肖特基势垒二极管及其制备方法

1.本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法。


背景技术：

2.肖特基势垒二极管器件中二维电子气的迁移率是影响在器件截止频率的主要参数，提高二维电子气的迁移率可以提高肖特基势垒二极管的截止频率，可以使器件工作在更高频率的范围，有望解决太赫兹波段工作器件的缺失问题。
3.目前提高gan基hemt中二维电子气的迁移率的方法主要是调整异质结中的铝组分。但是这种调整铝组分的方法对器件中二维电子气迁移率的提高效果非常有限，不能达到太赫兹波段工作器件的要求。


技术实现要素：

4.(一)要解决的技术问题
5.针对于现有的技术问题，本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，用于至少部分解决以上技术问题。
6.(二)技术方案
7.本发明提供一种肖特基势垒二极管，包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层2，石墨烯插入层3和势垒层4；其中，石墨烯插入层3用于提高氮化镓层2与势垒层4之间的二维电子气迁移率。
8.可选地，石墨烯插入层3的厚度为0.3～1.2nm，石墨烯插入层3的二维电子迁移率为10000～15000cm2/v
·
s。
9.可选地，势垒层4包括氮化镓铝，氮化镓铝中铝的质量组分为10～30％；势垒层4的厚度为20～50nm。
10.可选地，肖特基势垒二极管还包括：肖特基接触电极6和欧姆接触电极7；其中，肖特基接触电极6和欧姆接触电极7叠加在氮化镓层2之上并嵌入氮化镓层2，肖特基接触电极6和欧姆接触电极7分别与势垒层4相接触。
11.可选地，肖特基接触电极6包括：氮化钛，或者，包含钛层与金层的叠加层；欧姆接触电极7包括：离子重掺杂区，或者，包含钛层，铝层和金层的叠加层。
12.可选地，肖特基势垒二极管还包括：第一衬底1和绝缘层5；其中，异质结叠加在第一衬底1上，绝缘层5叠加在异质结上；第一衬底1包括蓝宝石、硅、氮化镓和碳化硅中的任一种，绝缘层5包括氧化硅、氮化硅和氧化铝中的任一种。
13.本发明另一方面提供一种肖特基势垒二极管制备方法，包括：依次叠加氮化镓层2，石墨烯插入层3和势垒层4，得到异质结；其中，通过湿法转移、干法转移和直接生长中的任意一种方法在氮化镓层2上制备石墨烯插入层3。
14.可选地，肖特基势垒二极管制备方法还包括：氮化处理第一衬底1，在第一衬底1上
制备异质结；其中，氮化处理的温度为1000～1200℃，氮化处理的时间为3～5min，氮化处理包括在真空生长室中通氨气和氢气；通过等离子体化学气相沉积、原子层沉积和电子束蒸发沉积中的任意一种方法在异质结上制备绝缘层5；刻蚀绝缘层5和异质结至部分深入氮化镓层2，得到两个不接触的第一电极区域和第二电极区域；在第一电极区域注入金属钛形成氮化钛，或者，在第一电极区域沉积包含钛层与金层的叠加层，得到肖特基接触电极6；在第二电极区域注入离子形成离子重掺杂区，或者，在第二电极区域沉积包含钛层，铝层和金层的叠加层，得到欧姆接触电极7。
15.可选地，通过湿法转移、干法转移和直接生长中的任意一种方法在氮化镓层2上制备石墨烯插入层3包括：去除石墨烯插入层3的支撑材料，将石墨烯插入层3转移至氮化镓层2上；或者，把石墨烯插入层3从第二衬底上剥离下来，将石墨烯插入层3转移至氮化镓层2上；或者，利用等离子体增强化学气相沉积法在氮化镓层2上生长石墨烯插入层3。
16.可选地，通过分子束外延法或金属有机化合物化学气相沉淀法制备氮化镓层2；通过远程外延方法在石墨烯插入层3上制备势垒层4。
17.(三)有益效果
