氧化硅纤维的制备方法和氧化硅纤维与流程

1.本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种氧化硅纤维的制备方法和氧化硅纤维。


背景技术：

2.氧和硅是地壳中丰度最高的两种元素，由这两种元素组成的化合物氧化硅因此成为制备廉价超材料的较佳候选者。除了原料丰富，氧化硅还具有绝缘性和疏水性等特点，制备出的纤维材料被广泛应用于静电吸滤、自清洁等领域。由于纤维材料的一维尺度特性，还可以担载各类功能纳米颗粒，进一步丰富了氧化硅纤维的用途。
3.相关技术中制备氧化硅纤维的方法主要有天然产物提取、水热法和静电纺丝等。例如，天然产物提取法通过将海泡石置于盐酸溶液中，经过搅拌、冷却、过滤、洗涤等步骤，得到酸化海泡石粉末，而后向去离子水中加入表面活性剂，溶解后加入酸化海泡石粉末，混合均匀后调节ph，随后进行搅拌、水热反应等步骤得到高比表面积介孔一维二氧化硅纳米纤维；该方法的原料取材于天然产物海泡石，工业应用时各批次之间的产品质量会存在差异。再如，水热法通过将硅溶胶与硝酸盐溶液混合并超声分散，待硝酸盐溶液溶解后加入乙二胺，搅拌均匀，得到混合溶液；将混合溶液移入到聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，密闭后在高温烘箱中静置，进行水热反应，而后再经过一些后处理步骤得到氧化硅纤维纳米产品；该方法采用水热法，成核点会不均一，因而容易导致后续制得的纳米纤维的尺度不均一。此外，采用静电纺丝的方式制备氧化硅纤维虽然成本较低，但也很难制备得到尺度均一的纳米纤维。由此可知，相关技术中的氧化硅纤维的制备方法制备的氧化硅纤维的尺度和致密度很难被精确控制，工业生产时每批次之间的尺度均一性仍然存在改进的空间。


技术实现要素：

4.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种氧化硅纤维的制备方法和氧化硅纤维。该氧化硅纤维的制备方法可以制备得到均匀尺度的氧化硅纤维，且所制得的氧化硅纤维尺度和致密度可控、均匀性好。
5.为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
6.第一方面本申请实施例提供了一种氧化硅纤维的制备方法，该方法包括以下步骤：
7.在硅片的表面生长形成氧化硅层；
8.在所述氧化硅层的表面形成图形化的掩膜层；
9.对形成有所述氧化硅层和所述图形化的掩膜层的硅片进行等离子体刻蚀工艺，得到所述氧化硅纤维。
10.为实现本发明的目的，第二方面提供一种氧化硅纤维，该氧化硅纤维是应用第一方面所述的氧化硅纤维的制备方法制备得到。
11.本申请具有以下有益效果：
12.本申请提供的氧化硅纤维的制备方法，不仅包括形成氧化硅层、形成图形化的掩膜层的步骤，还包括等离子体刻蚀工艺步骤，通过在对形成有氧化硅层和图形化的掩膜层的硅片进行等离子体刻蚀工艺，在等离子体刻蚀过程中根据所需求的氧化硅纤维尺寸调控工艺操作参数，方便操作且便于控制，且能够得到从纳米级到微米级尺度不等的氧化硅纤维，对氧化硅纤维的尺寸可以起到精修作用。从而，通过本申请提供的氧化硅纤维的制备方法所制得的氧化硅纤维的尺度可控，致密度也可控，且均匀性好。
13.本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
14.图1为本申请示例性的实施方式提供的一种氧化硅纤维的制备方法的流程示意图；
15.图2为本申请示例性的实施方式提供的一种等离子体刻蚀工艺的流程示意图；
16.图3为本申请示例性的实施方式提供的一种等离子体刻蚀工艺的过程示意图；
17.图4为本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的扫描电镜图片；
18.图5为本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的另一扫描电镜图片；
19.图6示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的x射线能量色散图片；
20.图7示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的另一x射线能量色散图片。
具体实施方式
21.下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
22.本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
