显示装置的制作方法

1.本揭露涉及一种显示装置，特别是涉及一种具有出光设计的显示装置。


背景技术：

2.近年来，发光二极管因其体积小、高功率、低耗能或使用寿命长等优点而广泛地应用在显示装置中。然而，随着用户对于显示装置的显示需求越来越高，显示装置的对比度、出射光的色纯度或准直性等性质须提升以满足使用者的需求。因此，如何提升显示装置的显示效果已成为本领域中的重要议题之一。


技术实现要素：

3.本揭露的目的之一是提供一种显示装置，其中显示装置中可包括位于光转换层上的金属层，以此改善显示装置的显示效果。
4.在一些实施例中，本揭露提供了一种显示装置，其包括一基板、一发光元件、一光转换层以及一第一金属层。该发光元件设置于该基板上，该光转换层设置于该发光元件上，而该第一金属层设置于该光转换层上。
附图说明
5.图1-1为本揭露第一实施例的显示装置的俯视示意图。
6.图1-2为本揭露另一实施例的显示装置的俯视示意图。
7.图2为本揭露第一实施例的显示装置的剖视示意图。
8.图3为本揭露第一实施例的显示装置的相对光强度的示意图。
9.图4为本揭露第二实施例的显示装置的剖视示意图。
10.图5为本揭露第三实施例的显示装置的剖视示意图。
11.图6为本揭露第三实施例的一变化实施例的显示装置的剖视示意图。
12.图7为本揭露第四实施例的显示装置的剖视示意图。
13.图8为本揭露第四实施例的一变化实施例的显示装置的剖视示意图。
14.附图标记说明：100、200、300、400-显示装置；a1-第一部分；a2-第二部分；a3-第三部分；ar1、ar2、ar3-区域面积；arl-抗反射层；bm-黑色矩阵层；c1、c2-曲线；cf-彩色滤光层；d3、d2、d1、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d12、d11、d10、d15、d14、d13、d10’、d11’、d12
’‑
厚度；d71、d81、d91-最大厚度；di-介电层；ed-电子装置；el1-第一电极；el2-第二电极；fl-滤光片；ful-功能层；l2、l3、l1、l2’、l3
’‑
光线；lcl-光转换层；le-发光元件；ll-发光层；ll1、ll2、ll3、ll4-延伸线；m1-第一金属层；m2-第二金属层；ml1、ml2-匹配层；op、op1-开口；p、q、r、s-点；p1、p2、l5、l6-距离；pdl-像素定义层；pln-平坦层；plns-平坦表面；px-像素；px1-第一子像素；px2-第二子像素；px3-第三子像素；px3-s-边缘；qd-光转换粒子；rs1、rs2、rs3-共振腔结构；sb1-第一基板；sb2-第二基板；sc-散射粒子；sw-挡墙；tf-填充材料；x-第一方向；y-第二方向；z-第三方向；a-a
’‑
切线。
具体实施方式
15.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了图式的简洁，本揭露中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
16.本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。
17.在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。
18.应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。当元件或膜层被称为「电连接」到另一个元件或膜层时，其可解读为直接电连接或非直接电连接，直接电连接代表两者之间不存在有其他元件或膜层。
19.术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值的正负20％范围以内，或解释为在所给定的值的正负10％、正负5％、正负3％、正负2％、正负1％或正负0.5％的范围以内。
20.虽然术语「第一」、「第二」、「第三」
…
可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三
…
取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
21.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
22.请参考图1-1、图1-2和图2，图1-1为本揭露第一实施例的显示装置的俯视示意图，图1-2为本揭露另一实施例的显示装置的俯视示意图，图2为本揭露第一实施例的显示装置的剖视示意图。为了简化附图，图1-1、图1-2仅示例性地示出了显示装置中像素的排列，其余的元件和/或膜层可参考图2的内容。此外，图2示出的结构可例如为显示装置沿图1-1中的切线a-a’的剖面结构，但不以此为限。根据本实施例，图1-1与图1-2所示的电子装置ed可以是显示装置100，可根据使用者的需求与操作而显示静态或动态的影像或画面，但不以此为限。举例来说，本实施例的显示装置100可例如包括自发光显示装置，但不以此为限。显示装置可例如应用于笔记本电脑、公共显示器、拼接显示器、车用显示器、触控显示器、电视、监视器、智能型手机、平板计算机、光源模块、照明设备或例如为应用于上述产品的电子装置，但不以此为限。下文中将以电子装置ed为显示装置100为例说明本揭露内容，但本揭露并不以此为限。
23.如图2所示，本实施例的显示装置100可包括第一基板sb1、发光元件le和平坦层pln，但不以此为限。根据本实施例，第一基板sb1可包括可挠曲基板、硬质基板或上述基板的组合。可挠曲基板的材料可例如包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚碳酸(polycarbonate，