18.本发明提供一种基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管，通过在氮化镓层和势垒层之间增加超薄的石墨烯插入层，可以极大降低氮化镓层和势垒层之间的二维电子气的输运电阻，突破了gan材料本身载流子迁移率的限制，进而极大提升了二维电子气的迁移率，得到满足太赫兹波段工作要求的肖特基势垒二极管。
附图说明
19.通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
20.图1示意性示出了根据本发明实施例的肖特基势垒二极管结构示意图；
21.图2示意性示出了根据本发明实施例的异质结剖面的透射电子显微镜图；
22.图3示意性示出了根据本发明实施例的肖特基势垒二极管制备方法流程图；
23.图4示意性示出了根据本发明另一实施例的肖特基势垒二极管制备方法流程图。
24.【附图标记说明】
25.1-第一衬底
26.2-氮化镓层
27.3-石墨烯插入层
28.4-势垒层
29.5-绝缘层
30.6-肖特基接触电极
31.7-欧姆接触电极
具体实施方式
32.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
33.需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。说
明书中示例的各个实施例中的技术特征在无冲突的前提下可以进行自由组合形成新的方案，另外每个权利要求可以单独作为一个实施例或者各个权利要求中的技术特征可以进行组合作为新的实施例，且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中未绘示或描述的元件或实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。
34.除非存在技术障碍或矛盾，本发明的上述各种实施方式可以自由组合以形成另外的实施例，这些另外的实施例均在本发明的保护范围中。
35.虽然结合附图对本发明进行了说明，但是附图中公开的实施例旨在对本发明优选实施方式进行示例性说明，而不能理解为对本发明的一种限制。附图中的尺寸比例仅仅是示意性的，并不能理解为对本发明的限制。
36.虽然本发明总体构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。
37.图1示意性示出了根据本发明实施例的肖特基势垒二极管结构示意图。
38.根据本发明的实施例，如图1所示，肖特基势垒二极管例如包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层2，石墨烯插入层3和势垒层4；其中，石墨烯插入层3用于提高氮化镓层2与势垒层4之间的二维电子气迁移率。
39.根据本发明的实施例，石墨烯插入层3的厚度范围例如可以为0.3至1.2nm。石墨烯的电子迁移率和晶体质量以及石墨烯的层数都有关系，一般晶体质量越好迁移率越高，随着石墨烯层数的增加迁移率会有所下降。制备的石墨烯插入层3的质量越好，石墨烯插入层3的厚度越薄，其中的二维电子气迁移率越高。优选地，石墨烯插入层3例如为单层石墨烯，厚度约为0.34nm。石墨烯插入层3的厚度例如也可以为0.68nm，1.02nm等。超薄的石墨烯层具有超高的二维电子气迁移率，例如可以为10000至15000cm2/v
·
s。具体地，石墨烯插入层3的二维电子气迁移率例如可以为10000cm2/v
·
s、11000cm2/v
·
s、12000cm2/v
·
s、13000cm2/v
·
s、14000cm2/v
·
s或15000cm2/v
·
s。超薄的石墨烯插入层3不会影响氮化镓层2和势垒层4之间的极化效应，将石墨烯制作在algan/gan异质结的界面处，由于gan的晶体极性可以穿透石墨烯，所以仍然会在界面处由极化效应产生二维电子气，并且二维电子气会分布在石墨烯和gan的表面，所以石墨烯将会作为二维电子气的一个高速通道，相当于在肖特基势垒二极管的两个电极之间增加了一条阻值极低的并联电路，因而极大的增加了其中的二维电子气迁移率。
