浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法与流程

本申请涉及半导体存储器制作技术领域，具体涉及一种浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法。

背景技术：

浮栅型分栅闪存器由于其有利于节省芯片面积，提高存储集成密度，被广泛应用于各种嵌入式电子产品如金融ic卡、汽车电子等领域中。

图1示出了相关技术中浮栅分栅闪存器件结构的俯视示意图，参照图1，通常该浮栅分栅闪存器件包括多个闪存元胞，相邻闪存元胞通过浅沟槽隔离结构18隔离开。图2a示出了图1中c1向或c3向的剖视结构示意图，图2b示出了图1中c2向或c4向的剖视结构示意图，参照图1、图2a和图2b该闪存元胞包括衬底层11，衬底层11中形成防穿通注入区17，相邻两个闪存元胞之间的衬底层中形成浅沟槽隔离结构18，该闪存元胞的衬底层11上形成有第一分栅和第二分栅，该第一分栅和第二分栅之间由选择栅结构10间隔，该第一分栅和第二分栅均包括由下至上依次层叠的浮栅介质层12、浮栅多晶硅层13、多晶硅间介质层14和控制栅多晶硅层15。第一分栅和第二分栅的周围被侧墙16包裹，第一分栅和第二分栅的外侧分别形成源漏注入区19。

随着浮栅型分栅闪存器件进一步微缩发现，控制栅至浮栅的耦合系数大幅下降，而选择栅至浮栅的耦合系数会迅速增大，而选择栅耦合系数的迅速增大会使得控制栅控制器件关断能力变差，且漏电严重。位线上的电流与控制栅的电压关系曲线显示亚阈值摆幅较大，从而使得器件的关断速率变差。

在相关技术中，为了减小选择栅至浮栅的耦合效应，通常使得浮栅厚度减薄，但是随着闪存器件尺寸的进一步微缩，浮栅的厚度已经薄至极限，因此通过减薄以减小选择栅，至浮栅的耦合效应的手段，已不再适用。

技术实现要素：

为了增强微缩后闪存器件的控制栅的控制能力，减小器件漏电，本申请提供了一种浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请一方面提供一种浮栅分栅闪存器件结构，所述浮栅分栅闪存器件形成于基底层的有源区上，所述基底层中形成隔离结构，相邻所述隔离结构定义出所述有源区；

所述浮栅分栅闪存器件结构包括：栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏结构；

所述栅极结构包括：位于中间的选择栅结构，以及在所述选择栅结构两侧形成轴对称结构的第一分栅结构和第二分栅结构；

所述第一分栅结构和第二分栅结构均包括由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；

所述浮栅结构包括上层浮栅结构和下层浮栅结构；

所述下层浮栅结构包括：下层浮栅主体部，位于所述下层浮栅主体靠近所述选择栅结构一侧的中部，形成向所述选择栅结构延伸的下层浮栅延伸部；所述上层浮栅结构位于所述下层浮栅主体部上。

可选地，所述下层浮栅延伸部的宽度小于所述下层浮栅主体部的宽度。

可选地，由靠近所述选择栅结构的一侧向外，所述上层浮栅结构包括依次连为一体的上层浮栅间隔部，和上层浮栅接触部，所述下层浮栅主体部包括依次连为一体的下层浮栅间隔部和下层浮栅接触部；

所述上层浮栅间隔部和所述下层浮栅间隔部之间设有间隔部；

所述上层浮栅接触部和所述下层浮栅接触部相接触。

可选地，所述浮栅结构形成以层叠的所述上层浮栅结构和下层浮栅主体部为上台阶，以所述下层浮栅延伸部为下台阶的阶梯结构。

可选地，所述控制栅结构覆盖在所述上台阶的上表面，以及所述上台阶靠近所述隔离结构的阶侧面。

可选地，所述上台阶的高度为500埃至1000埃。

可选地，所述下台阶的高度为150埃至350埃。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请另一方面提供一种浮栅分栅闪存器件结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

