹相同的位置处开裂。以此方式，可以在不损坏管芯的顶部表面和底部表面的情况下单切晶片10的所有管芯，例如管芯30
‑
33。通过等待直至借助于隐形切割形成微小的预裂纹之后才形成任何后侧金属层，隐形切割仍可以成功地用于单切具有后侧金属层的管芯，且因此大大降低在单切期间损坏管芯的前侧或后侧的风险。后侧金属层对于管芯的散热(例如，在功率或射频(rf)装置中)、通过硅进行的能量吸收和传递或用于改变装置的电容系数或其组合来说可能是合乎需要的。
40.应注意，隐形切割使单晶硅变为多晶硅，但不会去除任一种硅材料。这与为了改进单切而沿着锯线形成凹槽或沟槽大不相同。凹槽或沟槽需要另外的处理并且还可能需要更宽的锯线。因此，通过使用隐形切割，应注意，与例如刀片切割或需要在锯线中形成凹槽或沟槽的那些方法的其它单切方法相比，所述隐形切割可以使用较窄的锯线。
41.图8示出了具有从晶片10单切的管芯的封装半导体装置。在单切晶片10之后，取置工具可以选择每一管芯并将其提供到可以包括半导体封装的进一步加工。图8的例子示出了引线框架封装70，其中单切管芯31放置在引线框架的台板(flag)部分74上，形成键合线78以在管芯31与引线框架的引线76之间提供连接。然后用包封物72包封封装。可以使用任何已知的封装技术，并且所述封装技术不限于引线框架。
42.因此，现在可以了解的是，可以如何使用隐形切割来单切具有后侧金属的管芯，以单切管芯通常比通过刀片处理单切的管芯受损更少。然后可以封装每一单切管芯。此单切可以使得每一晶片的管芯成出率更高，且因此使得每一晶片的封装半导体装置成出率更高。
43.由于实施本发明的设备大部分由本领域的技术人员已知的电子组件和电路构成，因此为了理解和了解本发明的基本概念并且为了不混淆或偏离本发明的教示，将不会以比上文所说明的认为必要的任何更大程度阐述电路细节。
44.此外，在说明书和权利要求书中的术语“前方”、“后方”、“顶部”、“底部”、“在
……
上方”、“在
……
下”、“前侧”、“后侧”及类似者(如果存在的话)用于描述性目的，并且不一定用于描述永久性相对位置。应理解，如此使用的术语在适当情况下可以互换，使得本文中所描述的本发明的实施例例如能够以不是本文中所示出或以其它方式描述的那些定向的其它定向进行操作。
45.虽然本文中参考具体实施例描述了本发明，但是可以在不脱离如所附权利要求书中所阐述的本发明的范围的情况下进行各种修改和改变。例如，可以使用单切管芯制成不同类型的封装。因此，说明书和图应视为说明性而非具有限制性意义，并且预期所有此类修改都包括在本发明的范围内。并不意图将本文中关于具体实施例所描述的任何优势、优点或针对问题的解决方案理解为任何或所有权利要求的关键、必需或必不可少的特征或元素。
46.如本文中所使用的，术语“耦合”并不意图限于直接耦合或机械耦合。
47.此外，如本文中所使用的，术语“一”或“一个”被定义为一个或超过一个。同样，权利要求书中如“至少一个”和“一个或多个”的介绍性短语的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”引入的另一权利要求元素将包含此类引入的权利要求元素的任何特定权利要求限于仅包含一个此类元素的发明，甚至是在同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”和例如“一”或“一个”的不定冠词时。这同样适用于定冠词的使用。
48.除非另有陈述，否则例如“第一”和“第二”等术语用于任意地区别此类术语所描述的元件。因此，这些术语不一定意图指示此类元件时间上的优先级或其它优先级。
49.以下为本发明的各种实施例。
50.在一个实施例中，一种用于形成封装半导体装置的方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述硅层；当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使红外激光束聚焦穿过所述硅层的一部分，以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线在所述硅层内形成改性区；在所述形成所述改性区之后，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的硅层上形成金属层，使得所述改性区和半导体层在所述有效层与所述金属层之间。所述方法另外包括：将所述金属层附接到扩展带；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。在上述实施例的一个方面中，所述方法另外包括：在所述将所述金属层附接到所述扩展带之后且在所述单切之前，去除所述支撑结构。在另一方面中，所述方法另外包括：在所述使所述红外激光束聚焦穿过所述硅层的所述部分之前，使所述暴露的硅层变薄。