具有光栅结构的红外半导体芯片及其制备方法与流程

1.本公开涉及半导体器件制作领域，特别涉及一种具有光栅结构的红外半导体芯片及其制备方法。


背景技术：

2.红外半导体器件是常见的光电转换器件，常用于发光固化，也可用于探测光波，探测光波的红外半导体器件可以将接受到的红外波转变为电信号输出。红外材料制备的pin半导体芯片则是常见的用于制备探测光波红外半导体器件的基础结构。pin半导体芯片通常包括外延片、p电极与n电极，外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型半导体、本征层及p型半导体。n电极位于衬底远离p型半导体的一侧，p电极位于p型半导体上，p型半导体远离衬底的一面、或者外延片的侧壁均可以作为光线接收面。
3.常见的pin半导体芯片中的外延片可通过外延生长。但得到的外延片本身内部会存在较多缺陷，导致最终得到的pin半导体芯片的质量不够理想，得到的红外半导体芯片对光线的敏感度与响应速度不够高，且大部分pin半导体芯片由于制备材料一定，所得到的红外半导体芯片反射探测的光线的波长也是一定的，pin半导体芯片对不同光线的适应性较低。


技术实现要素：

4.本公开实施例提供了具有光栅结构的红外半导体芯片及其制备方法，能够提高pin半导体芯片的响应速度并一定程度上可调整pin半导体芯片探测的光线波长。所述技术方案如下：
5.本公开实施例提供了一种红外半导体芯片，所述红外半导体芯片包括外延片、p电极与n电极，
6.所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型布拉格反射层、本征材料吸收复合层、p型共振复合层，所述外延片还包括p
‑
gaas欧姆接触层与金属光栅结构，所述p
‑
gaas欧姆接触层与所述金属光栅结构均层叠在所述p型共振复合层的表面，所述p
‑
gaas欧姆接触层在所述衬底上的正投影的面积与所述金属光栅结构在所述衬底上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与所述p型共振复合层在所述衬底上的正投影的面积相等，
7.所述金属光栅结构上具有连通至所述p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔，
8.所述p电极覆盖所述p
‑
gaas欧姆接触层远离所述衬底的表面，所述n电极覆盖所述衬底远离所述p
‑
gaas欧姆接触层的一面。
9.可选地，所述光栅孔的直径为3～10μm，相邻的两个所述光栅孔之间的最小距离为5～40μm。
10.可选地，所述金属光栅结构的厚度为10～100nm。
11.可选地，所述金属光栅结构的材料为ge、ni与cr中的一种。
12.可选地，所述p型共振复合层包括依次层叠在所述本征材料吸收复合层上的p
‑
gaas层与p
‑
algaas层。
13.可选地，所述本征材料吸收复合层包括多个交替层叠的本征gaas子层与本征gainas子层。
14.可选地，所述n型布拉格反射层包括交替层叠的n型gaas子层与n型alas子层。
15.可选地，在所述n型布拉格反射层的生长方向上，所述n型gaas子层中n型杂质的掺杂浓度与所述n型alas子层中n型杂质的掺杂浓度，由2e17
‑
5e17cm
‑3逐步提升至5e18 cm
‑3。
16.本公开实施例提供了一种具有光栅结构的红外半导体芯片的制备方法，所述红外半导体外延片制备方法包括：
17.提供一衬底；
18.在所述衬底上依次生长n型布拉格反射层、本征材料吸收复合层与p型共振复合层；
19.在所述p型共振复合层上形成p
‑
gaas欧姆接触层与金属光栅结构，所述p
‑
gaas欧姆接触层在所述衬底上的正投影的面积与所述金属光栅结构在所述衬底上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与所述p型共振复合层在所述衬底上的正投影的面积相等；
20.在所述金属光栅结构上形成连通至所述p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔；
21.在所述p
‑
gaas欧姆接触层远离所述衬底的表面形成p电极，在所述衬底远离所述p型共振复合层上的一侧的表面上蒸镀n电极。
22.可选地，所述金属光栅结构的沉积温度为100～110度，所述金属光栅结构的沉积压力为1e