40.根据本发明的实施例，势垒层4的厚度例如可以为25至50nm。势垒层的厚度会影响二维电子气的浓度和迁移率，一般随着厚度的增加二维电子气的浓度会有所增加，但是一定厚度时会出现饱和而且厚度过高也会引发应变驰豫，使得材料特性恶化，而厚度的增加也会使得二维电子气受到的散射增加降低迁移率，一般势垒层的厚度根据实验条件取适当值。具体地，势垒层4的厚度例如可以为25nm、30nm、35nm、40nm、45nm或50nm。势垒层4采用的材料例如包括氮化镓铝，其中，al组分对二维电子气的影响和势垒层厚度的影响大致相同，增加al组分会增强压电极化效应，从而增大二维电子气的浓度，但是过高的al组分则会引起应变驰豫，而且也会使得合金化散射增加，降低迁移率，所以al组分也是根据实验情况取
适当值。具体地，铝的质量组分例如可以为10％至30％。
41.图2示意性示出了根据本发明实施例的异质结剖面的透射电子显微镜图。
42.根据本发明的实施例，如图2所示，可以清晰的看到在氮化镓层2和势垒层4有一层超薄的石墨烯插入层3。
43.根据本发明的实施例，如图1所示，肖特基势垒二极管例如还包括：肖特基接触电极6和欧姆接触电极7。其中，肖特基接触电极6和欧姆接触电极7叠加在氮化镓层2之上并部分嵌入氮化镓层2，肖特基接触电极6和欧姆接触电极7分别与势垒层4相接触。肖特基接触电极6和欧姆接触电极7例如可以分别位于图1所示肖特基势垒二极管的左右两端。
44.根据本发明的实施例，肖特基接触电极6例如可以为注入金属钛形成的氮化钛，或者刻蚀深槽沉积多层金属钛/金。欧姆接触电极7例如可以为离子形成的重掺杂区，或者刻蚀深槽沉积多层金属钛/铝/钛/金。
45.根据本发明的实施例，如图1所示，肖特基势垒二极管例如还包括：第一衬底1和绝缘层5。其中，异质结叠加在第一衬底1上，绝缘层5叠加在异质结上。第一衬底1采用的材料例如包括蓝宝石、硅、氮化镓和碳化硅中的任一种，绝缘层5采用的材料例如包括氧化硅、氮化硅和氧化铝中的任一种。
46.图3示意性示出了根据本发明实施例的肖特基势垒二极管制备方法流程图。
47.本发明另一方面提供一种肖特基势垒二极管制备方法，如图3所示，肖特基势垒二极管制备方法例如包括：
48.s301，准备第一衬底1。
49.根据本发明的实施例，在第一衬底1上制备氮化镓层2之前，可以对第一衬底1进行处理。第一衬底1的处理方法例如包括氮化处理法。其中，氮化处理法的温度例如可以为1000至1200℃。氮化处理的时间例如可以为3至5min。氮化处理例如包括在高真空生长室中通氨气和氢气。第一衬底1例如可以为蓝宝石衬底、硅衬底、氮化镓衬底或碳化硅衬底中的任意一种。
50.s302，在第一衬底1上制备氮化镓层2。
51.根据本发明的实施例，例如可以通过分子束外延法(mbe)或金属有机化合物化学气相沉淀法(mocvd)来制备氮化镓层。
52.s303，在氮化镓层2上制备石墨烯插入层3。
53.根据本发明的实施例，石墨烯插入层3，即石墨烯层的制备方法例如包括湿法转移、干法转移和直接生长。石墨烯层的湿法转移例如包括去除石墨烯下表面的支撑材料。石墨烯层的支撑材料例如包括铜箔、镍箔中的任一种。将去除支撑材料后的石墨烯层转移到氮化镓层上。石墨烯层的干法转移例如包括把石墨烯从第二衬底上剥离下来。石墨烯层的第二衬底例如包括碳化硅、蓝宝石、氮化硼中的任一种。将从第二衬底上剥离下来的石墨烯层转移到氮化镓层上。石墨烯层的直接生长方法例如包括在氮化镓层2上直接生长石墨烯层，例如可以使用等离子体增强化学气相沉积法直接在氮化镓层2上生长石墨烯层。
54.s304，在石墨烯插入层3上制备势垒层4。
