硅片刻蚀装置的制作方法

本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置。

背景技术：

把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金属薄膜(如铝及其合金)上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀，湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过试剂溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致试剂溶液出现波动，而波动的试剂溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被试剂溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是：为了解决传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致溶液出现波动，而波动的溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率的问题，现提供了一种硅片刻蚀装置。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，所述硅片在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片与第一限位机构接触并限制硅片位移。

本发明通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可靠。

为了便于介质的回收，进一步地，还包括槽体，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体上。通过将喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体上，这样便于介质通过槽体回收。

为了更好的对介质会循环利用，进一步地，所述槽体包括上槽和下槽，所述上槽设置在下槽上方，所述上槽和下槽之间相互连通。通过将槽体分成上槽和下槽，并且上槽位于下槽上方并相互连通，这样介质由上槽留着到下槽内，通过喷淋机构对介质进行循环利用。

为了防止介质飞溅出槽体，进一步地，所述槽体上方盖设有盖板。通过在槽体上盖设盖板，有效防止介质飞溅出槽体现象。

为了实现第一限位机构，进一步地，所述第一限位机构包括设置在硅片上方的芯轴。通过在硅片上方设置芯轴，实现限制硅片的位移范围。

为了保证硅片在喷射介质的作用力过大导致硅片破碎的现象，进一步地，所述第一限位机构还包括浮动压轮，所述浮动压轮上设置有安装孔，所述安装孔的孔径大于芯轴的直径，所述芯轴穿过安装孔。通过在芯轴上浮动设置浮动压轮，压轮对硅片起到一定的缓冲作用，防止硅片与限位机构接触时作用力过大而导致破碎的现象。

为了更好的对硅片进行缓冲，进一步地，当硅片放置在支撑机构上时，所述浮动压轮与硅片接触。通过将浮动压轮与硅片接触，这样可以在硅片单面喷射介质时就得到浮动压轮的缓冲，保证硅片在接触时不会受到过大的冲击力。

为了实现支撑机构，进一步地，所述支撑机构包括设置在喷淋装置上方的若干顶针。通过在喷淋装置上方设置若干顶针，实现支撑机构对硅片的支撑。

为了防止硅片在支撑机构上位移，进一步地，所述支撑机构上设置有用于将硅片径向限位的第二限位机构。通过第二限位机构限制在支撑机构上对硅片支撑面上的位移。

为了实现第二限位机构，进一步地，所述第二限位机构包括设置在支撑机构上的若干限位柱，若干所述限位柱围合呈用于限制硅片的限制区域。通过在第二限位机构上设置若干限位柱并围合呈用于限制硅片位移的限制区域。

为了实现喷淋机构，进一步地，所述喷嘴装置包括输送泵和喷淋头，所述输送泵的输出端与喷淋头连通。通过输送泵的输出端连通喷淋头，其结构简单，实现喷淋机构。

为了防止喷淋机构对硅片某一处集中喷射，导致硅片出现受力不均而出现偏斜的现象，进一步地，所述顶针设置在板体上，所述板体上阵列设置有若干喷淋孔。通过设置阵列式的喷淋孔，这样使得介质均匀的在硅片上作用，从而使得硅片受力均匀，防止喷淋机构对硅片某一处集中喷射的现象。

本发明的有益效果是：本发明硅片刻蚀装置在使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可，避免了传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致溶液出现波动，而波动的溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率的问题。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的主视图；

图2是图1中a的局部放大图；

图3是本发明的内部结构示意图。

图中：1、槽体，101、上槽，102、下槽，103、通孔，2、盖板，3、芯轴，4、浮动压轮，401、安装孔，5、顶针，6、限位柱，7、喷淋头，8、硅片，9、输送泵，10、板体，11、喷淋孔。

具体实施方式

本发明下面结合实施例作进一步详述：

本发明不局限于下列具体实施方式，本领域一般技术人员根据本发明公开的内容，可以采用其他多种具体实施方式实施本发明的，或者凡是采用本发明的设计结构和思路，做简单变化或更改的，都落入本发明的保护范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

如图1-3所示，一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片8单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片8进行支撑的支撑机构和用于限制硅片8位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片8放置在支撑机构上时，所述硅片8与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片8单面喷射介质时，所述硅片8在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片8与第一限位机构接触并限制硅片8位移。

还包括槽体1，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体1上。

所述槽体1包括上槽101和下槽102，所述上槽101设置在下槽102上方，所述上槽101和下槽102之间相互连通。

所述槽体1上方盖设有盖板2。

所述第一限位机构包括设置在硅片8上方的芯轴3。

所述第一限位机构还包括浮动压轮4，所述浮动压轮4上设置有安装孔401，所述安装孔401的孔径大于芯轴3的直径，所述芯轴3穿过安装孔401。

当硅片8放置在支撑机构上时，所述浮动压轮4与硅片8接触。

所述支撑机构包括设置在喷淋装置上方的若干顶针5。

所述支撑机构上设置有用于将硅片8径向限位的第二限位机构。

所述第二限位机构包括设置在支撑机构上的若干限位柱6，若干所述限位柱6围合呈用于限制硅片8的限制区域。此处第二限位机构的径向限位是指硅片能够在喷淋装置和第一限位机构之间进行位移，也就是高度方向，而限制了硅片的平面位移。

所述喷嘴装置包括输送泵9和喷淋头7，所述输送泵9的输出端与喷淋头7连通。

所述顶针5设置在板体上10，所述板体10上阵列设置有若干喷淋孔11。此处若干顶针5和限位柱6均螺纹连接在板体10内的，盖板2盖设在上槽101内，而芯轴3固定设置在盖板2上，盖板2是盖设在上槽101上，输送泵9的输入端与下槽102连通，上槽101上开设有通孔103并实现与下槽102连通，喷淋头7固定在上槽101内，顶针5位于喷淋头7上方，而浮动压轮4位于顶针5上方。

上述硅片刻蚀装置在使用时，首先将硅片8放置在顶针5上，同时硅片8被限制在限位柱6上，此时硅片8就只能在喷淋头7向浮动压轮4方向位移，盖上上槽101的盖板2，浮动压轮4与硅片8接触，启动输送泵9将下槽102内的介质输送至喷淋头7，喷淋头7将介质通过板体10上的喷淋孔11输出，同时介质均匀的喷射到硅片8的单侧面上，在介质的作用力下硅片8逐渐悬浮并带动压轮一起上升并限制在一定范围内，喷射出的介质落入到上槽101内，然后介质通过通孔103进入到下槽102内，实现介质被循环利用，完成时刻后停止输送泵9，硅片8逐渐下落至顶针5上，然后打开盖板2，将硅片8取出并转送至下一道工序即可。

上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。