‑
4pa。
23.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
24.将红外半导体芯片，即pin半导体芯片中的外延片，设置为包括衬底及依次层叠在衬底上的n型布拉格反射层、本征材料吸收复合层、p型共振复合层，可以得到底层结构较为完善且质量较好的外延结构。在p型共振复合层的表面层得p
‑
gaas欧姆接触层与金属光栅结构，且p
‑
gaas欧姆接触层在衬底上的正投影的面积与金属光栅结构在衬底上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与p型共振复合层在衬底上的正投影的面积相等。p
‑
gaas欧姆接触层与金属光栅结构可以全面覆盖p型共振复合层的表面，金属材料的金属光栅结构对光线的折射效果较好，可以与增加的n型布拉格反射层配合，将大部分本征材料吸收复合层吸收到的光线限制在外延片内部并在p型共振复合层形成共振，增加光线的吸收与反应速率，p、n电极则通电以生成反应电流，提高pin半导体芯片所制备得到的红外探测器的响应速度与反应效率。金属光栅结构上具有的连通至p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔，则可以通过光栅孔的调整，控制金属光栅结构所折射并进行共振的光线的波长，可以一定程度上改变光栅孔，来控制pin半导体芯片可进行共振与探测的光线的波长，提高pin半导体芯片对不同波长的光线的适应性。
附图说明
25.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
26.图1是本公开实施例提供的一种具有光栅结构的红外半导体芯片的结构示意图；
27.图2是本公开实施例提供的具有光栅结构的红外半导体芯片的另一视图；
28.图3是本公开实施例提供的一种具有光栅结构的红外半导体芯片的制备方法流程图；
29.图4是本公开实施例提供的另一种具有光栅结构的红外半导体芯片的制备方法流程图。
具体实施方式
30.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
31.图1是本公开实施例提供的一种具有光栅结构的红外半导体芯片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种红外半导体芯片，红外半导体芯片包括外延片1、p电极2与n电极3。
32.外延片1包括衬底11及依次层叠在衬底11上的n型布拉格反射层12、本征材料吸收复合层13、p型共振复合层14，外延片1还包括p
‑
gaas欧姆接触层15与金属光栅结构16，p
‑
gaas欧姆接触层15与金属光栅结构16均层叠在p型共振复合层14的表面，p
‑
gaas欧姆接触层15在衬底11上的正投影的面积与金属光栅结构16在衬底11上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与p型共振复合层14在衬底11上的正投影的面积相等。金属光栅结构16上具有连通至p型共振复合层14表面的、阵列的多个光栅孔16a。
33.p电极2覆盖p
‑
gaas欧姆接触层15远离衬底11的表面，n电极3覆盖衬底11远离p
‑
gaas欧姆接触层15的一面。
34.将红外半导体芯片，即pin半导体芯片中的外延片1，设置为包括衬底11及依次层叠在衬底11上的n型布拉格反射层12、本征材料吸收复合层13、p型共振复合层14，可以得到底层结构较为完善且质量较好的外延结构。在p型共振复合层14的表面层得p
‑
gaas欧姆接触层15与金属光栅结构16，且p
‑
gaas欧姆接触层15在衬底11上的正投影的面积与金属光栅结构16在衬底11上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与p型共振复合层14在衬底11上的正投影的面积相等。p
‑