提供基底层，所述基底层包括隔离区和有源区，相邻两个所述隔离区定义所述有源区；所述有源区包括栅区和位于所述栅区两侧的源漏区；所述栅区包括位于中间的选择栅区，以及位于所述选择栅区两侧的第一分栅区和第二分栅区，所述第一分栅区和第二分栅区均包括控制栅区和延伸栅区，各个所述延伸栅区分别位于所述选择栅区和对应的控制栅区之间；

使得所述有源区上形成浮栅层；使得所述浮栅层包括下层浮栅层和上层浮栅层，以及位于所述下层浮栅层和上层浮栅层之间的刻蚀停止结构；使得所述刻蚀停止结构位于所述栅区的中部，且所述刻蚀停止结构的两端部分别向靠近的控制栅区延伸；

制作控制栅层，使得所述控制栅层覆盖在所述浮栅层的上表面和栅侧面；

定义出所述第一分栅区和第二分栅区中的控制栅区；

进行初级分栅刻蚀，保留所述控制栅区中的结构，以及所述刻蚀停止结构和被所述刻蚀停止结构覆盖的下层浮栅层；

所述初级分栅刻蚀完成后，定义出所述第一分栅区的控制栅区和延伸栅区，以及和所述第二分栅区的控制栅区和延伸栅区；

进行终极分栅刻蚀，保留所述第一分栅区和所述第二分栅区中的刻蚀停止结构形成间隔延伸部，所述间隔延伸部包括位于所述延伸栅区中的间隔延伸部本体，被所述间隔延伸部本体覆盖的下层浮栅层为下层浮栅延伸部；

在所述选择栅区制作选择栅结构。

可选地，所述使得所述有源区上形成浮栅层的步骤，包括：

使得所述有源区上依次形成下层浮栅层和刻蚀停止介质层；

选择性刻蚀所述刻蚀停止介质层，保留所述刻蚀停止介质层的中部形成刻蚀停止结构，所述刻蚀停止结构位于所述栅区的中部，且所述刻蚀停止结构的两端部分别向靠近的控制栅区延伸；

制作上层浮栅层，使得所述上层浮栅层覆盖在所述刻蚀停止结构和外露的下层浮栅层表面，形成浮栅层。

可选地，所述刻蚀停止结构两端部分别向靠近的控制栅区延伸为：所述刻蚀停止结构两端部的任何一端部，延伸至其对应靠近的控制栅区中，或延伸至其对应靠近的控制栅区和延伸栅区的交界处。

可选地，所述刻蚀停止结构两端部的任何一端部为所述间隔延伸部，所述间隔延伸部还包括间隔部，所述间隔部从所述间隔延伸部本体延伸至其对应靠近的控制栅区中。

可选地，被所述间隔部覆盖的下层浮栅层为下层浮栅间隔部，覆盖在所述间隔部上的上层浮栅层为上层浮栅间隔部。

可选地，所述控制栅区中，未被所述间隔部覆盖的下层浮栅层为下层浮栅接触部，接触覆盖在所述下层浮栅接触部上的上层浮栅层为上层浮栅接触部。

本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请提供的浮栅分栅闪存器件结构及其制造方法，能够增加该选择栅结构与上层浮栅或下层浮栅主体部层之间的距离，减弱上层浮栅或下层浮栅主体部层与选择栅结构之间的耦合效应，且使得其与选择栅结构之间的交叠面积减小，进而从整体上能够减小选择栅结构至浮栅结构的耦合系数，最终达到增强控制栅结构的控制能力，减小器件漏电的效果，提前闪存器件的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中浮栅分栅闪存器件结构的俯视示意图；