23.在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值或单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围。
24.在一种具体实施例中，下面通过具体的实施例对本申请做进一步地详细描述。
25.相关技术中，通常采用天然产物提取、水热法或静电纺丝方法制备氧化硅纤维，存在着氧化硅纤维的尺度和致密度很难被精确控制，工业生产时每批次之间的尺度均一性欠佳的问题，影响了氧化硅纤维的进一步推广应用。因此，研究开发一种制备均匀尺度氧化硅纤维的方法成为行业急需解决的问题。
26.至少基于对相关技术的上述洞察，并鉴于氧化硅纤维的优良性能及广泛应用性，本申请实施例对氧化硅纤维的制备工艺展开了进一步的大量研究，以期缓解相关技术中制备的氧化硅纤维尺度均匀性欠佳的问题。因此，本申请实施例的技术方案提供了一种能够制备得到均匀尺度氧化硅纤维的方法和由该方法制得的氧化硅纤维，可以改善相关技术中氧化硅纤维的均匀性，且所制备的氧化硅纤维尺度和致密度可控。具体技术方案的描述参见下文。
27.如图1所示，在一些实施例中，提供一种氧化硅纤维的制备方法，包括以下步骤：
28.s100、在硅片的表面生长形成氧化硅层；
29.s200、在所述氧化硅层的表面形成图形化的掩膜层；
30.s300、对形成有所述氧化硅层和所述图形化的掩膜层的硅片进行等离子体刻蚀工艺，得到所述氧化硅纤维。
31.本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法，通过在硅片上生长氧化硅以形成氧化硅层，而后光刻以形成图形化的掩膜层，再进行等离子体刻蚀工艺可以制备得到氧化硅纤维，其在等离子体刻蚀过程中根据所需求的氧化硅纤维尺寸调控工艺操作参数，方便操作且便于控制，且能够得到从纳米级到微米级尺度不等的氧化硅纤维，对氧化硅纤维的尺寸可以起到精修作用。该制备方法主要包括氧化硅生长、光刻和等离子体刻蚀工艺步骤，制备过程简单、易于控制、可行性高，适合工业化规模生产，且通过该氧化硅纤维的制备方法所制得的氧化硅纤维的尺度可控且均一，提高了氧化硅纤维的均匀性。
32.在本申请实施例中，对于上述硅片的具体类型不作限定，例如可以为单晶硅，或者可以为多晶硅。此外，硅片可以采用硅晶圆。
33.在一些实施例中，所述在硅片的表面生长形成氧化硅层包括：
34.对所述硅片执行热氧化处理、氧气等离子体处理、化学气相沉积处理或原子层沉积处理中的至少一种，在所述硅片的表面生长形成氧化硅层。
35.根据本申请实施例，步骤s100为氧化硅生长步骤，氧化硅生长可以采用多种工艺方法实现，例如可以采用热氧化处理工艺，可以采用氧气等离子体处理处理，可以采用化学气相沉积处理工艺，可以采用原子层沉积处理，或者还可以采用其他的氧化硅生长工艺，本发明实施例对于形成氧化硅层的具体操作方式的不作限定。示例性的，下面主要以热氧化处理工艺和化学沉积处理工艺为例对氧化硅生长的具体方式做具体阐述。然而，本领域技术人员将理解，本申请的原理可以在任何布置适当的氧化硅工艺生长中实现。此外，任何与所记载内容相似或均等的氧化硅生长方法也可应用于本发明中。
36.在一些实施例中，化学气相沉积处理(cvd)包括等离子体增强化学气相沉积(pecvd)，此外，沉积还可以采用其他类似的沉积法来代替，例如有机化学气相沉积等。相应的，沉积所采用的设备可以为pecvd设备等。
37.具体地，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在一些实施例中，所述氧化硅
纤维的制备方法，包括以下步骤：
38.s100、向放置有硅片的反应腔室通入反应气体，以在硅片的表面生长氧化硅，进而形成氧化硅层。
39.在本申请一具体实施方式中，采用等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方式形成氧化硅层。pecvd中采用的反应气体包括n2o、sih4和n2，此外，还可以采用其他可应用于pevcd中的气体进行替代，本申请实施例不作特殊限制。在一些实施例中，pecvd的主要工艺参数包括：n2o的流量为100sccm～5000sccm，sih4的流量为5sccm～150sccm，所述n2的流量为100sccm～5000sccm；反应腔室的腔压为20pa～200pa，等离子体的功率为50w～500w，工艺的温度为100℃～500℃。优选的，在一些实施例中，pecvd的主要工艺参数包括：n2o的流量为1000sccm～3000sccm，sih4的流量为10sccm～100sccm，n2的流量为1500sccm～4000sccm；反应腔室的腔压为50pa～150pa，等离子体的功率为100w～300w，工艺的温度为200℃～400℃。