gaas欧姆接触层15与金属光栅结构16可以全面覆盖p型共振复合层14的表面，金属材料的金属光栅结构16对光线的折射效果较好，可以与增加的n型布拉格反射层12配合，将大部分本征材料吸收复合层13吸收到的光线限制在外延片1内部并在p型共振复合层14形成共振，增加光线的吸收与反应速率，p、n电极3则通电以生成反应电流，提高pin半导体芯片所制备得到的红外探测器的响应速度与反应效率。金属光栅结构16上具有的连通至p型共振复合层14表面的、阵列的多个光栅孔16a，则可以通过光栅孔16a的调整，控制金属光栅结构16所折射并进行共振的光线的波长，可以一定程度上改变光栅孔16a，来控制pin半导体芯片可进行共振与探测的光线的波长，提高pin半导体芯片对不同波长的光线的适应性。
35.需要说明的是，本公开所提供的红外半导体芯片，本身外延片1的材料是使用红外材料制备，且本公开所提供的红外半导体芯片的结构也属于pin半导体芯片。金属光栅结构16,本身为层叠在p
‑
gaas欧姆接触层15上的具有光栅孔的层状结构。
36.示例性地，p电极2的包括依次层叠的cr金属层、ti金属层与au金属层。可以保证p电极2的质量较好，且p电极2可以实现与p
‑
gaas欧姆接触层15之间的良好连接。
37.示例性地，光栅孔16a的直径为3～10μm，相邻的两个光栅孔16a之间的最小距离为5～40μm。
38.光栅孔16a的直径以及相邻的两个光栅孔16a之间的最小距离在以上范围内时，可以适用于大部分波长的红外光线，得到的红外探测器对不同波长光线的适应性较强。
39.可选地，金属光栅结构16的厚度为10～100nm。
40.金属光栅结构16的厚度在以上范围内，金属光栅结构16本身的质量较好，且金属光栅结构16的厚度定量为10～100nm范围时，金属光栅结构16可以折射大部分的红外光线，保证得到的红外半导体芯片对不同波长的红外光线具有良好的适应性。
41.示例性地，金属光栅结构16的材料为ge、ni与cr中的一种。
42.金属光栅结构16的材料在以上范围内时，得到的金属光栅结构16的质量较好，对红外光线的折射率也较高。金属光栅结构16的厚度也可依据吸收目标波段进行调整。
43.图2是本公开实施例提供的具有光栅结构的红外半导体芯片的另一视图，参考图2可知，p
‑
gaas欧姆接触层15可包括间隔分布在p型共振复合层14的表面的第一部分151与第二部分152，金属光栅结构16则位于第一部分151与第二部分152之间。
44.金属光栅结构16则位于p
‑
gaas欧姆接触层15的第一部分151与第二部分152之间，得到的金属光栅结构16可以对主要集中在外延片1的中部发射的光线进行有效折射，保证大部分光线都可以被感应与共振，最终得到的红外探测器的响应速度也较高。
45.示例性地，衬底11为长方体，p
‑
gaas欧姆接触层15的第一部分151与第二部分152也均为长方体，且p
‑
gaas欧姆接触层15的第一部分151与第二部分152在衬底11的表面的正投影，分别位于衬底11在长度方向上的两端。
46.采用上一段中的衬底11及p
‑
gaas欧姆接触层15结构，金属光栅结构16可以占据衬底11最中心的部分，且p
‑
gaas欧姆接触层15对光线的阻挡与吸收的情况非常小，可以大幅度提高最终得到的红外探测器对光线的敏感度与响应速度。
47.可选地，p
‑
gaas欧姆接触层15的厚度为0.05～0.1um。
48.p
‑
gaas欧姆接触层15的厚度为0.05～0.1um，
49.p
‑
gaas欧姆接触层15的厚度在以上范围，基本可以实现与p电极2之间的良好接触，可以保证最终得到的p
‑
gaas欧姆接触层15与p电极2之间形成良好的欧姆接触，并且p
‑
gaas欧姆接触层15的厚度较薄，不会过度吸光，对p
‑
gaas欧姆接触层15的第一部分151与第二部分152之间的金属光栅结构16的对光线的折射的影响也较小，可以保证最终得到的红外探测器对光线的敏感度与反应速度。
50.示例性地，p型共振复合层14包括依次层叠在本征材料吸收复合层13上的p
‑
gaas层141与p
‑
algaas层142。
51.p
‑
gaas层141与p
‑
algaas层142是常见的镓砷及镓砷相关的制备红外芯片的材料，p
‑
gaas层141一般可以起到过渡作用，p
‑
algaas层142则可以一定程度上减小p型共振复合层14内存在的漏电及出现暗电流的情况，可以保证制备得到的p型共振复合层14的质量。
52.可选地，p型共振复合层14的整体厚度可为0.1～1.8um。
53.p型共振复合层14的整体厚度在以上范围内，可以保证p型共振复合层14质量较
好，也可以实现与光线的良好共振。
54.可选地，p
‑
