晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法与流程

1.本公开是有关一种晶片处理系统、一种气体喷射系统及一种控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法。


背景技术：

2.半导体晶片被用于多种电子设备中，例如，手机、笔记型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费性电子产品。半导体晶片通常经过一种或多种处理以产生期望的特征。


技术实现要素：

3.根据本公开的一些实施例，一种晶片处理系统包含晶片处理室、晶片支撑件、气体喷射系统。晶片处理室在晶片处理室中定义处理区域，其中在处理区域处理晶片；晶片支撑件在晶片处理室中，并配置以在处理区域中支撑晶片；气体喷射系统，包含：气体喷射器、第一气体管、加热壳体、第二气体管。气体喷射器耦接至晶片处理室，并配置以将第一气体喷射至处理区域，其中第一气体被用于晶片的处理；第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器；加热壳体包围气体喷射器；以及第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将在加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度增加到第二壳体温度，其中，由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的一温度从第一温度升高到第二温度。
4.根据本揭露的一些实施例，一种气体喷射系统包含气体喷射器、第一气体管、加热壳体、第二气体管。气体喷射器耦接至晶片处理室，并配置以将第一气体喷射到由晶片处理室定义的处理区域中，其中，第一气体用于在处理区域中处理晶片；第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器；加热壳体包围气体喷射器；以及第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度增加到第二壳体温度，其中，由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升至第二温度。
5.根据本揭露的一些实施例，一种控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法包含：将处于第一温度的第一气体引导至与包含晶片的晶片处理室相连的气体喷射器；使用加热装置加热第二气体以产生加热的气体；将加热的气体引导至包围气体喷射器的加热壳体，以将气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高至第二温度；以及在将第一气体的温度升高到第二温度之后，将第一气体从气体喷射器喷射到晶片处理室中，其中第一气体被用于晶片的处理。
附图说明
6.当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可以任意地
增加或为了讨论的清晰而减少。
7.图1绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的横截面图；
8.图2绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的立体图；
9.图3绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的示意图；
10.图4绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的示意图；
11.图5绘示根据一些实施例的控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法的流程图；
12.图6绘示根据一些实施例的示例性计算机可读取媒体，其中可以包括配置为实现本公开阐述的一个或多个规定的处理器可执行指令。
13.【符号说明】
14.100：晶片处理系统
15.102：第二气体管
16.106：加热壳体
17.108：第一气体管
18.110：气体喷射器
19.112：变压器耦合电浆线圈
20.114：平板
21.116：晶片处理室
22.118：晶片
23.120：第一位置
24.122：处理区域
25.124：射频发电机
26.126：偏置射频发电机
27.130：第一开口
28.132：第二位置
29.134：顶部
30.136：侧壁
31.140：晶片支撑件
32.142：开口
33.144：电浆
34.146：顶部表面
35.150：第一气体
36.152：加热的气体
37.202：第一部分
38.204：宽度
39.206：宽度
40.208：第二部分
41.210：宽度
42.302：第四气体管
43.304：第二气体
44.306：加热装置
45.402：容器
46.404：处理气体
47.406：第五气体管
48.408：第一混合室
49.410：第二处理气体
50.412：第六气体管
51.414：第二混合室
52.500：方法
53.502：步骤
54.504：步骤
55.506：步骤
56.508：步骤
57.600：实施例
58.602：方法
59.604：计算机指令
60.606：计算机可读取数据
61.608：计算机可读取媒体
具体实施方式
62.以下公开提供了用于实现本公开的不同特征的许多不同的实施例或示例。以下描述元件和配置的特定示例以简化本公开。当然，这些仅是示例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二特征之上或上方形成第一特征可以包括第一特征和第二特征以直接接触形成的实施例，并且还可以包括在第一特征和第二特征之间形成附加的特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外，本公开可以在各个示例中重复参考数字和/或文字。此重复是出于简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。