在另外的方面中，使硅层变薄包括：研磨所述半导体晶片的所述底侧。在上述实施例的另一方面中，所述使所述红外激光束聚焦包括：沿着所述锯线扫描聚焦的红外激光束，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的顶部表面和底部表面在所述硅层内形成所述改性区。在另外的方面中，所述方法另外包括：使第二红外激光束扫描穿过所述硅层的第二部分，以沿着所述锯线且平行于所述硅层的所述顶部表面和底部表面在所述硅层中形成第二改性区，其中第一改性区位于所述第二改性区与所述有效层之间。在另一方面中，所述改性区的所述形成会沿着所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹。在另外的方面中，执行所述通过延伸所述扩展带
以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片以使得：所述多个管芯中的所述管芯沿着所述硅层中先前形成的所述微小的预裂纹分离。在另外的方面中，所述微小的预裂纹沿着所述锯线延伸穿过所述硅层的整个厚度。在上述实施例的另一方面中，在形成所述改性区之后，所述改性区包括多晶硅，并且所述改性区外部的所述硅层包括单晶硅。在又另一方面中，所述支撑结构包括玻璃载体。在又另一方面中，所述半导体晶片包括在所述有效层上方的钝化层，使得所述有效层在所述钝化层与所述硅层之间。在又另一方面中，所述形成所述金属层包括将所述金属层溅镀在所述半导体晶片的所述底侧处的所述暴露的硅层上。
51.在另一实施例中，一种用于形成封装半导体装置的方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片的顶侧附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线并且包括在硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的所述顶侧处；以及当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，使用红外激光束沿着所述半导体晶片的所述锯线在所述硅层中形成微小的预裂纹。在所述形成所述微小的预裂纹之后，当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在与所述半导体晶片的所述顶侧相对的所述半导体晶片的底侧处的所述硅层的暴露表面上形成金属层，使得所述微小的预裂纹延伸穿过所述硅层的厚度而位于所述有效层与所述金属层之间。所述方法另外包括：将所述金属层附接到扩展带并且去除所述支撑结构；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线中的所述微小的预裂纹分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。在另一实施例的一个方面中，所述形成所述金属层包括：将金属溅镀在所述硅层的所述暴露表面上。在另一方面中，使用所述红外激光以形成所述微小的预裂纹包括：应用红外层，以通过将所述硅层的单晶硅转换成多晶硅而在所述硅层中形成改性区，其中所述改性区的所述形成使得在所述硅层中形成微小的预裂纹。在另外的方面中，形成所述改性区包括：沿着所述锯线将所述红外激光束施加到所述半导体晶片的所述底侧上的所述硅层的所述暴露表面，使得所述改性区穿过所述硅层的厚度部分地形成。在另一另外的方面中，所述改性区形成于所述硅层的顶部表面与底部表面之间。在另一另外的方面中，所述微小的预裂纹延伸穿过所述硅层的整个厚度而位于所述有效层与所述金属层之间。
52.在又另一实施例中，一种用于形成封装半导体装置的方法包括：将具有多个管芯的半导体晶片附接到支撑结构，其中所述半导体晶片包括在单晶硅层上方的有效层，其中所述有效层在所述半导体晶片的顶侧，并且所述半导体晶片的与所述顶侧相对的底侧暴露所述单晶硅层。当所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，通过所述单晶硅层施加红外激光束以沿着位于所述多个管芯中的相邻管芯之间的锯线形成多晶硅改性区，其中所述多晶硅改性区形成于所述单晶硅层的顶部表面与底部表面之间。在所述形成所述多晶硅改性区之后并且在所述半导体晶片附接到所述支撑结构时，在所述半导体晶片的所述底侧处的暴露的单晶硅层上形成金属层，使得所述多晶硅改性区在所述有效层与所述金属层之间。所述方法另外包括：将所述金属层附接到扩展带，使得所述金属层在所述扩展带与所述单晶硅层之间；在所述附接所述金属层之后，去除所述支撑结构；通过延伸所述扩展带以使所述多个管芯中的所述管芯沿着所述锯线分离来单切所述半导体晶片；以及封装所述多个管芯中的第一单切管芯以形成封装半导体装置。