图2a示出了图1中c1向或c3向的剖视结构示意图；

图2b示出了图1中c2向或c4向的剖视结构示意图；

图3a示出了本申请一实施例提供的浮栅分栅闪存器件结构的俯视结构示意图；

图3b示出了以图3a中的a1为剖面线的剖面示意图；

图3c示出了以图3a中的a3为剖面线的剖面示意图；

图3d示出了以图3a中的a2为剖面线的剖面示意图；

图3e示出了以图3a中的a4为剖面线的剖面示意图；

图3f示出了本实施例中一有源区的区域划分俯视图；

图3g示出了下层浮栅结构与有源区各区域的位置关系示意图；

图3h示出了一实施例中的第一分栅结构，其浮栅结构的放大示意图；

图3i示出了一实施例中的第一分栅结构，其浮栅结构的俯视示意图；

图4示出了本申请一实施例提供的浮栅分栅闪存器件结构的制造方法流程图；

图5示出了本申请一实施例提供的制造方法，在步骤s42完成后器件结构，沿a1向的剖面结构示意图；

图5a示出了步骤s42完成后，形成的一示例性刻蚀停止结构与有源区各区域的位置关系示意图；

图6示出了在图5所示器件的基础上进行步骤s43，完成后形成的器件结构示意图；

图6a示出了图6所示结构，沿a2向剖视结构示意图；

图6b示出了图6所示结构，沿a4向剖视结构示意图；

图7示出了在图6所示器件的基础上进行初级分栅刻蚀后形成的器件结构；

图7a示出了图7所示结构，沿a3向剖视结构示意图；

图7b示出了图7所示结构，沿a2向剖视结构示意图；

图7c示出了图7所示结构，沿a4向剖视结构示意图；

图8示出了在图7所示器件的基础上进行终极分栅刻蚀后形成的器件结构。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

图3a示出了本申请一实施例提供的浮栅分栅闪存器件结构的俯视结构示意图，图3b示出了以图3a中的a1为剖面线的剖面示意图，图3c示出了以图3a中的a3为剖面线的剖面示意图，图3d示出了以图3a中的a2为剖面线的剖面示意图，图3e示出了以图3a中的a4为剖面线的剖面示意图。

本实施例提供的浮栅分栅闪存器件形成于基底层31的有源区311上，参照图3a该基底层31包括多个阵列式排布的有源区311，相邻有源区311之间被隔离结构34隔离，即基底层31中设有多个阵列式排布的隔离区312，相邻隔离结构34定义出该有源区311。该浮栅分栅闪存器件包括对应在各个有源区311上形成的多个结构相同的浮栅分栅闪存单元。每个浮栅分栅闪存单元均包括位于中间的选择栅结构，以及在所述选择栅结构两侧形成轴对称结构的第一分栅结构和第二分栅结构。并排的多个浮栅分栅闪存单元，其第一分栅结构中的控制栅结构相连形成第一控制线cg1，选择栅结构相连形成字线wl，第二分栅结构中的控制栅结构相连形成第一控制线cg2。

图3f示出了本实施例中一有源区的区域划分俯视图，参照图3f可以看出，相邻两个隔离区312定义出一有源区311，该有源区311包括栅区313，和沿图3f中的x向位于该栅区两侧313的源漏区316。该栅区313包括位于中间的选择栅区313c，和位于该选择栅区313c的x向两侧的第一分栅区313a和第二分栅区313b，该第一分栅区313a和第二分栅区313b均包括控制栅区314和延伸栅区315。第一分栅区313a的延伸栅区315，位于选择栅区313c与该第一分栅区313a的控制栅区314之间。第二分栅区313b的延伸栅区315，位于选择栅区313c与该第二分栅区313b的控制栅区314之间。

图3a所示第一控制线cg1的位置，对应图3f所示有源区311第一分栅区313a的控制栅区314位置。图3a所示字线wl所在位置，对应图3f所示有源区311的选择栅区313c位置。图3a所示第二控制线cg2所在位置，对应图3f所示有源区311第二分栅区313b的控制栅区314位置。