pc)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、其他适合的材料、或上述材料的组合。硬质基板的材料可例如包括玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石或上述材料的组合。此外，虽然图2中示出的第一基板sb1为单层结构，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，第一基板sb1可包括多层结构。发光元件le可设置在第一基板sb上，并可例如通过像素定义层pdl定义发光元件le的设置位置。详细来说，如图2所示，发光元件le可设置在由像素定义层pdl所定义出的开口中，但不以此为限。像素定义层pdl可设置于第一基板sb1上。像素定义层pdl可包括任何适合的绝缘材料，本揭露并不以此为限。根据本实施例，发光元件le可例如包括发光二极管(light emitting diode，led)，其中发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、量子点二极管(quantum light-emitting diode，qled或qdled)、无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、次毫米发光二极管(mini led)、微型发光二极管(micro led)、其他任何适合的发光材料或上述的组合，但不以此为限。举例来说，图2示出的发光元件le包括无机发光二极管，例如覆晶结构(flip chip type)发光二极管的实施例，但不以此为限。在此实施例中，发光元件le可例如包括发光层ll和电连接到发光层ll的第一电极el1和第二电极el2。发光层ll可例如包括p型半导体层、主动层和n型半导体层，而第一电极el1和第二电极el2可包括任何适合的导电材料，但不以此为限。此外，虽然图2未示出，本实施例的显示装置100还可包括一电路层，设置在发光元件le以及第一基板sb1之间。电路层可例如包括各种导线、驱动电路及/或驱动电子元件以及导电材料之间的绝缘层，但不以此为限。例如电路层可包括至少一个驱动元件，其中驱动元件可例如包括薄膜晶体管(thin film transistor，tft)元件，但不以此为限。电路层可电连接到发光元件le，以此驱动发光元件le产生光线。举例来说，发光元件le的第一电极el1和第二电极el2可电连接到电路层中的驱动元件，并通过驱动元件控制发光元件le发射光线。平坦层pln可设置在发光元件le和/或像素定义层pdl上并覆盖发光元件le和/或像素定义层pdl，其中平坦层pln的上表面可例如为一平坦表面plns，使得平坦层pln上可设置其他元件或膜层，但不以此为限。根据本实施例，平坦层pln可包括任何适合的透明绝缘材料。
24.根据本实施例，显示装置100还可包括设置在发光元件le上的光转换层lcl，用于转换发光元件le所发射的光线的颜色或波长，但不以此为限。光转换层lcl可对应于至少一个发光元件le和/或电连接到该发光元件le的驱动元件(未示出)设置，以此转换来自发光元件le的光线的颜色和/或波长，但不以此为限。须注意的是，上述「光转换层lcl可对应于发光元件le设置」可定义为光转换层lcl与其所对应的发光元件le在显示装置100的俯视方向(例如第三方向z)上至少部分重叠，或是说，光转换层lcl与其所对应的发光元件le在显示装置100的基板(例如上述的第一基板sb1或下述的第二基板sb2)的法线方向(第三方向z)上至少部分重叠，但不以此为限。下文中关于「对应」或「对应设置」的定义可参考上述内容，不再赘述。根据本实施例，光转换层lcl可例如包括任何可改变通过光转换层lcl的光线的波长或颜色的材料，也就是说，发光元件le所发射的光线在通过光转换层lcl之前的颜色和通过光转换层lcl之后的颜色可不同，或是，发光元件le所发射的光线在通过光转换层lcl之前的最高能量所对应到的波长不同于光线通过光转换层lcl之后的最高能量所对应到的波长。如图2所示，本实施例中光转换层lcl可包括填充材料tf以及光转换粒子qd，其中光转换粒子qd可分布在光转换层lcl的填充材料tf中，但不以此为限。光转换粒子qd可用于
转换光线的波长和/或颜色。光转换粒子qd例如可包括量子点、磷光材料、荧光材料、其他适合材料或上述材料的组合。在一些实施例中，光转换层lcl可包括其他适合的光转换材料，例如磷光材料或荧光材料。在另一些实施例中，光转换层lcl可包含一种或多种的光转换粒子qd。在一些实施例中，光转换层lcl还可包括散射粒子sc，以此增加光线的散射。在本实施例中，显示装置100可包括多个光转换层lcl，这些光转换层lcl可例如通过遮光材料分隔开以分别对应不同的发光元件le，亦即光转换层lcl的设置位置可通过遮光材料所定义。显示装置100还可包括挡墙sw，其中挡墙sw可例如定义出至少一开口op，而光转换层lcl可设置在由挡墙sw所定义出的开口op中，但不以此为限。挡墙sw可包括任何适合的遮光材料或反射材料，本揭露并不以此为限。
25.在本实施例中，显示装置100可包括多个像素，而像素的每一个可例如包括多个子像素，或是说多个子像素可组成一个像素，但不以此为限。根据本实施例，显示装置100的子像素的位置可例如通过黑色矩阵层bm中的开口所定义，但不以此为限。具体来说，如图1-1和图2所示，显示装置100可包括设置在光转换层lcl上的黑色矩阵层bm，其中黑色矩阵层bm可包括多个开口op1，而显示装置100的子像素的位置可通过开口op1所定义，或是说，可通过开口op1所暴露出的区域所定义，但不以此为限。如图1-1所示，本实施例的显示装置100可包括多个像素px，其中每一个像素px可包括一第一子像素px1、一第二子像素px2以及一第三子像素px3，而第一子像素px1、第二子像素px2以及第三子像素px3的位置可对应到黑色矩阵层bm的开口op1的位置，但不以此为限。根据一些实施例，黑色矩阵层bm可包括任何适合的遮光材料。在一实施例中，黑色矩阵层bm的材料可与挡墙sw的材料相同，或者黑色矩阵层bm的材料可与挡墙sw的材料不相同。