55.根据本发明的实施例，例如可以使用远程外延方法制备势垒层4。远程外延是通过石墨烯等二维材料在衬底上外延生长材料的一种新型技术。远程外延方法即为区别于直接在氮化镓层2上制备势垒层4的，使势垒层4离氮化镓层2一定距离的外延方法。
56.s305，在势垒层4上制备绝缘层5。
57.根据本发明的实施例，例如采用等离子体化学气相沉积、原子层沉积、电子束蒸发沉积中的任意一种方法制备绝缘层5。
58.s306，在和氮化镓层2和势垒层4接触的器件一端制作肖特基接触电极6。
59.根据本发明的实施例，例如采用注入金属钛形成氮化钛，刻蚀深槽沉积多层金属的方法制备肖特基接触电极6，多层金属的叠加顺序例如可以是钛/金。
60.s307，在和氮化镓层2和势垒层4接触的器件另一端制作欧姆接触电极7。完成基于algan/石墨烯/gan异质结构的肖特基势垒二极管的制备。
61.根据本发明的实施例，例如采用注入离子形成重掺杂区，刻蚀深槽沉积多层金属的方法制备欧姆接触电极7，多层金属的叠加顺序例如可以是钛/铝/钛/金。
62.图4示意性示出了根据本发明另一实施例的肖特基势垒二极管制备方法流程图。
63.根据本发明的另一实施例，如图4所示，肖特基势垒二极管制备方法例如包括：
64.s401，准备一衬底放入高真空生长室，进行氮化处理。
65.根据本发明的另一实施例，氮化条件例如可以为1050℃下通nh3和h2，时间为3至5min。
66.s402：在衬底上生长gan。
67.s403：将铜箔上的石墨烯利用fecl3(氯化铁)溶液腐蚀法转移到生长好gan的衬底上。
68.根据本发明的另一实施例，例如利用fecl3溶液将石墨烯下的铜箔腐蚀掉。fecl3溶液的组分为fecl3∶hcl∶h2o＝1∶1∶4。然后，例如再利用中间片将溶液中的石墨烯捞出转移至生长好gan的衬底上。
69.s404：将转移好石墨烯的衬底及gan层放入高真空室生长algan势垒层。
70.根据本发明的另一实施例，例如利用远程外延法在mocvd腔室中生长algan势垒层。
71.s405：将生长好的外延结构放入等离子体增强化学气相沉积腔室内沉积氮化硅制作绝缘层。
72.根据本发明的另一实施例，例如利用等离子体增强化学气相沉积在algan表面沉积一层氮化硅薄膜。
73.s406：利用光刻和离子注入技术制作氮化钛肖特基接触电极。
74.根据本发明的另一实施例，例如利用光刻和离子注入制作氮化钛电极。
75.s407：利用光刻、刻蚀和镀膜技术制作钛/铝/钛/金欧姆接触电极，完成制备。
76.根据本发明的另一实施例，例如利用光刻和镀膜制作钛/铝/钛/金电极。
77.为更加清楚的说明本发明基于algan/石墨烯/gan异质结构的肖特基势垒二极管的制备方法，以下通过具体实施例结合附图对本发明的技术方案做进一步阐述说明。需要注意的是，下述的具体实施例仅是作为举例说明，本发明的保护范围并不限于此。
78.实施例1
79.请参阅图3，本实施例公开了一种基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管及其制备方法，例如包括以下步骤：
80.s501，准备一衬底，该衬底例如为硅衬底(即第一衬底1)，该硅衬底(即第一衬底1)
可以生长质量较好的gan(即氮化镓层2)。将该硅衬底(即第一衬底1)放入高真空生长室进行氮化处理，以达到生长gan的条件。
81.s502，在该硅衬底(即第一衬底1)上生长gan(即氮化镓层2)。例如在该硅衬底(即第一衬底1)上利用mocvd(金属有机化合物化学气相沉淀)或者mbe(分子束外延法)外延生长一定厚度的gan缓冲层和质量较好的u型gan，得到表面平整缺陷较少的u型gan势阱层(即氮化镓层2)。
82.s503，将铜箔上的单层石墨烯利用fecl3溶液腐蚀法转移到在第一衬底1上生长好的gan层(即氮化镓层2)上。例如将带有石墨烯的铜箔放入组分为fecl3∶hcl∶h2o＝1∶1∶4的溶液中将铜箔去除掉，然后将石墨烯转移到在第一衬底1上生长好的gan层(即氮化镓层2)上，最后用去离子水浸泡10min进行清洗，用n2吹干样片，完成石墨烯插入层3的制备。