图3a所示a1剖面线的位置，对应图3f有源区311的x向中线位置。图3a所示a3剖面线的位置，对应图3f中，靠近有源区311左侧边缘的x向线位置。图3a所示a2剖面线的位置，对应图3f中第一分栅区313a控制栅区314的y向线位置。图3a所示a4剖面线的位置，对应图3f中第一分栅区313a延伸栅区315的y向线位置。

本实施例以其中一个浮栅分栅闪存单元为例，阐述该浮栅分栅闪存器件的结构。

参照图3b和图3c，该浮栅分栅闪存器件包括栅极结构32和位于该栅极结构32的源漏结构33。该栅极结构32形成于图3f中的栅区313，该源漏结构33形成于图3f中的源漏区316。

该栅极结构32包括：位于中间的选择栅结构32c，以及在该选择栅结构32c两侧形成轴对称结构的第一分栅结构32a和第二分栅结构32b。该选择栅结构321形成于图3f所示的选择栅区313c中，第一分栅结构32a形成于图3f所示的第一分栅区313a中，第二分栅结构32b形成于图3f所示的第二分栅区313b中。

该第一分栅结构32a和第二分栅结构32b均包括由下至上依次层叠的浮栅结构321和控制栅结构322。

该浮栅结构321包括上层浮栅结构3121和下层浮栅结构3212。

该下层浮栅结构3212包括：下层浮栅主体部f1，位于所述下层浮栅主体f1靠近所述选择栅结构32c一侧的中部，形成向该选择栅结构32c延伸的下层浮栅延伸部t。该下层浮栅主体部f1位于图3f所示的控制栅区314，下层浮栅延伸部t位于图3f所示的延伸栅区315。上层浮栅结构3211位于该下层浮栅主体部f1上，即上层浮栅结构3211位于图3f所示的控制栅区314中。

该控制栅结构322也位于图3f所示的控制栅区314，即控制栅结构322覆盖在层叠的上层浮栅结构3211和下层浮栅主体部f1上。

图3g示出了下层浮栅结构与有源区各区域的位置关系示意图，参照图3g，可以看出下层浮栅结构3212包括位于控制栅区314中的下层浮栅主体部f1，和位于延伸栅区315中的下层浮栅延伸部t，该下层浮栅延伸部t从下层浮栅主体部f1的一侧中部延伸而出，即该下层浮栅延伸部t的y向宽度，小于该下层浮栅主体部f1的y向宽度。

图3h示出了第二分栅结构，其浮栅结构的一实施例放大示意图，图3i示出了第二分栅结构，其浮栅结构一实施例的俯视结构示意图。从图3h和图3i可以看出，该浮栅结构321包括上下层叠的上层浮栅结构3211和下层浮栅结构3212，上层浮栅结构3211位于下层浮栅主体部f1上。该下层浮栅结构3212的下层浮栅主体部f1包括连为一体的下层浮栅间隔部f1a和下层浮栅接触部f1b，上层浮栅结构3211包括连为一体的上层浮栅间隔部f2a和上层浮栅接触部f2b，且上层浮栅接触部f2b与下层浮栅接触部f1b相接触，上层浮栅间隔部f2a和下层浮栅间隔部f1a之间相间隔用于形成间隔部sp。

继续参照图3h和图3i，可以看出，该浮栅结构321，形成以层叠的上层浮栅结构3211和下层浮栅主体部f1为上台阶，以下层浮栅延伸部t为下台阶的阶梯结构。参照图3c，控制栅结构322覆盖在层叠的上层浮栅结构3211和下层浮栅主体部3212示出的上台阶的上表面，以及该上台阶靠近所述隔离结构34的阶侧面。参照图3d，在下层浮栅延伸部3212示出的下台阶表面并未覆盖有该控制栅结构。可选地，图3h所示的该上台阶的高度h1可以为500埃至1000埃，该下台阶的高度h2可以为150埃至350埃。

