一种改善EflashCell区字线顶部氧化层被损坏的方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法。

背景技术：

在55eflash栅极多晶硅刻蚀(gatepolyetch)前旋涂barc和光阻pr时，由于cell区高度高于外围区域，且cell区边缘旁边没有dummyline，导致旋涂的barc和光阻pr在cell区薄于外围区，cell阵列(cellarray)最边缘5根字线(wordline)上会更差，最坏的情况上面基本没有barc，光阻pr与barc厚度较外围区相差1400a。

刻蚀时必须以光阻pr最厚的外围区为刻蚀基准，但是结构带来的光阻pr厚度差异，导致硬掩膜hm打开过程中，光阻保留不足导致字线wordline上的氧化层会损失，对于后续的层有较大的影响，使得字线多晶硅保护不足，容易被刻穿。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法，用于解决现有技术中eflash栅极多晶硅刻蚀过程中由于光阻保留不足导致字线上的氧化层损失的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅基底，所述硅基底上设有cell区；所述cell区的一侧设有与其相邻的外围区；所述cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，所述浮栅多晶硅结构被peox层覆盖；所述peox层被teos层覆盖；覆盖在每个所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层与其相邻的所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层彼此之间的空隙形成沟槽；所述外围区设有多晶硅层、位于所述多晶硅层上的peox层以及位于所述peox层上的teos层；

步骤二、在所述cell区和所述外围区形成覆盖所述teos层的第一barc层；所述第一barc层填充于所述cell区之间的沟槽；

步骤三、刻蚀所述第一barc层，直至所述cell区之间的沟槽中的所述第一barc层的厚度为为止；

步骤四、在所述cell区和所述外围区形成第二barc层；

步骤五、在所述第二barc层上覆盖光刻胶；

步骤六、对所述外围区进行光刻形成栅极。

优选地，步骤一中的所述浮栅多晶硅结构顶部与所述peox层之间设有氧化层。

优选地，步骤一中的所述peox层的厚度为

优选地，步骤一中的所述teos层的厚度为

优选地，步骤一中cell区的所述peox层与所述外围区的所述peox层由同一道工艺形成。

优选地，步骤一中的所述teos层与所述外围区的所述teos层由同一道工艺形成。

优选地，步骤一中所述cell区的所述teos层的上表面高于所述外围区的所述teos层的上表面。

优选地，步骤二中的所述第一barc层为barcherc53。

优选地，步骤三中刻蚀所述第一barc层后，所述cell区的所述teos层顶部被暴露。

优选地，步骤三中刻蚀所述第一barc层后，所述外围区的所述第一barc层被全部消耗。

优选地，步骤四中位于所述cell区的所述teos层上的所述第二barc层的厚度约为22nm。

优选地，步骤五中位于所述cell区的所述第二barc层上的所述光刻胶的厚度为130nm。

优选地，步骤六中对所述外围区进行光刻形成栅极后，所述cell区的所述teos层顶部露出。

如上所述，本发明的改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法，具有以下有益效果：本发明对在eflash结构中cell区和外围区存在台阶差光刻胶保留不足的问题，采用旋涂herc53和常规barc并回刻来弥补由于光刻所引起的问题，最后通过调整后的多晶硅刻蚀程式来刻蚀，改善字线顶部被损坏的风险，使得多晶硅刻蚀后字线上氧化层作为保护层，其厚度对于刻蚀外围区更安全。

附图说明

图1显示为本发明的cell区和外围区的结构示意图；

图2显示为本发明中在cell区和外围区形成第一barc层后的结构示意图；

图3中刻蚀所述第一barc层后，所述cell区的所述teos层顶部被暴露；

图4显示为本发明中在cell区和外围区形成第二barc层和光刻胶后的结构示意图；

图5显示为本发明中对外围区进行光刻形成栅极的结构示意图；

图6显示为本发明中改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法流程图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法，如图6所示，图6显示为本发明中改善eflashcell区字线顶部氧化层被损坏的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅基底，所述硅基底上设有cell区；所述cell区的一侧设有与其相邻的外围区；所述cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，所述浮栅多晶硅结构被peox层覆盖；所述peox层被teos层覆盖；覆盖在每个所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层与其相邻的所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层彼此之间的空隙形成沟槽；所述外围区设有多晶硅层、位于所述多晶硅层上的peox层以及位于所述peox层上的teos层。

