技术特征：
1.一种相对于衬底的金属表面在所述衬底的电介质表面上选择性沉积氧化硅的方法，所述方法依次包括：相对于所述金属表面选择性地钝化所述电介质表面；在所述金属表面上选择性地形成聚合物钝化层；使所述电介质表面与金属催化剂接触；以及使所述电介质表面与包含硅烷醇的硅反应物接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属表面包含al、cu、co、ni、w、nb、fe和mo中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质表面包含氧化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地钝化所述电介质表面包括使所述电介质表面与甲硅烷基化剂接触。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述甲硅烷基化剂包括烷基氨基硅烷。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述烷基氨基硅烷具有式(r
i
)3si(nr
ii
r
iii
)，其中r
i
是直链或支链c1‑
c5烷基或直链或支链c1‑
c4烷基，r
ii
是直链或支链c1‑
c5烷基，直链或支链c1‑
c4烷基或氢，并且r
iii
是直链或支链c1‑
c5烷基或直链或支链c1‑
c4烷基。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述甲硅烷基化剂包括烯丙基三甲基硅烷(tms
‑
a)、三甲基氯硅烷(tms
‑
cl)、n
‑
(三甲基甲硅烷基)咪唑(tms
‑
im)、十八烷基三氯硅烷(odtcs)、六甲基二硅氮烷(hmds)或n
‑
(三甲基甲硅烷基)二甲胺(tmsdma)。8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述金属表面上选择性地形成所述聚合物钝化层之后并且在使所述电介质表面与所述金属催化剂接触之前，用等离子体处理所述电介质表面。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述等离子体包括h2等离子体。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属催化剂包括三甲基铝(tma)、二甲基氯化铝、三氯化铝(alcl3)、二甲基异丙醇铝(dmai)、三(叔丁基)铝(ttba)、三(异丙醇)铝(tipa)或三乙基铝(tea)。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属催化剂是包含zn、mg、mn、la、hf、al、zr、ti、sn或ga的金属化合物。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述金属催化剂是金属卤化物、有机金属化合物或金属有机化合物。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅反应物包括三(叔丁氧基)硅烷醇(tbs)、三(异丙氧基)硅烷醇(tis)或三(叔戊氧基)硅烷醇(tps)。14.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述金属表面上的所述聚合物钝化层包括自组装单层(sam)。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述sam通过将所述衬底暴露于硫醇聚合物而形成。16.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述金属表面上的所述聚合物钝化层包括聚酰亚胺层。17.根据权利要求1所述的方法，其中相对于上面已经形成所述聚合物钝化层的所述金属表面，在所述催化的电介质表面上沉积氧化硅的选择性大于约50％。
18.一种相对于衬底的金属表面在所述衬底的电介质表面上选择性沉积氧化硅的方法，包括：在所述金属表面上选择性地形成聚合物钝化层，以及进行一个或多个氧化硅沉积循环，所述一个或多个氧化硅沉积循环包括使所述衬底交替地并顺序地与金属催化剂和硅烷醇接触。19.根据权利要求18所述的方法，其另外包括在于所述金属表面上选择性地形成所述聚合物钝化层之前使所述电介质表面与甲硅烷基化剂接触。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述甲硅烷基化剂包括三甲基氯硅烷(tms
‑
a)、三甲基氯硅烷(tms
‑
cl)、n
‑
(三甲基甲硅烷基)咪唑(tms
‑
im)、十八烷基三氯硅烷(odtcs)、六甲基二硅氮烷(hmds)或n
‑
(三甲基甲硅烷基)二甲胺(tmsdma)。21.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属催化剂包括三甲基铝(tma)、二甲基氯化铝、三氯化铝(alcl3)、二甲基异丙醇铝(dmai)、三(叔丁基)铝(ttba)、三(异丙醇)铝(tipa)或三乙基铝(tea)。22.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属催化剂是包含zn、mg、mn、la、hf、al、zr、ti、sn或ga的金属化合物。23.根据权利要求22所述的方法，其中所述金属催化剂是金属卤化物、有机金属化合物或金属有机化合物。24.根据权利要求18所述的方法，其中所述硅烷醇是三(叔戊氧基)硅烷醇(tps)。25.根据权利要求18所述的方法，其中将所述氧化硅沉积循环连续重复两次或更多次。26.根据权利要求18所述的方法，其中在至少一个氧化硅沉积循环中使所述衬底与所述硅烷醇接触两次或更多次。27.根据权利要求18所述的方法，其中所述聚合物钝化层包括聚酰亚胺层。28.根据权利要求18所述的方法，其中所述聚合物钝化层是硫醇sam。
技术总结
提供了相对于金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅膜的方法。可相对于电介质表面选择性地钝化衬底的金属表面，例如用聚酰亚胺层或硫醇SAM。通过使电介质表面与金属催化剂和包含硅烷醇的硅前体接触，而相对于钝化的金属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅。属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅。属表面在电介质表面上选择性沉积氧化硅。
技术研发人员：A.伊利贝里 G.A.弗尼 邓少任 D.恰佩 E.托伊斯 M.托米宁 M.吉文斯
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2021.03.30
技术公布日：2021/10/7