综上所述，本实施例通过将浮栅结构设计为上层浮栅和下层浮栅的叠层结构，且下层浮栅的延伸部从下层浮栅主体部向选择栅结构延伸，上层浮栅位于下层浮栅主体部上，即形成台阶型的浮栅结构，使得在上层浮栅与下层浮栅主体部层叠位置处的浮栅结构厚度增厚，增厚的浮栅结构能够增加其与控制栅结构的交叠面积，从而提高控制栅至浮栅的耦合系数；同时该台阶型的浮栅结构，其向选择栅结构延伸的下层浮栅延伸部，能够增加该选择栅结构与上层浮栅或下层浮栅主体部层之间的距离，减弱上层浮栅或下层浮栅主体部层与选择栅结构之间的耦合效应。而与选择栅结构之间耦合效应最强的下层浮栅延伸部，由于其宽度较相关技术小，使得其与选择栅结构之间的交叠面积减小，进而从整体上能够减小选择栅结构至浮栅结构的耦合系数，最终达到增强控制栅结构的控制能力，减小器件漏电的效果，提前闪存器件的性能。

图4示出了本申请一实施例提供的浮栅分栅闪存器件结构的制造方法流程图，该流程图以形成图3a至图3i中任一幅图所示结构的有源区结构为例，阐述该浮栅分栅闪存器件结构的制造方法。参照图4，本实施例的制造方法包括依次执行的以下步骤s41至步骤s48：

步骤s41：提供基底层，所述基底层包括隔离区和有源区。

该有源区的划分可以继续参照图3f示出的有源区区域划分结构，相邻两个隔离区312定义出一有源区311，该有源区311包括栅区313，和沿图3f中的x向位于该栅区313两侧的源漏区316。该栅区313包括位于中间的选择栅区313c，和位于该选择栅区313c的x向两侧的第一分栅区313a和第二分栅区313b，该第一分栅区313a和第二分栅区313b均包括控制栅区314和延伸栅区315。第一分栅区313a的延伸栅区315，位于选择栅区313c与该第一分栅区313a的控制栅区314之间。第二分栅区313b的延伸栅区315，位于选择栅区313c与该第二分栅区313b的控制栅区314之间。

步骤s42：使得所述有源区上形成浮栅层；使得所述浮栅层包括下层浮栅层和上层浮栅层，以及位于所述下层浮栅层和上层浮栅层之间的刻蚀停止结构；使得所述刻蚀停止结构位于所述栅区的中部，且所述刻蚀停止结构两端部分别向靠近的控制栅区延伸。

参照图5，其示出了一实施例的步骤s42完成后器件结构，沿a1向的剖面结构示意图，其中的a1向可参照图3a、图3f或图3g中的任一附图。

对应图3f中有源区311的位置结构，将图5中的有源区311对应划分为栅区313和源漏区316，该栅区313划分为第一分栅区313a、第二分栅区313b和选择栅区313c，第一分栅区313a和第二分栅区313b均划分为控制栅区314和延伸栅区315。

图5中的有源区311上形成浮栅层51，该浮栅层51包括下层浮栅层512和上层浮栅层511，以及位于上层浮栅层之间的刻蚀停止结构513，该刻蚀停止结构513位于栅区313的中部，且刻蚀停止结构513的y向宽度小于有源区311的y向宽度。该刻蚀停止结构513的x向的两端部分别向靠近的控制栅区314延伸，即图5所示延伸栅区315的左端部延伸至第一分栅区313a的控制栅区314中，延伸栅区315的右端部延伸至第二分栅区313b的控制栅区314中。在其他实施例中，该刻蚀停止结构513两端部其中的任何一端部，还可延伸至对应控制栅区314与延伸栅区315的交界处。可选地，该下层浮栅层512的厚度为150埃至350埃。

图5a示出了步骤s42完成后，形成的一示例性刻蚀停止结构与有源区各区域的位置关系示意图。从图5a中可以看出，该刻蚀停止结构513位于有源区311的y向中间，且该刻蚀停止结构513的y向宽度小于有源区311的y向宽度，该刻蚀停止结构513的x向两端部分别延伸至第一分栅区313a的控制栅区314中，和第二分栅区313b的控制栅区314中。

