技术总结
本发明涉及一种铝掺杂4H碳化硅的激光热处理方法，其首先把注入铝受体碳化硅放置纯Ar气下；然后以Nd:YAG激光脉冲第一阶段照射在Al受主制备P型区上；再以Nd:YAG激光脉冲第二阶段照射在Al受主制备P型区上；最后以Nd:YAG激光脉冲第三阶段照射在Al受主制备P型区上，完成注入后热处理工艺。本发明采用Nd:YAG激光，接近4H碳化硅能量带宽度3.23eV，提高晶体取受收光能的效率。同时激光的小光点特性可以有效的只针对注入的P型区域加热，不同以热管加热的方式全面升温。三阶段的加热是改善加热时晶体内緃向的温度梯度，这样最终可以有效降低表面的最高温度，改善在高温退火过程中发生的表面恶化。面恶化。
技术研发人员：叶宏伦 蔡斯元 蔡期开 洪天河 钟其龙 刘崇志
受保护的技术使用者：芯璨半导体科技（山东）有限公司
技术研发日：2021.04.07
技术公布日：2021/7/8