gaas层141的厚度为0.05～0.1μm，p
‑
algaas层142的厚度为0.05～0.2μm。
55.p
‑
gaas层141的厚度与p
‑
algaas层142的厚度分别在以上范围内，p型共振复合层14整体的质量较好，且对光纤的共振效果较好。
56.示例性地，p
‑
algaas层142中的p型杂质为碳。
57.p
‑
algaas层142中的p型杂质为碳，可以有效保证p
‑
algaas层142的质量，且可以与p
‑
gaas欧姆接触层15之间实现良好接触。
58.可选地，p
‑
algaas层142中，铝组分为0.6～0.8，镓组分为0.4～0.2。
59.p
‑
algaas层142中，铝组分与镓组分分别在以上范围内，p
‑
algaas层142的质量较好，且p
‑
algaas层142与砷化镓材料之间的过渡与匹配也较好，得到的外延片1整体的质量会较好。
60.在本公开所提供的其他实现方式中，p型共振复合层14也可仅包括p型砷化镓层，本公开对此不做限制。
61.示例性地，本征材料吸收复合层13包括多个交替层叠的本征gaas子层131与本征gainas子层132。
62.本征材料吸收复合层13设置为包括多个交替层叠的本征gaas子层131与本征gainas子层132，本征材料吸收复合层13本身的质量较好，也可以释放一定的应力，提高在本征材料吸收复合层13上生长的外延材料的质量，以保证最终得到的外延片1的质量较好。且多个交替层叠的本征gaas子层131与本征gainas子层132对光线的吸收程度也较高，可以保证最终得到的红外探测器的敏感度与反应速度。
63.可选地，本征材料吸收复合层13的整体厚度为0.15～0.4um。
64.本征材料吸收复合层13的整体厚度在以上范围内时，本征材料吸收复合层13本身的质量较好，本征材料吸收复合层13的厚度也较为合理，可以吸收大部分红外光线。
65.可选地，多个交替层叠的本征gaas子层131的层数与本征gainas子层132的层数均为3～8。
66.本征gaas子层131的层数与本征gainas子层132的层数在以上范围内，可以控制红外半导体芯片的制备成本较为合理，且本征gaas子层131与本征gainas子层132本身的质量也较好。
67.示例性地，本征gaas子层131的厚度范围为0.01～0.3μm，gainas子层132的厚度范围为0.01～0.03μm
68.本征gaas子层131与本征gainas子层132的厚度分别在以上范围内时，所能够得到的质量较好的本征材料吸收复合层13。
69.可选地，在本征材料吸收复合层13的生长方向上，多个gainas子层132的厚度不变，在本征材料吸收复合层13的生长方向上，多个gainas子层132的厚度依次减小、增大、减小、再增大。
70.多个gainas子层132的厚度采用如上所示的变化，可以更有效地释放本征材料吸收复合层13中的应力，提高本征材料吸收复合层13的质量。
71.示例性地，本征材料吸收复合层13中，与n型布拉格反射层12及p型共振复合层14
接触的均为gainas子层132。且与n型布拉格反射层12接触的gainas子层132的厚度，小于与p型共振复合层14接触的gainas子层132的厚度。
72.与n型布拉格反射层12之间的晶格失配较小，与p型共振复合层14之间的晶格失配较大，因此与n型布拉格反射层12接触的gainas子层132的厚度，可以小于与p型共振复合层14接触的gainas子层132的厚度。能够得到质量较好的本征材料吸收复合层13与p型共振复合层14，且红外半导体芯片的成本不会过高。
73.可选地，与n型布拉格反射层12接触的gainas子层132的厚度为0.08～0.15um，与p型共振复合层14接触的gainas子层132的厚度为0.1～0.3um。能够得到质量较好的本征材料吸收复合层13与p型共振复合层14，且红外半导体芯片的成本不会过高。
74.可选地，在本公开所提供的其他实现方式中，本征材料吸收复合层13也可包括本征砷化镓，与本征铝镓砷交替层叠的结构，本公开对此不做限制。
75.示例性地，n型布拉格反射层12包括多个交替层叠的n型gaas子层121与n型alas子层122。
76.可选地，n型布拉格反射层12的整体厚度为0.5～1um。