40.在上述pecvd工艺过程中，通过气体流量、压力、温度等具体操作条件的优化及调整，在上述范围内可以有效的调整所形成的氧化硅层的微观结构或性能，获得所需的或性能优异的氧化硅层。
41.具体地，在一些实施例中，pecvd的工艺流程主要包括以下步骤：
42.(1)启动真空泵，将工艺腔室抽值预设的真空度，例如可以设置为抽到50mtorr以下。(2)启动基座中的加热器，开始进行预热。(3)放片，通过传输机构将待处理的硅片传入工艺腔室。(4)通气，参见下表1，按照主工艺的配方通入各种工艺气体，即包括n2o、sih4和n2，可以设置为通气时间为5s～500s，优选为10s～200s，更优选60s。(5)加热器开始进行升温，升到主工艺所需的工艺温度，参见下表1，可以设置温度为约300℃。(6)暖腔步骤，可以称之为season步骤，即基于主工艺的配方进行一次工艺，但本步骤中不使用正式的硅片来进行，而是使用非正式的硅片来进行。进行完之后可以将该硅片废弃掉，这样可以用来提高主工艺步骤的工艺效果。
43.(7)主工艺，本步骤的工艺时间从射频启辉开始计算。主工艺优选的工艺操作条件如表1所示。
44.表1 pecvd步骤中工艺参数
[0045][0046]
需要说明的是，这里的功率、压强及温度等参数只是本实施例的一种具体实施方式，本实施例并不以此为限。
[0047]
其中，腔压的取值范围可以是20～200pa，等离子体功率取值范围可以是50～500w，sih4的流量取值范围可以是5～150sccm，n2o的流量取值范围可以是100～5000sccm，n2的流量取值范围可以是100～5000sccm，生长温度取值范围可以是100～500℃。其中n2o的作用是提供氧离子，并调节等离子体的放电特性(相对其余气体更容易电离)，而n2可以起到稀释反应物的作用。
[0048]
(8)降温至室温。(9)停止通气，停止通气后也停止抽真空，然后充氮气以准备取
片。(10)取片，通过传输机构将已处理的硅片传出工艺腔室，以进行下一步的工艺。也即，利用pecvd方式，通过上述步骤(1)至(10)可以得到表面生长形成有氧化硅层的硅片，可用于后续的形成图形化的掩膜层步骤。
[0049]
如前所述，氧化硅生长可以采用多种工艺方法实现，不仅可以采用上述的pecvd生长，还可以采用热氧生长。实际应用中，采用何种方法生长氧化硅可以由纤维的致密性决定，通常的，制备过程中的温度越高致密性越好。采用热氧化方式生长氧化硅的工艺温度一般要高于pecvd的工艺温度，因此，采用热氧化方式生长氧化硅的致密性要高于pecvd。由此也可知，本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法可以控制氧化硅纤维的致密度，且控制方式简单，便于操控。
[0050]
在本申请另一具体实施方式中，采用热氧化处理方法形成氧化硅层。采用热氧化方法形成氧化硅层时，可以将硅片置于用石英玻璃制成的反应管中，反应管用电阻丝加热炉加热一定温度(常用的温度为750～1500℃，优选1000℃，在特殊条件下可降到600℃以下)，氧气或水汽通过反应管(典型的气流速度为1厘米/秒)时，在硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅。
[0051]
可以理解的是，采用热氧化处理时，反应气体可以是氧气，可以是氧气和氢气，还可以是水蒸气。
[0052]
当通入氧气时，氧气分子附着在硅片表面，发生氧化化学反应生成氧化硅层，随着氧化硅层的生成，氧分子钻入氧化硅层后与硅片结合，再次生成氧化硅层，如此进行，实现了硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅。
[0053]
当通入氧气和氢气时，可先将氧气和氢气进行预反应，生成水，水分子附着在硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅层，随着氧化硅层的生成，水分子钻入氧化硅层后与硅片结合，再次生成氧化硅层，如此进行，实现了硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅。
[0054]
当通入水蒸气时，水蒸气附着在硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅层，随着氧化硅层的生成，水蒸气钻入氧化硅层后与硅片结合，再次生成氧化硅层，如此进行，实现了硅片表面发生氧化化学反应生成氧化硅。
[0055]
具体地，在一些实施例中，热氧化方法的工艺流程主要包括以下步骤：
[0056]
(1)进舟，加载硅片进反应腔室。(2)升温，将反应腔室内的温度加热至工艺温度，热氧化处理的工艺温度为750℃～1500℃，优选为800℃～1200℃，更优选1000℃。