83.s504，将在氮化镓层2上转移好石墨烯的器件放入mbe或者mocvd的高真空生长室中，利用远程外延法在石墨烯上生长u型al
x
ga
1-x
n势垒层(即势垒层4)，完成势垒层4的制作。u型al
x
ga
1-x
n的厚度例如为25nm，u型al
x
ga
1-x
n的组分例如为x＝0.3。
84.s505，将生长好的外延结构放入等离子体增强化学气相沉积腔室内，在势垒层4上淀积一层例如200nm厚的氮化硅薄膜作为绝缘钝化层，完成绝缘层5的制作。
85.s506，对淀积了绝缘层5的外延片进行光刻，然后通过离子注入钛金属形成氮化钛，氮化钛和界面处二维电子气形成肖特基接触，完成肖特基接触电极6的制作。
86.s507，对制作了肖特基接触电极6的外延片进行光刻，然后刻蚀深槽到二维电子气以下，最后通过电子束蒸发镀膜钛/铝/钛/金多层金属和二维电子气形成欧姆接触，完成欧姆接触电极7的制作。
87.实施例2
88.请参阅图3，本实施例公开了另一种基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管及其制备方法，例如包括以下步骤：
89.s601，准备一衬，该衬底例如为蓝宝石衬底(即第一衬底1)，该蓝宝石衬底(即第一衬底1)可以生长质量较好的gan(即氮化镓层2)。将该蓝宝石衬底(即第一衬底1)放入高真空生长室进行氮化处理，以达到生长gan的条件。
90.s602，在该蓝宝石衬底(即第一衬底1)上生长gan(即氮化镓层2)。例如在该硅衬底(即第一衬底1)上利用mocvd(金属有机化合物化学气相沉淀)或者mbe(分子束外延法)外延生长一定厚度的gan缓冲层和质量较好的u型gan，得到表面平整缺陷较少的u型gan势阱层(即氮化镓层2)。
91.s603，将碳化硅衬底上生长的单层石墨烯通过热释放胶带剥离，然后将石墨烯转移到在第一衬底1上生长好的gan层(即氮化镓层2)上，然后将热板加热至120℃以上使热释放胶带失去粘性，将石墨烯成功转移到氮化镓层2上，然后再利用压印的方式增加石墨烯在氮化镓层2上的结合力，最后用去离子水浸泡10min进行清洗，用n2吹干样片，完成石墨烯插入层3的制备。
92.s604，将在氮化镓层2上转移好石墨烯的器件放入mbe或者mocvd的高真空生长室中，利用远程外延法在石墨烯上生长u型al
x
ga
1-x
n势垒层(即势垒层4)，完成势垒层4的制作。u型al
x
ga
1-x
n的厚度例如为35nm，u型al
x
ga
1-x
n的组分例如为x＝0.2。
93.s605，将生长好的外延结构放入等离子体增强化学气相沉积腔室内，在势垒层4上
淀积一层例如225nm厚的氮化硅薄膜作为绝缘钝化层，完成绝缘层5的制作。
94.s606，对淀积了绝缘层5的外延片进行光刻，然后通过离子注入钛金属形成氮化钛，氮化钛和界面处二维电子气形成肖特基接触，完成肖特基接触电极6的制作。
95.s607，对制作了肖特基接触电极6的外延片进行光刻，然后通过离子注入形成高掺杂区，然后淀积氮化钛形成欧姆接触，完成欧姆接触电极7的制作。
96.实施例3
97.请参阅图3，本实施例公开了又一种基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管及其制备方法，例如包括以下步骤：
98.s701，准备一衬底，该衬底例如为碳化硅衬底(即第一衬底1)，该碳化硅衬底(即第一衬底1)可以生长质量较好的gan(即氮化镓层2)。将该碳化硅衬底(即第一衬底1)放入高真空生长室进行氮化处理，以达到生长gan的条件。