77.n型布拉格反射层12的整体厚度在以上范围内时，n型布拉格反射层12本身的质量较好，n型布拉格反射层12的厚度也较为合理，可以有效反射大部分红外光线。
78.在本公开所提供的一种实现方式中，n型gaas子层121与n型alas子层122的厚度等于λ/4n，λ为反射光波的波长，n为入射的材料的折射率。易于制备与获取。
79.示例性地，n型gaas子层121的厚度与n型alas子层122的厚度均为50～100nm。可适用于反射大部分波长的红外光线。
80.可选地，多个交替层叠的n型gaas子层121的层数与n型alas子层122的层数均为10～20。
81.n型gaas子层121的层数与n型alas子层122的层数在以上范围内，可以控制红外半导体芯片的制备成本较为合理，且n型gaas子层121与n型alas子层122本身的质量也较好。
82.可选地，在n型布拉格反射层12的生长方向上，n型gaas子层121中n型杂质的掺杂浓度与n型alas子层122中n型杂质的掺杂浓度，由2e17
‑
5e17cm
‑3逐步提升至5e18 cm
‑3。
83.在n型布拉格反射层12的生长方向上，两种材料的子层中n型杂质的掺杂浓度，均由2e17
‑
5e17cm
‑3逐步提升至5e18 cm
‑3。n型布拉格反射层12本身的质量较好，且在较为靠近两种子层的界面处n型杂质的掺杂浓度较高，可以一定程度上起到降低界面处较高的电阻的作用，以降低红外半导体芯片的整体电阻。
84.示例性地，可仅设置两种子层的界面处n型杂质的掺杂浓度为5e18 cm
‑3。可以合理控制成本，并有效降低电阻。
85.示例性地，n电极3包括依次层叠的第一au金属层、augeni金属层与第二au金属层。可以保证n电极3的质量较好，且n电极3可以实现与砷化镓材料的衬底11之间的良好连接。
86.在本公开所提供的其他实现方式中，电极的材料也可包括cr、au、ge、ni中的一种或多种，本公开对此不做限制。
87.本公开所提供的衬底11可为砷化镓衬底11。
88.图3是本公开实施例提供的一种具有光栅结构的红外半导体芯片的制备方法流程图；参考图3可知，该红外半导体芯片制备方法包括：
89.s101：提供一衬底。
90.s102：在衬底上依次生长n型布拉格反射层、本征材料吸收复合层与p型共振复合层。
91.s103：在p型共振复合层上形成p
‑
gaas欧姆接触层与金属光栅结构，p
‑
gaas欧姆接触层在衬底上的正投影的面积与金属光栅结构在衬底上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与p型共振复合层在衬底上的正投影的面积相等。
92.s104：在金属光栅结构上形成连通至p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔。
93.s105：在p
‑
gaas欧姆接触层远离衬底的表面形成p电极，在衬底远离p型共振复合层上的一侧的表面上蒸镀n电极。
94.执行完步骤s105之后的技术效果可参考图1中所示的红外半导体芯片的效果，因此此处不再赘述。执行完步骤s105得到的红外半导体芯片的结构也可参考图1所示的红外半导体芯片。
95.为便于理解，此处提供图4，图4中对图3中所示的红外半导体芯片的制备方法进行了详细说明。图4是本公开实施例提供的另一种具有光栅结构的红外半导体芯片的制备方法流程图，参考图4可知，该红外半导体芯片制备方法包括：
96.s201：提供一衬底。
97.步骤s201中，衬底的材料可为砷化镓。
98.s202：在衬底上依次生长n型布拉格反射层，n型布拉格反射层包括多个交替层叠的n型gaas子层与n型alas子层。
99.可选地，n型布拉格反射层的生长条件包括：生长温度650
‑
670度，厚度150
‑
300nm，v/iii为20
‑
30，生长速率0.5
‑
0.8nm/s。能够得到质量较好的n型布拉格反射层。
100.示例性地，n型布拉格反射层的杂质可为硅。
101.步骤s202可包括：向反应腔通入n型gaas子层生长源的过程中，在n型gaas子层生长过程的最后10～20s的一段时间中，控制n型杂质来源的硅烷的流量升高。可以控制最终得到的n型gaas子层的界面处的n型杂质较多，降低界面处电阻。
102.s203：在n型布拉格反射层上生长本征材料吸收复合层，本征材料吸收复合层包括多个交替层叠的本征gaas子层与本征gainas子层。