[0057]
(3)主工艺，进行湿氧工艺，通入反应气体氢气和氧气，以在硅片表面生长氧化硅。操作参数条件包括：工艺温度为750℃～1500℃，优选为800℃～1200℃，更优选1000℃；反应气体氢气的流量为50sccm～1000sccm，优选为300sccm～800sccm，更优选为500sccm；反应气体氧气的流量为50sccm～1000sccm，选为300sccm～800sccm，更优选为500sccm；载气氧气的流量为100sccm～800sccm，选为400sccm～600sccm，更优选为500sccm；水蒸汽分压的范围为0.1～0.9个大气压，优选为0.5个大气压；热氧化处理的时间可以根据所要生长的氧化硅厚度而设定。
[0058]
(4)氮气吹扫，进行清扫，排出中腔室中残留的气体杂质，包括：氢气、氧气、水汽。(5)降温，可以降低温度值至400℃以下。(6)出舟，将已处理的硅片移出反应腔室以待进行下一步的工艺。也即，利用热氧化处理方法，通过上述步骤(1)至(6)可以得到表面生长形成有氧化硅层的硅片，可用于后续的形成图形化的掩膜层步骤。
[0059]
s200、进行光刻，以在氧化硅层的表面形成图形化的掩膜层。
[0060]
在一些实施例中，在氧化硅层的表面形成图形化的掩膜层包括：在所述氧化硅层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光显影处理，形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层作为图像化的掩膜层；其中，所述图形化的光刻胶层的尺寸对应于所述氧化硅纤维的目标尺寸。
[0061]
在本申请一具体实施方式中，可以采用刷涂或旋涂等方式在氧化硅层的表面覆盖光刻胶，从而形成光刻胶层，氧化硅层或硅片或光刻胶层的厚度可以根据实际情况选定，在此不作限定。而后对光刻胶层进行曝光和显影，形成图形化的掩膜层。其中，图形化的掩膜层可以具有多个阵列排布或随意排布的裸露区和遮盖区。具体地，在对光刻胶层进行曝光和显影的过程中，可以借助光罩或掩膜板等能够遮挡光线的结构对光刻胶层进行遮挡，从而形成图形化的掩膜层。此外，光刻胶可以为正胶，也可以为负胶，本申请实施例对此不作限定。
[0062]
在本申请一具体实施方式中，光刻可采用接触式光刻机，掩模板根据氧化硅纤维的尺寸需要提前进行设计和加工，掩模板线条尺寸对氧化硅纤维的尺寸起决定性的作用。在一些实施例中，曝光时间为3s～20s，优选为4s～10s，更优选为6s；显影时间为45s～120s，优选为60s～100s，更优选为75s；定影时间为60s～300s，优选为100s～200s，更优选为120s。
[0063]
s300、等离子体刻蚀，对形成有氧化硅层和所述图形化的掩膜层的硅片进行等离子体刻蚀工艺，得到氧化硅纤维。
[0064]
如图2和图3所示，在一些实施例中，步骤s300包括：
[0065]
s310、进行氧化硅刻蚀，采用第一刻蚀气体刻蚀所述氧化硅层，在所述硅片的表面形成多个间隔设置的条带，所述条带包括氧化硅基础膜和位于所述氧化硅基础膜之上的残留掩膜；
[0066]
s320、进行硅刻蚀，采用第二刻蚀气体刻蚀所述硅片，使所述硅片与所述条带分离，并使所述条带中的氧化硅基础膜形成氧化硅纤维；
[0067]
s330、进行氧清洗，去除所述条带中的所述残留掩膜，得到所述氧化硅纤维。
[0068]
根据本申请实施例，等离子体刻蚀主要包括三个步骤，即氧化硅刻蚀步骤、硅刻蚀步骤和氧清洗步骤。每步开始前引入稳定步(只通气不启辉，以稳定腔室内的进气，给下一步射频启辉提供稳定的腔室气氛)和启辉步(以较低功率启辉，但不加下电极功率，以较低功率启辉可以避免射频启辉的异常，如反射大等，先不加下电极功率可以避免同时开启上下电极带来的腔室气氛和阻抗不匹配的问题)，最后施加解吸附步使晶圆与静电卡盘之间解除吸附(氩气启辉以辅助释放晶圆上的吸附电荷)，可参考图3所示。
[0069]
根据本申请实施例，氧化硅刻蚀步骤主要是将整面的氧化硅层切割出条带，该条带与其下面的硅晶圆紧密接触。硅刻蚀步骤是将氧化硅条带下方紧密接触的硅掏空，使氧化硅条带悬空，并在应力作用下发生断裂形成纤维。氧清洗步骤是清除残余的光刻胶，并根据需要得到的氧化硅纤维的尺寸控制该步的时间，以得到从纳米级到微米级不等的氧化硅纤维，可以对氧化硅纤维的尺寸起精修作用。
[0070]
在本申请一具体实施方式中，s310氧化硅刻蚀步骤中，采用第一刻蚀气体刻蚀氧化硅层时，采用的上电极功率为500w～3000w，下电极功率为150w～350w，刻蚀腔内的气体
