一种掩膜版的制作方法

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版。

背景技术：

在柔性oled(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)器件的封装工艺中，采用等离子体沉积技术，其采用的掩膜板是影响封装效果的重要因素。

目前，采用等离子体沉积技术的掩膜板为了避免划伤面板的ic部位线路，在cvdmask的玻璃接触面采用了贯穿整张掩膜板的半刻蚀工艺。但是在此种工艺中，由于半刻蚀设计的存在，上述掩膜板被刻蚀部分的力学性能较差，易发生卷曲形变的现象，造成掩膜板被刻蚀的部分与玻璃基板之间存在间隙，最终导致了工艺不良发生。

技术实现要素：

本申请提供了一种掩膜版，能够提高被刻蚀部分的力学性能，以保证其在制作的过程中不容易产生变形和卷曲。

为了达到上述目的，本申请提供了一种掩膜版，包括：掩膜版本体，所述掩膜版本体上设置有用于遮挡相邻两个面板之间ic区域的遮挡区；

所述遮挡区包括加强部和减薄部，所述减薄部形成开口朝向衬底基板以用于避让驱动ic的避让凹陷。

本申请中的掩膜版，包括掩膜版本体，在掩膜版本体上设有遮挡区，遮挡区将相邻的两个面板之间的ic区域遮挡；具体的，遮挡区包括加强部和减薄部，减薄区形成开口朝向衬底基板的避让凹陷，避让凹陷与ic区域中的驱动ic相对应，进而可以防止在封装过程中掩膜版本体划伤驱动ic的问题产生，另外，加强部的设置可以提高遮挡区的力学性能，减轻了在制作过程中的卷曲以及形变的可能。

需要说明的是，遮挡区即为掩膜版本体被刻蚀的区域。

优选地，所述加强部与所述掩膜版本体具有一体式结构。

优选地，所述加强部朝向所述衬底基板的一端与所述避让凹陷的侧壁朝向衬底基板的一侧平齐。

优选地，所述加强部与所述掩膜版本体的厚度相同。

优选地，所述避让凹陷的深度为所述掩膜版本体厚度的5％-65％。

优选地，所述避让凹陷的深度为所述掩膜版本体厚度的5％-30％。

优选地，所述加强部包括沿第一方向设置的第一加强筋。

优选地，所述加强部还包括沿第二方向设置的多个第二加强筋。

优选地，所述第一加强筋和所述第二加强筋垂直设置。

优选地，所述避让凹陷的形状为圆形、矩形或椭圆形。

附图说明

图1为本申请实施例的掩膜版的一种结构示意图；

图2为本申请实施例的掩膜版中遮挡区的一种主视图；

图3为本申请实施例的掩膜版中遮挡区的又一种主视图。

图标：10-掩膜版本体；20-遮挡区；21-加强部；22-减薄部；220-避让凹陷。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了便于理解本申请，其中，遮挡区为被刻蚀的区域。

参照图1至图3，本申请实施例提供了一种掩膜版，包括：掩膜版本体10，所述掩膜版本体10上设置有用于遮挡相邻两个面板之间ic区域的遮挡区20；

所述遮挡区20包括加强部21和减薄部22，所述减薄部22形成开口朝向衬底基板以用于避让驱动ic的避让凹陷220。

本申请中的掩膜版，包括掩膜版本体10，在掩膜版本体10上设有遮挡区20，遮挡区20将相邻的两个面板之间的ic区域遮挡；具体的，遮挡区20包括加强部21和减薄部22，减薄区形成开口朝向衬底基板的避让凹陷220，避让凹陷220与ic区域中的驱动ic相对应，进而可以防止在封装过程中掩膜版本体10划伤驱动ic的问题产生，另外，加强部21的设置可以提高遮挡区20的力学性能，减轻了在制作过程中的卷曲以及形变的可能。

需要说明的是，在具体设置加强部21时，可以将加强部21设置于避让凹陷220背离衬底基板的一侧，只要能够提高遮挡区20的力学强度即可。

在一种可能的实施例中，为了使遮挡区20的力学强度更高，可以将加强部21与掩膜版本体10设置为一体式结构。

另外，所述加强部21朝向所述衬底基板的一端与所述避让凹陷220的侧壁朝向衬底基板的一侧平齐。在将掩膜版本体10放置于玻璃基板上时，掩膜版本体10与基板的贴合度更好。