103.可选地，n型布拉格反射层的生长条件包括：生长温度650
‑
670度，厚度150
‑
300nm，v/iii为20
‑
30，生长速率0.5
‑
0.8nm/s。能够得到质量较好的n型布拉格反射层。
104.需要说明的是，步骤s203中，本征gaas子层的生长厚度可根据本征gaas子层的生长时间来进行调整。
105.s204：在本征材料吸收复合层上生长p型共振复合层，p型共振复合层包括依次层叠在本征材料吸收复合层上的p
‑
gaas层与p
‑
algaas层。
106.可选地，p
‑
gaas层的生长条件包括：生长温度650
‑
670度，厚度150
‑
300nm，v/iii为20
‑
30，生长速率0.5
‑
0.8nm/s。能够得到质量较好的n型布拉格反射层。
107.示例性地，p
‑
algaas层的生长条件包括：生长温度670
‑
680度，厚度350
‑
450nm，v/iii为40
‑
50，生长速率1.2
‑
1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
108.s205：在p型共振复合层上形成p
‑
gaas欧姆接触层，p
‑
gaas欧姆接触层上具有连通至p型共振复合层的槽。
109.可选地，p
‑
gaas欧姆接触层的生长条件包括：生长温度650
‑
670度，厚度150
‑
300nm，v/iii为20
‑
30，生长速率0.5
‑
0.8nm/s。能够得到质量较好的n型布拉格反射层。
110.步骤s205可包括：在p型共振复合层表面生长一层p
‑
gaas膜；在p
‑
gaas膜的表面生长氧化硅；使用光刻工艺在光刻胶表面形成腐蚀槽；在腐蚀槽内腐蚀出连通至p型共振复合层的槽；去除剩余的光刻胶与氧化硅，得到p
‑
gaas欧姆接触层与p
‑
gaas欧姆接触层上具有连通至p型共振复合层的槽。
111.氧化硅的增加，可以对氧化硅所覆盖的结构起到保护作用，减小外延片受损可能。氧化硅也便于光刻胶的涂覆。上述操作也便于实现槽的增加。
112.s206：在槽内形成金属光栅结构。p
‑
gaas欧姆接触层在衬底上的正投影的面积与金属光栅结构在衬底上的正投影的外轮廓围合的面积之和，与p型共振复合层在衬底上的正投影的面积相等。
113.可选地，金属光栅结构的沉积温度为100～110度，金属光栅结构的沉积压力为1e
‑
4pa。能够得到质量较好的金属光栅结构。
114.示例性地，金属光栅结构可通过物理气相沉积的方式得到。金属光栅结构的质量较好。
115.s207：在金属光栅结构上形成连通至p型共振复合层表面的、阵列的多个光栅孔。
116.需要说明的是，金属光栅结构上的光栅孔也通过光刻工艺得到。
117.s208：在p
‑
gaas欧姆接触层远离衬底的表面形成p电极，在衬底远离p型共振复合层上的一侧的表面上蒸镀n电极。
118.示例性地，p电极可通过蒸镀得到。易于p电极的获取与制备。
119.需要说明的是，p电极生长也可包括：先在透明导电层上涂覆光刻胶并在光刻胶上形成孔洞图形；在孔洞内生长p电极；去除光刻胶。
120.可选地，n电极通过蒸镀得到。所得到的p电极与n电极的质量较好。
121.s209：对红外半导体芯片进行退火。
122.可选地，退火温度为380～450℃，退火时间5～20s。能够对红外半导体芯片进行充分退火以提高红外半导体芯片的质量。
123.需要说明的是，在本公开中所涉及到的存在交替层叠的两种材料外延结构中，向反应腔交替通入两种材料对应的生长源即可得到交替层叠的两种材料外延结构。
124.需要说明的是，在本公开实施例中，采用veecok 465i or c4 or rb mocvd(metal or ganic chemical vapor deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现led的生长方法。采用高纯h2(氢气)或高纯n2(氮气)或高纯h2和高纯n2的混合气体作为载气，高纯nh3作为n源，三甲基镓(tmga)及三乙基镓(tega)作为镓源，三甲基铟(tmin)作为铟源，硅烷(sih4)作为n型掺杂剂，三甲基铝(tmal)作为铝源，二茂镁(cp2mg)作为p型掺杂剂。
125.以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。