99.s702，在该碳化硅衬底(即第一衬底1)上生长gan(即氮化镓层2)。例如在该碳化硅衬底(即第一衬底1)上利用mocvd(金属有机化合物化学气相沉淀)或者mbe(分子束外延法)外延生长一定厚度的gan缓冲层和质量较好的u型gan，得到表面平整缺陷较少的u型gan势阱层(即氮化镓层2)。
100.s703，将制备好氮化镓层2的碳化硅衬底放入等离子体增强化学气相沉积腔室内，通入甲烷气体在氮化镓层2表面直接生长石墨烯，完成石墨烯插入层3的制备。
101.s704，将在氮化镓层2上生长好石墨烯的器件放入mbe或者mocvd的高真空生长室中，利用远程外延法在石墨烯上生长u型al
x
ga
1-x
n势垒层(即势垒层4)，完成势垒层4的制作。u型al
x
ga
1-x
n的厚度例如为45nm，u型al
x
ga
1-x
n的组分例如为x＝0.1。
102.s705，将生长好的外延结构放入等离子体增强化学气相沉积腔室内，在势垒层4上淀积一层例如250nm厚的氮化硅薄膜作为绝缘钝化层，完成绝缘层5的制作。
103.s706，对淀积了绝缘层5的外延片进行光刻，然后通过离子注入钛金属形成氮化钛，氮化钛和界面处二维电子气形成肖特基接触，完成肖特基接触电极6的制作。
104.s707，对制作了肖特基接触电极6的外延片进行光刻，然后刻蚀深槽到二维电子气以下，最后通过电子束蒸发镀膜钛/铝/钛/金多层金属和二维电子气形成欧姆接触，完成欧姆接触电极7的制作。
105.综上所述，本发明实施例提出一种基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管及其制备方法。通过在氮化镓层和势垒层之间增加超薄的石墨烯插入层，可以极大降低氮化镓层和势垒层之间的二维电子气的输运电阻，突破了gan材料本身载流子迁移率的限制，进而极大提升了二维电子气的迁移率，得到满足太赫兹波段工作要求的肖特基势垒二极管。本发明提供的基于algan/石墨烯/gan异质结的肖特基势垒二极管制备方法通过远程外延生长出algan势垒层，与传统氮化物生长工艺兼容，能够推动器件在高频、高速领域更广泛的应用。
106.方法或产品实施例部分未尽细节之处与装置或方法实施例部分类似，请参见装置或方法实施例部分，此处不再赘述。
107.应该明白，公开的过程中的步骤的特定顺序或层次是示例性方法的实例。基于设计偏好，应该理解，过程中的步骤的特定顺序或层次可以在不脱离本公开的保护范围的情况下得到重新安排。所附的方法权利要求以示例性的顺序给出了各种步骤的要素，并且不
是要限于的特定顺序或层次。
108.还需要说明的是，实施例中提到的方向术语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。可能导致本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。并且图中各部件的形状、尺寸、位置关系不反映真实大小、比例和实际位置关系。
109.在上述的详细描述中，各种特征一起组合在单个的实施方案中，以简化本公开。不应该将这种公开方法解释为反映了这样的意图，即，所要求保护的主题的实施方案需要比清楚地在每个权利要求中所陈述的特征更多的特征。相反，如所附的权利要求书所反映的那样，本发明处于比所公开的单个实施方案的全部特征少的状态。因此，所附的权利要求书特此清楚地被并入详细描述中，其中每项权利要求独自作为本发明单独的优选实施方案。
110.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非另有明确具体的限定。就说明书或权利要求书中使用的术语“包含”，该词的涵盖方式类似于术语“包括”，就如同“包括，”在权利要求中用作衔接词所解释的那样。使用在权利要求书的说明书中的任何一个术语“或者”是要表示“非排它性的或者”。
111.以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。