形成图5所示的结构，可以先制作下层浮栅层512，该下层浮栅层512至少覆盖器件的有源区311；再在该下层浮栅层512的上表面制作形成刻蚀停止介质层；通过光刻并选择性刻蚀该刻蚀停止介质层，保留该刻蚀停止介质层的中部形成图5和图5a所示的刻蚀停止结构513；最后制作上层浮栅层511，该上层浮栅层511至少覆盖器件的有源区311，即该上层浮栅层511覆盖在刻蚀停止结构表面，和外露的下层浮栅层512表面，使得上层浮栅层511、刻蚀停止结构513和下层浮栅层512形成浮栅层51，该浮栅层51至少覆盖器件的有源区311。

步骤s43：制作控制栅层，使得所述控制栅层覆盖在所述浮栅层的上表面和栅侧面。

在图5的基础上进行步骤s43形成图6所示的器件结构。图6所示的控制栅层52至少覆盖器件的有源区311。图6a为图6所示结构，沿a2向剖视结构示意图。图6b为图6所示结构，沿a4向剖视结构示意图。该a2向和a4向可以参照图5a中的a2和a4。参照图6a和图6b，该控制栅层52覆盖浮栅层51的上表面和栅侧面，该栅侧面该浮栅层51的y向侧面，即该浮栅层51连接隔离区312隔离结构34的侧面。

对于图6a，由于刻蚀停止结构513的x向端部，未延伸至图5a的a2向剖面线位置处，因此在a2向剖面结构示意图中，仅能看到上下层叠的下层浮栅层512和上层浮栅层511。但是从图5a中可以看出，a4向剖面线位于延伸栅区315中，且该a4向剖面线的延伸方向与x向一致，因此图6b所示a4向剖面结构示意图中，可以看出位于下层浮栅层512和上层浮栅层511之间的刻蚀停止结构513。

步骤s44：定义出所述第一分栅区和第二分栅区中的控制栅区。

可以先在图6所示的控制栅层52上，通过硬质掩模层定义出有源区，即使得该硬质掩模层覆盖在器件的有源区上；再通过光刻工艺，刻蚀去除栅区位置处的硬质掩模层，使得剩余的硬质掩模层覆盖在源漏区；然后再沉积氧化硅层，并通过各向异性刻蚀工艺，对该氧化硅层进行刻蚀形成两个第一侧墙介质层，两个第一侧墙介质层分别对应覆盖第一分栅区和第二分栅区的控制栅区上，从而定义出该第一分栅区和第二分栅区中的控制栅区，而该有源区的选择栅区和延伸栅区的控制栅层上表面外露。

步骤s45：进行初级分栅刻蚀，保留所述控制栅区中的结构，以及所述刻蚀停止结构和被所述刻蚀停止结构覆盖的下层浮栅层。

图7示出了在图6的基础上进行初级分栅刻蚀后形成的器件结构。图7a为图7所示结构，沿a3向剖视结构示意图。图7b为图7所示结构，沿a2向剖视结构示意图。图7c为图7所示结构，沿a4向剖视结构示意图。该a3向、a2向和a4向可以参照图5a中的a3、a2和a4剖面线。

参照图7，选择栅区313c和延伸栅区315位置上的控制栅层52和部分浮栅层51被刻蚀去除，而被第一侧墙介质层53覆盖的控制栅区314，在该第一侧墙介质层53的保护下，其中的结构未被刻蚀，同样地，被剩余的硬质掩模层54覆盖的源漏区，在硬质掩模层54的保护下，其中的结构也未被刻蚀。对于选择栅区313c和延伸栅区315位置处的控制栅层52和浮栅层51的上层浮栅层511被完全刻蚀去除，以刻蚀停止结构513为刻蚀停止层，使得被该刻蚀停止结构513覆盖部分的下层浮栅层512和该刻蚀停止结构513得以保留，选择栅区313c和延伸栅区315其他位置处的下层浮栅层512也被刻蚀去除。图7所示结构为a1向剖面线结构的剖视结构示意图，参照图5a，该a1剖面线从x向穿过刻蚀停止结构513所在位置，因此图7所示剖视结构可以看出初级分栅刻蚀结束后保留下来的部分下层浮栅层512。