压强为2torr～20mtorr；占空比取值范围是30％～90％；所述第一刻蚀气体包括ar和c4f8，ar的流量范围为0～50sccm，中心c4f8的流量范围为25sccm～100sccm，边缘c4f8的流量范围为0～25sccm。优选的，在一些实施例中，采用的上电极功率为800w～2500w，下电极功率为200w～320w，刻蚀腔内的气体压强为3torr～10mtorr；占空比取值范围是30％～90％；所述第一刻蚀气体包括ar和c4f8，ar的流量范围为0～30sccm，中心c4f8的流量范围为30sccm～80sccm，边缘c4f8的流量范围为0～25sccm。
[0071]
在本申请一具体实施方式中，s320硅刻蚀步骤中，采用第二刻蚀气体刻蚀所述硅片时，采用的上电极功率为500w～3000w，下电极功率为10w～150w，刻蚀腔内的气体压强为10mtorr～100mtorr；占空比取值范围是10％～90％，所述第二刻蚀气体包括o2和sf6，中心o2的流量范围为25sccm～500sccm，边缘o2的流量范围为0～300sccm，中心sf6的流量范围为25sccm～500sccm，边缘sf6的流量范围为0～300sccm。优选的，在一些实施例中，采用的上电极功率为800w～2800w，下电极功率为20w～100w，刻蚀腔内的气体压强为20mtorr～70mtorr；占空比取值范围是10％～90％，所述第二刻蚀气体包括o2和sf6，中心o2的流量范围为50sccm～200sccm，边缘o2的流量范围为0～250sccm，中心sf6的流量范围为50sccm～200sccm，边缘sf6的流量范围为0～200sccm。
[0072]
在本申请一具体实施方式中，s330氧清洗步骤中，采用的上电极功率为500w～3000w，下电极功率为10w～150w，刻蚀腔内的气体压强为10torr～100mtorr；占空比取值范围是10％～90％，采用的气体包括o2，中心o2的流量范围为25sccm～500sccm，边缘o2的流量范围为0～300sccm。优选的，在一些实施例中，采用的上电极功率为800w～2500w，下电极功率为20w～100w，刻蚀腔内的气体压强为30torr～80mtorr；占空比取值范围是10％～90％，采用的气体包括o2，中心o2的流量范围为50sccm～200sccm，边缘o2的流量范围为0～200sccm。
[0073]
具体的，一个优选的等离子体刻蚀的工艺配方如表2所示。
[0074]
表2等离子体刻蚀工艺中工艺配方
[0075]
[0076][0077]
注：可以根据需要得到的氧化硅纤维的尺寸控制等离子体刻蚀工艺中各步的时间。
[0078]
需要说明的是，这里的功率、压强及流量等参数只是本实施例的一种具体实施方式，本实施例并不以此为限，每个工艺参数的取值范围可以在优选值的基础上进行上下浮动。
[0079]
图4示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的扫描电镜图片，由图4(a)至(d)可以看出，采用本申请实施例的制备方法可以得到尺度从纳米级到微米级不等的氧化硅纤维，说明本申请实施例的方法制备的氧化硅纤维尺度可控。
[0080]
图5示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的另一扫描电镜图片，由图5(a)至(b)可以看出，对于某一特定目标尺寸的氧化硅纤维，采用本申请实施例的制备方法制得的氧化硅纤维，均匀性可以控制在10％以内，说明本申请实施例的方法制备的氧化硅纤维不仅尺度可控，而且均一性好。
[0081]
图6示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的x射线能量色散(edx)图片；图6示出了本申请实施例提供的氧化硅纤维的制备方法制备得到的氧化硅纤维的另一x射线能量色散(edx)图片。通过图6和图7进行氧化硅纤维edx表征，其中图6为edx表征位点示意图，图7为edx表征结果图，可以表征证明本申请实施例所得到
的纤维成分是氧化硅。
[0082]
基于上述任一实施例公开的氧化硅纤维的制备方法，本申请实施例还公开一种氧化硅纤维，其采用上述任一制备方法制得。
[0083]
本领域技术人员能够理解的是，该氧化硅纤维与前述的氧化硅纤维的制备方法是基于同一发明构思的，前面针对氧化硅纤维的制备方法所描述的特征和优点，同样适用该氧化硅纤维，因而，该氧化硅纤维至少具有与前述氧化硅纤维的制备方法相同或的特征和优势，在此不再赘述。
[0084]
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
[0085]
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。