如图1所示，图1显示为本发明的cell区和外围区的结构示意图。所述硅基底上设有cell区(cell)；所述cell区的一侧(图1虚线的右侧)设有与其相邻的外围区(peripheral)；所述cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，图1中只显示出一个浮栅多晶硅结构(虚线左侧的结构)；所述浮栅多晶硅结构被peox层覆盖；也就是说，所述浮栅多晶硅结构的侧壁和顶部都被所述peox层覆盖；所述peox层被teos层覆盖，如图1所示，所述peox层的侧壁和顶部都被所述teos层覆盖。

覆盖在每个所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层与其相邻的所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层彼此之间的空隙形成沟槽；图1中显示的所述cell区的所述浮栅多晶硅结构的左侧还存在多个未被显示的浮栅多晶硅结构，因此，在图1中显示的所述浮栅多晶硅结构的左侧的凹槽为所述teos层与其相邻的所述浮栅多晶硅结构上的所述teos层之间形成的所述沟槽。

所述外围区设有多晶硅层、位于所述多晶硅层上的peox层以及位于所述peox层上的teos层；如图1所示，所述外围区(peripheral)设有多晶硅层(u-poly)、位于所述多晶硅层(u-poly)上的peox层以及位于所述peox层上的teos层，本实施例中所述多晶硅层的厚度为

步骤一中的所述浮栅多晶硅结构顶部与所述peox层之间设有氧化层。

本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述peox层的厚度为本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述teos层的厚度为

本发明进一步地，本实施例的步骤一中cell区的所述peox层与所述外围区的所述peox层由同一道工艺形成。

本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述teos层与所述外围区的所述teos层由同一道工艺形成。

本发明进一步地，本实施例的步骤一中所述cell区的所述teos层的上表面高于所述外围区的所述teos层的上表面。

步骤二、在所述cell区和所述外围区形成覆盖所述teos层的第一barc层；所述第一barc层填充于所述cell区之间的沟槽；如图2所示，图2显示为本发明中在cell区和外围区形成第一barc层后的结构示意图。所述第一barc层01将图2中显示的所述浮栅多晶硅结构的左侧的所述沟槽填满。

本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述第一barc层为barcherc53(型号)。所述barcherc53的填充性能高于传统的barc的填充性能。

步骤三、刻蚀所述第一barc层，直至所述cell区之间的沟槽中的所述第一barc层的厚度为为止；如图3所示，图3显示为本发明中刻蚀第一barc层后的结构示意图。刻蚀所述第一barc层后，图3中显示的所述沟槽中的所述第一barc层的厚度l为

本发明进一步地，本实施例的步骤三中刻蚀所述第一barc层后，所述cell区的所述teos层顶部被暴露。如图3所示，图3中刻蚀所述第一barc层后，所述cell区的所述teos层顶部被暴露。

本发明进一步地，本实施例的步骤三中刻蚀所述第一barc层后，所述外围区的所述第一barc层被全部消耗。如图3所示，该步骤三中将所述第一barc层01刻蚀后，所述外围区(peripheral)的所述teos层上的所述第一barc层被完全去除，形成图3所示的结构。

步骤四、在所述cell区和所述外围区形成第二barc层；如图4所示，图4显示为本发明中在cell区和外围区形成第二barc层和光刻胶后的结构示意图。

本发明进一步地，本实施例的步骤四中位于所述cell区的所述teos层上的所述第二barc层02的厚度约为22nm。

步骤五、在所述第二barc层上覆盖光刻胶；如图4所示，所述光刻胶pr覆盖在所述第二barc层上。所述cell区和所述外围区的所述第二barc层上都覆盖有所述光刻胶pr。

本发明进一步地，本实施例的步骤五中位于所述cell区的所述第二barc层上的所述光刻胶的厚度为130nm。

步骤六、对所述外围区进行光刻形成栅极。如图5所示，图5显示为本发明中对外围区进行光刻形成栅极的结构示意图。

本发明进一步地，本实施例的步骤六中对所述外围区进行光刻形成栅极03后，所述cell区的所述teos层顶部露出。

综上所述，本发明对在eflash结构中cell区和外围区存在台阶差光刻胶保留不足的问题，采用旋涂herc53和常规barc并回刻来弥补由于光刻所引起的问题，最后通过调整后的多晶硅刻蚀程式来刻蚀，改善字线顶部被损坏的风险，使得多晶硅刻蚀后字线上氧化层作为保护层，其厚度对于刻蚀外围区更安全。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。