26.根据本实施例，如上文所述，像素px中可例如包括三个子像素(例如第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3)，其中每一个子像素可例如显示不同颜色的光线，例如红色、蓝色、绿色或其他适合颜色的光线，但不以此为限。具体来说，各子像素可包括对应到的发光元件le和/或驱动元件(未示出)，且至少部分子像素还包括对应到的光转换层lcl，或是说，光转换层lcl和其所对应到的发光元件le和/或驱动元件可对应于显示装置100的子像素设置，使得不同的子像素可通过发光元件le和光转换层lcl发射不同的光线，但不以此为限。详细来说，如图2所示，本实施例中第一子像素px1可例如为蓝色子像素，第二子像素px2可例如为绿色子像素，而第三子像素px3可例如为红色子像素，而显示装置100的发光元件le可包括发射蓝光的发光二极管元件，但不以此为限。因此，对应到第二子像素px2的光转换层lcl中可包括能将蓝光转换为绿光的光转换粒子qd，而对应到第三子像素px3的光转换层lcl中可包括能将蓝光转换为红光的光转换粒子qd。也就是说，如图2所示，当对应到第二子像素px2的发光元件le所发射的蓝色光线l2进入光转换层lcl时，光转换层lcl中的光转换粒子qd可将蓝色光线l2转换为绿色光线l2’，而当对应到第三子像素px3的发光元件le所发射的蓝色光线l3进入光转换层lcl时，光转换层lcl中的光转换粒子qd可将蓝色光线l3转换为红色光线l3’，但不以此为限。此外，在本实施例中，由于第一子像素px1为蓝色子像素，因此本实施例中光转换层lcl可不对应于第一子像素px1设置，或是说，对应于第一子像素px1设置的层别可仅包括填充材料tf以及散射粒子sc。举例来说，对应到第一子像素px1的发光元件le所发射的蓝色光线l1进入包括填充材料tf和散射粒子sc的层别时，散射粒子sc可改变蓝色光线l1的行进方向。在一些实施例中，第一子像素px1可包含光
转换粒子qd，以调整蓝色光线l1的色度点。须注意的是，上述关于第一子像素px1、第二子像素px2、第三子像素px3和发光元件le的种类的描述仅是示例性的，本揭露并不以此为限。在一些实施例中，当发光元件le包括发射紫外光的发光二极管时，第一子像素px1中可包括可将紫外光转换为蓝光的光转换层lcl。此外，本实施例的显示装置100可选择性地包括彩色滤光层cf，设置在光转换层lcl上，并且彩色滤光层cf可设置在黑色矩阵层bm的开口op1中，也就是对应于第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3设置，其中彩色滤光层cf的颜色可取决于其所对应到的子像素的颜色。因此，对应到第一子像素px1的彩色滤光层cf可例如包括蓝色彩色滤光层cf，对应到第二子像素px2的彩色滤光层cf可例如包括绿色彩色滤光层cf，而对应到第三子像素px3的彩色滤光层cf可例如包括红色彩色滤光层cf。上述关于显示装置100的光转换层lcl、像素px和子像素的特征叙述可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故之后不再赘述。
27.除了上述的元件和/或膜层外，本实施例的显示装置100还可包括一滤光片fl，可设置在发光元件le与光转换层lcl之间。举例来说，如图2所示，滤光片fl可例如设置在平坦层pln上，并位于光转换层lcl与发光元件le之间，但不以此为限。根据本实施例，滤光片fl对红光和/或绿光的反射率可大于滤光片fl对蓝光的反射率，例如滤光片fl对红光和/或绿光的反射率可大于70％，而对蓝光的反射率可小于30％，但不以此为限。如上文所述，在本实施例的显示装置100中，发光元件le可例如包括发射蓝光的发光二极管元件，绿色子像素(第二子像素px2)中的光转换层lcl可包括将发光元件le发射的蓝光(光线l2)转换为绿光(光线l2’)的光转换粒子qd，而红色子像素(第三子像素px3)中的光转换层lcl可包括将发光元件le发射的蓝光(光线l3)转换为红光(光线l3’)的光转换粒子qd。因此，当显示装置100包括位于光转换层lcl与发光元件le之间的滤光片fl时，由于滤光片fl对红光和/或绿光的反射率较大，经由光转换层lcl转换波长和/或颜色的光线l2’以及光线l3’穿过滤光片fl并回到发光元件le的机率可下降，以此提升显示装置100的出光量，进而改善显示装置100的显示效果。此外，由于滤光片fl对蓝光的反射率较小，因此滤光片fl对于光转换层lcl的光转换效率的影响可降低，进而减少滤光片fl对于显示装置100的显示效果的影响。上述关于滤光片的特征叙述可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故下文不再赘述。
28.根据本实施例，显示装置100还可包括第一金属层m1以及选择性地包括介电层di以及第二金属层m2，其中介电层di可设置在第一金属层m1和第二金属层m2之间，但不以此为限。第一金属层m1可设置在光转换层lcl上，例如可设置在光转换层lcl以及挡墙sw上。介电层di可例如具有多个部分，其中介电层di的各个部分可分别对应到显示装置100的子像素(例如第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3)的位置，填在挡墙sw的开口op中。第二金属层m2可与第一金属层m1对应设置，其中第二金属层m2对应到挡墙sw(或黑色矩阵层bm)的一部分可接触第一金属层m1，但不以此为限。根据本实施例，设置在光转换层lcl上的第一金属层m1、介电层di以及第二金属层m2所形成的金属层/介电层/金属层堆栈结构可构成类似于共振腔结构，可使具有特定波长的光线在共振腔结构的腔体内共振。也就是说，显示装置100可包括设置在光转换层lcl与第二基板sb2之间的共振腔结构。此外，如上文所述，由于介电层di可包括多个部分，分别对应于显示装置100的子像素设置，因此，如图2所示，本实施例的显示装置100中可包括多个由第一金属层m1、介电层di以及第二金属层m2所形成的共振腔结构(例如共振腔结构rs1、共振腔结构rs2和共振腔结构rs3)，而该些共
振腔结构可例如分别对应于显示装置100的子像素(例如第一子像素px1、第二子像素px2及第三子像素px3)设置，但不以此为限。在本实施例中介电层di可包括对应到第三子像素px3的第一部分a1和对应到第二子像素px2的第二部分a2，以及对应到第一子像素px1的第三部分a3。共振腔结构rs1可包含一部分的第一金属层m1、介电层di的第三部分a3以及一部分的第二金属层m2。共振腔结构rs2可包含另一部分的第一金属层m1、介电层di的第二部分a2以及另一部分的第二金属层m2。共振腔结构rs3可包含又另一部分的第一金属层m1、介电层di的第一部分a1以及又另一部分的第二金属层m2。