需要说明的设置，加强部21朝向衬底基板一侧的距离也可以大于避让凹陷220侧壁朝向衬底基板一侧的距离，进而加强部21朝向衬底基板一侧的部分均位于设置避让凹陷220中，此种设置方式也可以保证掩膜版本体10上遮挡区20的力学强度。

在一种可能的实施例中，所述加强部21与所述掩膜版本体10的厚度相同，这样可以使掩膜版本体10整体的平整性更好，便于与其他的器件叠层设置。

在一种可能的实施例中，参照图2，所述避让凹陷220的深度为所述掩膜版本体10厚度的5％-65％。将避让凹陷220的深度设置为掩膜版本体10深度的5％-65％，可以提高避让凹陷220避让驱动ic的效果，且在具体实施的过程中，至少部分加强部21设置于避让凹陷220中，以将避让凹陷220分隔为至少两个部分，每部分的避让凹陷220均与驱动ic向对应，由于加强部21的设置，可以保证避让凹陷220的深度为5％-65％时，遮挡区20的力学强度能够满足要求，使掩膜版在制作的过程中不容易产生变形和卷曲。

需要说明的是，参照图3，为了进一步提高掩膜版本体10上遮挡区20的力学强度，可以降低避让凹陷220的深度，以提高减薄区的厚度，进而提高遮挡区20的力学强度，减小在制作过程中掩膜版本体10形变的风险。其中，优选地避让凹陷220的深度可以为掩膜版本体10厚度的5％-30％。

在一种可能的实施中，加强部21可以包括沿第一方向设置的第一加强筋，其中第一方向为图1中实线箭头的方向，第一加强筋将避让凹陷220分隔为两个子避让区，每个子避让区可以对应多个面板上的驱动ic，以防止掩膜版本体10划伤驱动ic。

需要说明的是，第一方向也可以是倾斜的，也使第一加强筋将避让凹陷220分隔为两个子避让区，只要使两个子避让区均能够对应到驱动ic，且使每个面板上的驱动ic均能够对应到子避让区中即可。

在一种可能的实施例中，加强部21可以包括沿第二方向设置第二加强筋，第二加强筋为图1中虚线箭头的方向，第二加强筋的数量可以为多个，多个第二加强筋可以均设置避让凹陷220中，以增强遮挡区20的力学强度，其中，多个第二加强筋可以将避让凹陷220分隔为多子避让区，每个子避让区可以对应相对设置的两个面板之间形成的ic区域，每个ic区域中的驱动ic均与子避让区对应，进而防止掩膜版本体10划伤驱动ic。

需要说明的是，多个第二加强筋之间可以平行设置，且多个第二加强筋可以使倾斜状设置的，此时，多个第二加强筋将避让凹陷220分隔成的多个子避让区只要是能够对应到驱动ic即可。

在一种可能的实施例中，加强部21可以包括第一加强筋和多个第二加强筋，第一加强筋沿第一方向设置，第二加强筋沿第二方向设置，且第一方向和第二方向垂直，即第一加强筋和多个第二加强筋垂直，此时，第一加强筋和多个第二加强筋也均位于避让凹陷220中，第一加强筋和第二加强筋的设置可以提高避让区的力学强度，以使掩膜版本体10在制作的过程中不容易出现形变的问题。另外，第一加强筋和多个第二加强筋将避让凹陷220分隔为多个子避让区，每个子避让区可以对应一个面板上的驱动ic，以防止掩膜版本体10划伤驱动ic。

需要说明的是，当多个第二加强筋与第一加强筋垂直时，第一加强筋和多个第二加强筋将避让凹陷220分隔成的多个子避让区可以呈矩形。其中，子避让区也可以是其他的形状，此处不进行列举。

在一种可能的实施例中，所述避让凹陷的形状为圆形、矩形或椭圆形。其中，避让凹陷的形状还可以为梯形或菱形等，此处不进行列举。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。