参照图7a，该图7a为a3向剖面线的剖视结构示意图，参照图5a可以看出，该a3向剖面线未与刻蚀停止结构513所在位置存在重合。因此图7a所示剖面位置处的选择栅区313c和延伸栅区315，其中的控制栅层52和浮栅层51被完全刻蚀去除。

参照图7b，该图7b为a2向剖面线的剖视结构示意图，参照图5a可以看出，该a2向剖面线从y向穿过控制栅区314，该a2向剖面线不与刻蚀停止结构513所在位置存在重合。由于该控制栅区314位置处的结构被第一侧墙介质层53覆盖保护，因此图7b所示剖面位置处的控制栅层52和浮栅层51未被刻蚀。

参照图7c，该图7b为a4向剖面线的剖视结构示意图，参照图5a可以看出，该a4向剖面线从y向穿过延伸栅区315，且a4向剖面线与刻蚀停止结构513所在位置存在部分重合。从而图7c所示剖面位置处，存在刻蚀停止结构513的部分及其覆盖的下层浮栅层512保留，不存在刻蚀停止结构513的下层浮栅层512被刻蚀去除。

步骤s46：定义出所述第一分栅区的控制栅区和延伸栅区，以及和所述第二分栅区的控制栅区和延伸栅区。

可以先在图7或图7a至图7c中任一幅图所示的器件结构上沉积氧化硅层，并通过各向异性刻蚀工艺，对该氧化硅层进行刻蚀形成两个第二侧墙介质层，两个第二侧墙介质层分别对应覆盖第一分栅区和第二分栅区的延伸栅区上，从而定义出该第一分栅区和第二分栅区中的延伸栅区。而图7或图7a至图7c中任一幅图所示的器件，其有选择栅区位置处的结构外露。

步骤s47：进行终极分栅刻蚀，保留所述第一分栅区和所述第二分栅区中的刻蚀停止结构形成间隔延伸部，所述间隔延伸部包括位于所述延伸栅区中的间隔延伸部本体，被所述间隔延伸部本体覆盖的下层浮栅层为下层浮栅延伸部。

图8示出了在图7的基础上进行终极分栅刻蚀后形成的器件结构。该终极分栅刻蚀使得原先保留在图7或图7a至图7c中任一幅图所示的器件中，其有选择栅区位置处的结构刻蚀停止结构513和下层浮栅层512被刻蚀去除。而在第二侧墙介质层55的保护下，位于第一分栅区313a和第二分栅区313b延伸栅区315中的部分刻蚀停止结构，及其覆盖的部分下层浮栅层未被刻蚀，得以保留。使得保留在第一分栅区和第二分栅区中的刻蚀停止结构形成间隔延伸部56。该间隔延伸部56包括位于延伸栅区315中的间隔延伸部本体，和延伸至控制栅区314中的间隔部，被该间隔延伸部本体覆盖的下层浮栅层512为下层浮栅延伸部，被该间隔部覆盖的下层浮栅层512为下层浮栅间隔部，覆盖在该间隔部上的上层浮栅层511为上层浮栅间隔部。

在控制栅区中，未被该间隔部覆盖的下层浮栅层512为下层浮栅接触部，接触覆盖在该下层浮栅接触部上的上层浮栅层511为上层浮栅接触部。

步骤s48：在所述选择栅区制作选择栅结构。

在形成选择栅结构后，再对除栅区313以外区域进行刻蚀，保留栅区313位置处的栅极结构，形成图3a至图3i中任一幅图所示的浮栅分栅闪存器件结构。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。