29.根据本实施例，第一金属层m1和第二金属层m2可包括具高反射率的金属材料，例如，第一金属层m1和第二金属层m2的材料可包括镁、银、其他适合的金属材料或上述材料的合金，但不以此为限。此外，在本实施例中，介电层di可例如包括透明介电层，但不以此为限。举例来说，介电层di可包括例如二氧化硅(sio2)、氟化镁(mgf2)、氟化铝(alf3)、氟化锂(lif)、氟铝酸钠(na3alf6)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。根据另一些实施例，介电层di可包括具有低折射率的介电材料，例如折射率小于1.5的介电材料，但不以此为限。
30.根据本实施例，显示装置100可包括发射不同颜色的光线的子像素，而对应于不同子像素的共振腔结构可具有不同的设计，以此达到各共振腔结构所对应到的子像素颜色的光线在该共振腔结构中共振的效果。具体来说，显示装置100的第一子像素px1可包括蓝色子像素，而对应第一子像素px1的共振腔结构rs1可使蓝光在共振腔结构rs1的腔体中共振；第二子像素px2可包括绿色子像素，而对应第二子像素px2的共振腔结构rs2可使绿光在共振腔结构rs2的腔体中共振；第三子像素px3可包括红色子像素，而对应第三子像素px3的共振腔结构rs3可使红光在共振腔结构rs3的腔体中共振。需注意的是，共振腔结构的厚度可设定为预定在该共振腔结构中共振的光线的波长一半的整数倍除以介电层di的折射率，例如为介电层di的折射率分之波长的一半(nλ/2n，其中，n为整数，λ为共振腔结构中共振的光线的波长，n为介电层di的折射率)，亦即可通过调整共振腔结构的厚度改变在该共振腔结构中共振的光线的波长，其中共振腔结构的厚度在本实施例中可例如定义为共振腔结构中第一金属层m1、介电层di和第二金属层m2在第三方向z的最大厚度总和，但不以此为限。举例来说，如图2所示，对应到第一子像素px1的共振腔结构rs1可具有厚度d3，厚度d3可例如为介电层di的第三部分a3的折射率分之蓝光波长的一半，举例来说，蓝光的波长范围可例如从445纳米(nm)到465纳米，则厚度d3例如可大于或等于222纳米除以介电层di的第三部分a3的折射率且小于或等于233纳米除以介电层di的第三部分a3的折射率，但不以此为限。对应到第二子像素px2的共振腔结构rs2可具有厚度d2，厚度d2可例如为介电层di的第二部分a2的折射率分之绿光波长的一半，举例来说，绿光的波长范围可例如从515纳米到550纳米，则厚度d2例如可大于或等于257纳米除以介电层di的第二部分a2的折射率且小于或等于275纳米除以介电层di的第二部分a2的折射率，但不以此为限。对应到第三子像素px3的共振腔结构rs3可具有厚度d1，厚度d1可例如为介电层di的第一部分a1的折射率分之红光波长的一半。举例来说，红光的波长范围可例如从610纳米到650纳米，则厚度d1例如可大于或等于305纳米除以介电层di的第一部分a1的折射率且小于或等于325纳米除以介电层di的第一部分a1的折射率，但不以此为限。根据本实施例，由于红光波长大于绿光波长，而绿光波长大于蓝光波长，因此本实施例中共振腔结构rs3的厚度d1可大于共振腔结构rs2的厚
度d2，而共振腔结构rs2的厚度d2可大于共振腔结构rs1的厚度d3，但不以此为限。
31.如上文所述，本实施例中对应到不同的子像素的共振腔结构可具有不同的厚度，其中共振腔结构的厚度改变可例如通过调整介电层di的厚度达成，因此对应到不同子像素的共振腔结构的厚度可不同。根据一些实施例，在不同共振腔结构中的第一金属层m1和第二金属层m2可具有相同的厚度，但不以此为限。举例来说，第一金属层m1和第二金属层m2的厚度可大于或等于10纳米且小于或等于100纳米，且第一金属层m1的厚度和第二金属层m2的厚度可相同或不同，本揭露并不以上述为限。再者，根据本实施例，介电层di的厚度可与介电层di的折射率以及在共振腔结构中共振的光线波长(以下简称为光线波长)有关，具体来说，介电层di的厚度、介电层di的折射率和光线波长的关系可如下式(1)所示。
32.介电层di的折射率
×
介电层di的厚度
∝
光线波长(1)
33.因此，从上式(1)中可以看出，当对应到不同子像素的介电层di包括相同材料，或是具有相同的折射率时，介电层di的厚度可正比于光线波长。以第三子像素px3为红色子像素，第二子像素px2为绿色子像素，第一子像素px1为蓝色子像素为例，由于红光波长大于绿光波长，绿光波长大于蓝光波长，因此介电层di的第一部分a1的厚度d4可大于介电层di的第二部分a2的厚度d5，介电层di的第二部分a2的厚度d5可大于电层di的第三部分a3的厚度d6，但不以此为限。通过调整介电层di在不同子像素的厚度，共振腔结构的厚度可被调整，进而改变在共振腔结构内共振的光线波长，但不以此为限。
34.根据本实施例，显示装置100的不同子像素可分别包括设置在光转换层lcl和第二基板sb2之间的共振腔结构，共振腔结构可针对各颜色子像素而具有特定设计，使得当不同子像素的光线自光转换层lcl射出并进入共振腔结构时，不同颜色的光线可以在各子像素的共振腔结构中共振。因此，最终出射光(或是说被使用者所接收的光)于正视方向上的光强度可被改善，进而改善显示装置100的显示效果。此外，在一些实施例中，当共振腔结构中的第一金属层m1对共振的光线波长的反射率大于第二金属层m2对共振的光线波长的反射率时，由于光线在共振腔结构中的共振次数增加，最终出射光的色纯度可被改善。在本实施例中，当第一金属层m1和第二金属层m2包括相同材料时，可通过调整第一金属层m1的厚度和第二金属层m2的厚度达成第一金属层m1对共振的光线波长的反射率和第二金属层m2对共振的光线波长的反射率不同的设计，但不以此为限。本实施例中关于共振腔结构以及共振腔结构中的第一金属层m1、第二金属层m2和介电层di的特征叙述可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故下文不再赘述。
35.除了上述的元件和/或膜层外，本实施例的显示装置100还可包括第二基板sb2，对应于第一基板sb1设置，其中光转换层lcl、发光元件le、第一金属层m1、介电质层di以及第二金属层m2在显示装置100的俯视方向(第三方向z)上可位于第一基板sb1和第二基板sb2之间，但不以此为限。本实施例的第二基板sb2的材料可参考上述第一基板sb1的叙述，故在此不再赘述。
36.除了上述的元件和/或膜层外，本实施例的显示装置100还可选择性地包括抗反射层arl，设置在第一金属层m1上。换句话说，如图2所示，抗反射层arl可设置在第一金属层m1上的任一层中，例如反射层arl可设置在第二基板sb2上，但不以此为限。根据本实施例，抗反射层arl可例如包括圆偏振片或其他适合的抗反射材料。在本实施例中，从显示装置100的靠近第二基板sb2的一侧进入的环境光可能会被第一金属层m1和/或第二金属层m2反射，
设置抗反射层arl于第一金属层m1上(例如设置于第二基板sb2上)可降低环境光被第一金属层m1和/或第二金属层m2反射的机会。
37.根据一些实施例，当像素px的发光区域面积小于像素px的面积的30％时，由于黑色矩阵层bm在像素px中所占据的比例增加，环境光被第一金属层m1和/或第二金属层m2反射的机率可降低，因此显示装置100中可不包括抗反射层arl。详细来说，如图1-1与图1-2所示，显示装置100的多个像素px可例如沿第一方向x和第二方向y排列，其中第一方向x可例如垂直于第二方向y，但不以此为限。各像素px可分别包括一个或多个子像素以及黑色矩阵层bm，但不以此为限。其中，一个或多个子像素的面积的总和可例如定义为像素px的发光区域面积。举例来说，像素px的发光区域面积可以是第一子像素px1的区域面积ar1、第二子像素px2的区域面积ar2和第三子像素px3的区域面积ar3的总和，但不以此为限。如图1-1与图1-2所示，第一子像素px1、第二子像素px2与第三子像素px3最高的点(例如点p)，延第一方向x画出一延伸线ll1；第一子像素px1、第二子像素px2与第三子像素px3最左侧的点(例如点q)，延第二方向y画出一延伸线ll2；以类似方法，可取得在第一方向x与第二方向y上最邻近的第一子像素px1、第二子像素px2与第三子像素px3的最上方与最左侧的点(例如点r与点s)，并可得到延伸线ll3与延伸线ll4，像素px可以是延伸线ll1、延伸线ll2、延伸线ll3与延伸线ll4所围起来的范围，换句话说，像素px的面积可以是延伸线ll1、延伸线ll2、延伸线ll3与延伸线ll4所围起来的面积。距离p1可以是点q与点s的距离。类似地，距离p2可以是点p与点r的距离。在一些实施例中，距离p1可与距离p2可相同或不同，本揭露并不以此为限。根据一些实施例，第一方向x例如可以是显示装置100的扫描线(未绘示)大致延伸的方向；第二方向y例如可以是显示装置100的数据线(未绘示)大致延伸的方向。值得注意的是，上文中的「最左侧」与「最上方」可以是从面向第二基板sb2的方向上所观察到的最左侧与最上方，但不以此为限。
38.值得注意的是，图1-1中的子像素的形状与排列顺序仅为示意，本揭露并不以此为限。在一些实施例中，子像素可具有任何适合的形状，例如为圆形、椭圆或三角形，但不限于此。举例来说，如图1-2所示，第一子像素px1、第二子像素px2与第三子像素px3的边缘(例如边缘px3-s)可以包含弧形边缘，但不限于此。在一些实施例中，第一子像素px1可例如为蓝色子像素，并可设置于第二子像素px2与第三子像素px3之间。根据另一些实施例，第一子像素px1的区域面积ar1可小于第二子像素px2的区域面积ar2与第三子像素px3的区域面积ar3，但不限于此。
39.本实施例在第一金属层m1上设置抗反射层arl可降低环境光被第一金属层m1和/或第二金属层m2反射而进入使用者眼睛的机率，以此改善显示装置100的显示效果。本实施例中关于抗反射层arl的特征叙述可应用到本揭露各实施例与变化实施例中，故不再赘述。
40.请参考图3，图3为本揭露第一实施例的显示装置的相对光强度的示意图，其中图3示出的两条曲线是代表不同的显示装置在特定波长下的相对光强度变化。详细来说，曲线c1示出了不包括上述的第一金属层m1、介电层di和第二金属层m2的显示装置在特定波长下的光强度变化，而曲线c2示出了本实施例中包括第一金属层m1、介电层di和第二金属层m2(亦即共振腔结构)的显示装置100在特定波长下的光强度变化。也就是说，具有曲线c1的光强度变化的显示装置与具有曲线c2的光强度变化的本实施例的显示装置100的差异在于是否包括上述的共振腔结构。如上文所述，由于本实施例的显示装置100可包括由第一金属层
m1、介电层di以及第二金属层m2所形成的共振腔结构，因此显示装置100的出射光相较于不包括共振腔结构的显示装置具有较大的光强度。例如，如图3所示，当不包括共振腔结构的显示装置在图3所示出的一波长范围中的最大光强度为100％时(如曲线c1所示)，本实施例的显示装置100在该波长范围中的最大光强度可例如约为150％(如曲线c2所示)，亦即相对光强度可增加50％。此外，本实施例显示装置100中共振腔结构的设计可以改善光的色纯度。如图3所示，曲线c1中对应到最大相对光强度的一半的波长之间的距离大于曲线c2中对应到最大相对光强度的一半的波长之间的距离。举例来说，曲线c2中对应到最大相对光强度的一半为75％时，曲线c2最高波长与最低波长间的差为距离l5；曲线c1中对应到最大相对光强度的一半为50％时，曲线c1最高波长与最低波长间的差为距离l6，且距离l6大于距离l5。须注意的是，图3中不同的显示装置的相对光强度的比较不考虑显示装置100的滤光片fl(如图2所示)的影响，而图3所示出的比较结果实际上是在显示装置100不包括滤光片fl的情形下所获得的，但本揭露并不以此为限。在一些实施例中，显示装置100可选择性地包括滤光片fl。
41.须注意的是，本实施例的显示装置100中所包括的元件和/或膜层以及各元件和/或膜层的设置并不以图2所示和上述内容为限，并可根据产品的设计需求而包括其他适合的元件和/或膜层。下文中将描述本揭露更多的实施例内容。为了简化说明，下述实施例中相同的膜层或元件会使用相同的标注，且其特征不再赘述，而各实施例之间的差异将会于下文中详细描述。
42.请参考图4，图4为本揭露第二实施例的显示装置的剖视示意图。本实施例所示的显示装置200与第一实施例的显示装置100主要的差异之一在于显示装置的结构设计。根据本实施例，显示装置200可包括第一金属层m1以及第二金属层m2，其中第一金属层m1和第二金属层m2可例如设置在光转换层lcl的上、下两侧，亦即光转换层lcl可设置在第一金属层m1和第二金属层m2之间。显示装置200的第一金属层m1和第二金属层m2的材料可参考上述显示装置100的第一金属层m1和第二金属层m2的材料，故不再赘述。详细来说，如图4所示，在形成平坦层pln之后，可在平坦层pln的平坦表面plns上形成第一金属层m1，在第一金属层m1上设置光转换层lcl，再在光转换层lcl上设置第二金属层m2，其中第二金属层m2与第一金属层m1可彼此对应设置，且对应于各子像素中的光转换层lcl。在一些实施例中，相邻子像素中的第一金属层m1与第二金属层m2可分别为不连续的膜层，被挡墙sw隔开而位于挡墙sw的开口op中，但不以此为限。在一些实施例中，挡墙sw可当作前述黑色矩阵层bm。在另一些实施例中，彩色滤光层cf可设置在挡墙sw之间。根据本实施例，显示装置200的第一金属层m1、第二金属层m2和设置在第一金属层m1和第二金属层m2之间的光转换层lcl可例如形成上述的共振腔结构。举例来说，图4中第二子像素px2中的第一金属层m1、光转换层lcl和第二金属层m2可形成共振腔结构rs2。因此，发光元件le所发射的光线在进入光转换层lcl后，可在光转换层lcl中共振或循环，以此提升光转换层lcl的光转换效率，进而改善显示装置200的显示效果。
43.如上文所述，显示装置中对应到不同的子像素的共振腔结构可具有不同的厚度，而根据本实施例，共振腔结构的厚度改变可例如通过调整光转换层lcl的厚度达成，亦即对应到不同子像素的光转换层lcl可例如具有不同的厚度，以此让对应到不同的子像素的共振腔结构的厚度不同，但不以此为限。此外，本实施例的显示装置200在不同共振腔结构中
的第一金属层m1和第二金属层m2可分别具有相同的厚度，但不以此为限。第一金属层m1和第二金属层m2的厚度范围可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。在本实施例中，第一金属层m1和第二金属层m2可以是被图案化的金属层，但不限于此。详细来说，如图4所示，在本实施例中，发光元件le可包括蓝色发光二极管元件，第一子像素px1可包括蓝色子像素，第二子像素px2可包括绿色子像素，而第三子像素px3可包括红色子像素，其中对应到第三子像素px3的光转换层lcl可具有厚度d7，对应到第二子像素px2的光转换层lcl可具有厚度d8，而对应到第一子像素px1的填充材料tf可具有厚度d9，但不以此为限。在一些实施例中，当发光元件le包括发射紫外光或其他颜色的光线的发光二极管时，对应到第一子像素px1的填充材料tf中可包括将光线转换成蓝光波长的量子点，或是说，第一子像素px1可包括光转换层，而厚度d9可为对应到第一子像素px1的光转换层的厚度。根据本实施例，由于红光波长大于绿光波长，因此对应到第三子像素px3(红色子像素)的共振腔结构rs3在第三方向z的最大厚度d71可大于对应到第二子像素px2(绿色子像素)的共振腔结构rs2在第三方向z的最大厚度d81。在一些实施例中，对应到第二子像素px2的光转换层lcl在第三方向z的最大厚度d81可大于对应到第一子像素px1的填充材料tf在第三方向z的最大厚度d91。
44.根据本实施例，由于显示装置200的光转换层lcl可属于共振腔结构的一部分，因此显示装置200的光转换层lcl(对应第二子像素px2和第三子像素px3)中可不包括图2所示的散射粒子sc，但可包括填充材料tf和光转换粒子qd。此外，在本实施例中，由于第一子像素px1可为蓝色子像素，而发光元件le包括蓝光发光二极管，因此第一子像素px1中可不包括光转换层lcl而可包括填充材料tf，但不以此为限。在一些实施例中，第一子像素px1可包含光转换粒子qd，以调整蓝色光线l1的色度点。本实施例的显示装置200的光转换层lcl中可不包括散射粒子，以此降低散射粒子对于包括光转换层lcl的共振腔结构的光学性质的影响。此外，本实施例的显示装置200还可选择性包括设置在第二金属层m2上的介电层di，当显示装置200还包括设置在光转换层lcl上的彩色滤光层cf时，介电层di可设置在光转换层lcl与彩色滤光层cf之间。若光转换层lcl与彩色滤光层cf之间未设置介电层di，发光元件le所发射的光线在通过共振腔结构后进入彩色滤光层cf，发光元件le所发射的光线可能会因为彩色滤光层cf的折射率与第二金属层m2的折射率相差过大而导致发光元件le所发射的光线产生较大的反射，进而提高光能量的损耗。反之，若光转换层lcl与彩色滤光层cf之间设置介电层di，且介电层di的折射率介于彩色滤光层cf的折射率与第二金属层m2的折射率之间，可以此降低彩色滤光层cf对于共振腔结构的光学性质的影响，换句话说，可降低因折射率相差过大而导致发光元件le所发射的光线产生较大的反射的机会，进而提升出光的能量。本实施例的介电层di的材料可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。图4所示的显示装置200的其他元件和/或膜层的特征可参考上述第一实施例的叙述，故不再赘述。
45.请参考图5，图5为本揭露第三实施例的显示装置的剖视示意图。图5所示的显示装置300与第一实施例的显示装置100主要的差异之一在于显示装置的结构设计。根据本实施例，如图5所示，显示装置300可包括第一金属层m1以及两层介电层di，其中第一金属层m1和两层介电层di可设置在光转换层lcl上，而第一金属层m1可设置在两层介电层di之间，但不以此为限。也就是说，显示装置300的第一金属层m1和两层介电层di可形成介电层/金属层/介电层的堆栈结构。第一金属层m1和两层介电层di的材料可参考第一实施例的内容，故不再赘述。此外，在本实施例中，显示装置300还可包括匹配层ml1与匹配层ml2，可设置于光转
换层lcl上。详细来说，本实施例的显示装置300可包括匹配层ml1与匹配层ml2，匹配层ml1可设置于第一金属层m1上，匹配层ml2可设置于第一金属层m1与光转换层lcl之间。根据一些实施例，第一金属层m1和两层介电层di可设置在匹配层ml1与匹配层ml2之间，但不以此为限。根据一些实施例，匹配层ml1和/或匹配层ml2可以是单层结构。根据本实施例，匹配层ml1和/或匹配层ml2可例如为多层结构，或是说，可为由高折射率的介电材料和低折射率的介电材料堆栈而成的堆栈结构，但不以此为限。详细来说，本揭露中提到的「低折射率的介电材料」可指折射率小于1.5的介电材料，而「高折射率的介电材料」可指折射率大于1.6的介电材料。低折射率的介电材料的举例可参考上述第一实施例的内容，而高折射率的介电材料可例如包括二氧化钛(tio2)、五氧化二钽(ta2o5)、五氧化二铌(nb2o5)、二氧化锆(zro2)、二氧化铪(hfo2)、氧化铝(al2o3)或其他适合的材料，但不以此为限。
46.根据本实施例，显示装置300的匹配层ml1和/或匹配层ml2、两层介电层di以及第一金属层m1可形成上述的共振腔结构，而共振腔结构的厚度可例如为在第三方向z上，匹配层ml1和/或匹配层ml2的厚度、两层介电层di的厚度和第一金属层m1的厚度的总和，但不以此为限。此外，在本实施例中，位于同一个共振腔结构中的两个介电层di的厚度可大致上相同，但不以此为限。根据本实施例，对应到第二子像素px2(绿色子像素)与第三子像素px3(红色子像素)的匹配层ml2对红光与绿光的反射率可小于对蓝光的反射率。如此，发光元件le所发射的光线在通过光转换层lcl之后并进入共振腔结构时，可降低红光与绿光被反射的机会，进而提高发光元件le所发射的光线进入共振腔结构rs2与共振腔结构rs3的光能量。在一些实施例中，匹配层ml2可被图案化，匹配层ml1可不被图案化，或者，匹配层ml1可被图案化，匹配层ml2可不被图案化。在另一些实施例中，匹配层ml1与匹配层ml2可皆被图案化或都不被图案化，本揭露不限于此。
47.如上文所述，对应到不同子像素的共振腔结构可具有不同的厚度，而根据本实施例，共振腔结构的厚度改变可例如通过调整共振腔结构中的两层介电层di的厚度达成，但不以此为限。也就是说，本实施例中对应到不同的子像素的介电层di可具有不同的厚度，以此让对应到不同的子像素的共振腔结构的厚度不同。此外，在不同共振腔结构中的第一金属层m1可具有相同的厚度，但不以此为限。第一金属层m1的厚度范围可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。详细来说，如图5所示，对应到第一子像素px1的共振腔结构rs1可包括两层介电层di，其中共振腔结构rs1的两层介电层di可分别具有一厚度d12与一厚度d12’，在一些实施例中，厚度d12与厚度d12’可以相同或不同。对应到第二子像素px2的共振腔结构rs2可包括两层介电层di，其中共振腔结构rs2的两层介电层di可分别具有一厚度d11与一厚度d11’，在一些实施例中，厚度d11与厚度d11’可以相同或不同。对应到第三子像素px3的共振腔结构rs3可包括两层介电层di，其中共振腔结构rs3的两层介电层di可分别具有一厚度d10与一厚度d10’，在一些实施例中，厚度d10与厚度d10’可以相同或不同。根据本实施例，第一子像素px1可包括蓝色子像素，而对应第一子像素px1的共振腔结构rs1可使蓝光在共振腔结构rs1的腔体中共振；第二子像素px2可包括绿色子像素，而对应第二子像素px2的共振腔结构rs2可使绿光在共振腔结构rs2的腔体中共振；第三子像素px3可包括红色子像素，而对应第三子像素px3的共振腔结构rs3可使红光在共振腔结构rs3的腔体中共振。由于红光波长大于绿光波长，绿光波长大于蓝光波长，共振腔结构rs3的厚度可大于共振腔结构rs2的厚度，共振腔结构rs2的厚度可大于共振腔结构rs1的厚度，于此实施例中，
共振腔结构rs3的介电层di的厚度d10与d10’的厚度总合可大于共振腔结构rs2的介电层di的厚度d11与d11’的厚度总合，而共振腔结构rs2的介电层di的厚度d11与d11’的厚度总合可大于共振腔结构rs1的介电层di的厚度d12与d12’的厚度总合，但不以此为限。
48.根据本实施例，如图5所示，除了上述的元件和/或膜层外，显示装置300还可包括功能层ful，功能层ful可设置在滤光片fl与光转换层lcl之间，但不以此为限。本实施例的功能层ful可例如包括多层结构，详细来说，功能层ful可包括由氧化硅和氮化硅堆栈形成的多层结构，但不以此为限。此外，在本实施例中，如图5所示，滤光片fl可例如包括多层结构，其中功能层ful的各层别的厚度可例如大于滤光片fl的各层别的厚度，但不以此为限。举例来说，功能层ful的各层别的厚度可例如大于1微米(μm)，而滤光片fl的各层别的厚度可例如小于1微米，例如约为100纳米，但不以此为限。在一些实施例中，整个功能层ful于第三方向z上的厚度可例如小于整个滤光片fl于第三方向z上的厚度。根据本实施例，功能层ful可提供光转换层lcl的防水氧功能，亦即可降低光转换层lcl受到水气或氧气的影响。此外，功能层ful可作为缓冲层，降低显示装置300的共振腔结构的光学性质受到影响的机率。详细来说，当滤光片fl与功能层ful接触的表面因制程因素而呈现粗糙表面时，共振腔结构的光学性质可能受到影响而产生偏移。然而，由于显示装置300的功能层ful可例如作为一平坦层，共振腔结构的光学性质受到影响的机会可降低，以此改善显示装置300的显示效果。本实施例中显示装置300包括功能层ful的特征可应用到本揭露各实施例与变化实施例中。图5所示的显示装置300的其他元件和/或膜层的特征可参考上述第一实施例的叙述，故不再赘述。根据一些实施例，滤光片fl可包含无机材料，但不限于此。本实施例的滤光片fl与前述实施例中的滤光片fl类似，可参考前述滤光片fl的材料或功能，故不再赘述。
49.须注意的是，本实施例的显示装置并不以图5所示的显示装置300为限，而可包括其他适合的结构。举例来说，图6示出了本揭露第三实施例的一变化实施例的显示装置的剖视示意图。如图6所示，显示装置300可包括第一金属层m1、两层介电层di、匹配层ml1以及匹配层ml2，而根据本变化实施例，第一金属层m1和位于第一金属层m1下方的匹配层ml2可不被图案化，或是说可为连续的，亦即位于不同子像素中的第一金属层m1可彼此相连而不断开，而位于不同子像素中的匹配层ml1以及匹配层ml2可彼此相连而不断开，但不以此为限。上述第一金属层m1和其下方的匹配层ml2可不须被图案化的设计，可使显示装置300的制程步骤减少，进而降低显示装置300的生产成本。
50.请参考图7，图7为本揭露第四实施例的显示装置的剖视示意图。图7所示的显示装置400与第一实施例的显示装置100主要的差异之一在于显示装置的结构设计。根据本实施例，显示装置400可包括设置在光转换层lcl上的第一金属层m1、第二金属层m2以及三层介电层di，其中第一金属层m1和第二金属层m2可设置在三层介电层di之间，但不以此为限。也就是说，显示装置400的第一金属层m1、第二金属层m2以及三层介电层di可形成介电层/金属层/介电层/金属层/介电层的堆栈结构。第一金属层m1、第二金属层m2以及三层介电层di的材料可参考第一实施例的内容，故不再赘述。此外，如图7所示，本实施例的显示装置400还可包括匹配层ml1以及匹配层ml2，其中匹配层ml1以及匹配层ml2可分别设置在由第一金属层m1、第二金属层m2以及三层介电层di所形成的堆栈结构的两侧，亦即由第一金属层m1、第二金属层m2以及三层介电层di所形成的堆栈结构可设置在匹配层ml1以及匹配层ml2之间，但不以此为限。显示装置400的匹配层ml1以及匹配层ml2的结构可参考上述显示装置
300的匹配层ml1以及匹配层ml2的叙述，故不再赘述。
51.根据本实施例，显示装置400的第一金属层m1、第二金属层m2、三层介电层di、匹配层ml1以及匹配层ml2可例如形成上述的共振腔结构，而共振腔结构的厚度可例如为匹配层ml1的厚度、匹配层ml2的厚度、三层介电层di的厚度、第一金属层m1的厚度和第二金属层m2的厚度的总和，但不以此为限。此外，在本实施例中，位于同一个共振腔结构中的三层介电层di中可包括分别与匹配层ml1以及匹配层ml2接触的两层介电层di以及位于第一金属层m1和第二金属层m2之间的一层介电层di，其中该两层介电层di的厚度可大致上相同，而该一层介电层di的厚度可例如为该两层介电层di的厚度总和，或是说，该一层介电层di的厚度可为该两层介电层di的其中任一层的厚度的大致上两倍，但不以此为限。详细来说，在共振腔结构rs1中，分别与匹配层ml1、匹配层ml2接触的两层介电层di可具有厚度d15，而位于第一金属层m1和第二金属层m2之间的介电层di的厚度可例如为厚度d15的大致上两倍；在共振腔结构rs2中，分别与匹配层ml1以及匹配层ml2接触的两层介电层di可具有厚度d14，而位于第一金属层m1和第二金属层m2之间的介电层di的厚度可例如为厚度d14的大致上两倍；在共振腔结构rs3中，分别与匹配层ml1以及匹配层ml2接触的两层介电层di可具有厚度d13，而位于第一金属层m1和第二金属层m2之间的介电层di的厚度可例如为厚度d13的大致上两倍，但不以此为限。如上文所述，对应到不同子像素的共振腔结构可具有不同的厚度，而根据本实施例，共振腔结构的厚度改变可例如通过调整共振腔结构中的三层介电层di的厚度达成，但不以此为限。也就是说，本实施例中对应到不同的子像素的介电层di可具有不同的厚度，以此让对应到不同的子像素的共振腔结构的厚度不同。须注意的是，在不同共振腔结构中，第一金属层m1可具有相同的厚度，例如共振腔结构rs2中的第一金属层m1的厚度与共振腔结构rs3中的第一金属层m1的厚度可相同。在不同共振腔结构中，第二金属层m2可具有相同的厚度，例如共振腔结构rs2中的第二金属层m2的厚度与共振腔结构rs3中的第二金属层m2的厚度可相同，但不以此为限。第一金属层m1和第二金属层m2的厚度范围可参考上述第一实施例的内容，故不再赘述。详细来说，如图7所示，显示装置400中的共振腔结构rs1可对应到第一子像素px1，共振腔结构rs2可对应到第二子像素px2，而共振腔结构rs3可对应到第三子像素px3，其中第一子像素px1可包括蓝色子像素，第二子像素px2可包括绿色子像素，而第三子像素px3可包括红色子像素。根据本实施例，如上文所述，由于对应到第三子像素px3的共振腔结构rs3的厚度可大于对应到第二子像素px2的共振腔结构rs2的厚度，而对应到第二子像素px2的共振腔结构rs2的厚度可大于对应到第一子像素px1的共振腔结构rs1的厚度，因此不同的共振腔结构中的介电层di的厚度可经过设计，使得共振腔结构rs3的介电层di的厚度d13可大于共振腔结构rs2的介电层di的厚度d14，而共振腔结构rs2的介电层di的厚度d14可大于共振腔结构rs1的介电层di的厚度d15，但不以此为限。如上文所述，由于显示装置400中的金属层的数量可增加，光线的穿透频谱特性可被改善，进而改善显示装置400的显示效果。图7所示的显示装置400的其他元件和/或膜层的特征可参考上述第一实施例的叙述，故不再赘述。
52.须注意的是，本实施例的显示装置并不以图7所示的显示装置400为限，而可包括其他适合的结构。举例来说，图8示出了本揭露第四实施例的一变化实施例的显示装置的剖视示意图。如图8所示，显示装置400可包括第一金属层m1、第二金属层m2、三层介电层di、匹配层ml1以及匹配层ml2，而根据本变化实施例，第一金属层m1、第二金属层m2和位于第一金
属层m1下方的匹配层ml2可不被图案化，或是说可为连续的，但不以此为限。详细来说，如图8所示，位于不同的子像素中的第一金属层m1可彼此相连而不断开，位于不同的子像素中的匹配层ml1以及匹配层ml2可彼此相连而不断开，而位于不同的子像素中的第二金属层m2可彼此相连而不断开但不以此为限。由于本变化实施例中显示装置400的第一金属层m1、第二金属层m2和位于第一金属层m1下方的匹配层ml2可不须被图案化，显示装置400的制程步骤可减少，进而降低显示装置400的生产成本。
53.综上所述，本揭露提供了一种显示装置，其中显示装置的光转换层上可包括由金属层和介电层所形成的共振腔结构，共振腔结构可包括三层以上的膜层，例如包括金属层与介电层间隔设置。因此，显示装置的最终出射光(或是说被使用者所接收的光)的色纯度或在准直方向上的强度可被改善，进而改善显示装置100的显示效果。
54.以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。本揭露实施例之间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。即凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。