63.更甚者，空间相对的词汇(例如，“低于”、“下方”、“之下”、“上方”、“之上”等相关词汇)于此用以简单描述如图所示的元件或特征与另一元件或特征的关系。在使用或操作时，除了图中所绘示的转向之外，这些空间相对的词汇涵盖装置的不同转向。再者，这些装置可旋转(旋转90度或其他角度)，且在此使用的空间相对的描述语可作对应的解读。
64.晶片处理系统具有晶片处理室和气体喷射系统。此气体喷射系统具有气体喷射器，此气体喷射器耦接到晶片处理室，此气体喷射器配置以将第一气体喷射到由晶片处理室定义的处理区域中。第一气体用于处理包含在处理区域中的晶片。气体喷射系统具有包围气体喷射器的加热壳体，并且气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体的壳体温度从第一壳体温度升高到第二壳体温度。由于加热壳体的第二壳体温度，气体喷射器中第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。与不使用加热的气体和/或不使用加热壳体来将第一气体的温度升高到第二温度的晶片处理系统相比，执行具有在第二壳体
温度的加热壳体的气体喷射系统以将第一气体的温度从第一温度增加到第二温度可抑制第一气体的液化和/或结晶，因此可减少第一气体的非气态含量(例如，喷射到处理区域中液体或固体成分中的至少一种)。执行具有在第二壳体温度的加热壳体的气体喷射系统可至少减少或防止在晶片上和/或在晶片处理室中第一气体的成分所形成的聚合物。气体喷射系统从而减少和/或防止在处理期间产生与聚合物形成相关的晶片缺陷。鉴于由于减少了聚合物的形成，此晶片处理系统比其他晶片处理系统更有效地运行(例如，晶片处理室需要较少的清洁和/或维护，在晶片中产生更少的晶片缺陷等)。
65.图1绘示根据一些实施例的晶片处理系统100。图1中所示的视图是横截面图，其绘示晶片处理系统100的一些内部方面。晶片处理系统100包括晶片处理室116，此晶片处理室116限定了在其中处理晶片118的处理区域122。晶片处理系统100配置以处理晶片118(例如，用于制造一个或多个半导体装置)。在处理区域122中对晶片118的处理可以包括蚀刻中的至少一种(例如，反应离子蚀刻(reactive-ion etching)、钝化、溅镀、表面清洁、化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)等)。在一些实施例中，使用在处理区域122中建立的电浆来执行处理。晶片118的其他处理亦在本公开的范围内。
66.晶片处理系统100包括气体喷射系统，此气体喷射系统配置以将第一气体150喷射到处理区域122中。第一气体150用于在处理区域122中对晶片118进行处理。第一气体150包括氟化硅(sif)(例如，四氟化硅(sif4))、溴化硅(sibr)(例如，四溴化硅(sibr4))、氯化硅(sicl)(例如，四氯化硅(sicl4))、碘化硅(sii)(例如，四碘化硅(sii4))或其他合适的气体中的至少一种。气体喷射系统包括第一气体管108、第二气体管102、气体喷射器110和加热壳体106。
67.气体喷射器110耦接至晶片处理室116。气体喷射器110在晶片处理室116的平板114上方。平板114对应于盘、视窗、喷气头、挡板或其他合适的元件。平板114包括石英或其他合适的材料中的至少一种。气体喷射器110配置以将第一气体150喷射到处理区域122中。气体喷射器110和/或平板114的其他结构和/或构造皆在本公开的范围内。
68.加热壳体106包围气体喷射器110。加热壳体106限定第一开口130，其中第一气体管108透过此第一开口130延伸到加热壳体106中。第一开口130限定在加热壳体106的顶部134中或加热壳体106的其他部分中。加热壳体106的顶部134至少位于气体喷射器110的上方，与气体喷射器110直接接触，或与气体喷射器110间接接触。在一些实施例中，加热壳体106的顶部134的内表面与气体喷射器110的顶部表面146直接接触。在一些实施例中，在加热壳体106的顶部134的内表面和气体喷射器110的顶部表面146之间存在一空间(例如，包括空气或其他气体中的至少一种)。
69.第一气体管108配置以将处于第一温度的第一气体150引导至气体喷射器110。第一气体管108在第一位置120处流体地耦接至气体喷射器110。第一位置120通常为对应于第一气体150离开第一气体管108并进入气体喷射器110的位置。一个或多个阀、密封剂、o形环等可以存在于第一位置120，以控制第一气体150从第一气体管108到气体喷射器110的流动。
70.第二气体管102配置以将加热的气体152引导至加热壳体106。第二气体管102在第二位置132处流体地耦接至加热壳体106。第二位置132在加热壳体106的侧壁136处或在加热壳体106的其他部分处。加热的气体152从第二气体管102透过位于第二位置132处的加热
壳体106的开口流入加热壳体106中。第一气体150与加热的气体152隔离，使得加热的气体152不会进入气体喷射器110，或者第一气体150和加热的气体152不会混合。加热壳体106、第一气体管108、气体喷射器110和/或第二气体管102的其他结构和/或构造皆在本公开的范围内。
71.加热的气体152包括加热的洁净干燥空气(clean dry air,cda)或其他合适的气体中的至少一种。进入加热壳体106的加热的气体152将加热壳体106的壳体温度从第一壳体温度升高到第二壳体温度。壳体温度是加热壳体106的内表面的温度、加热壳体106的外表面的温度、加热壳体106中的气体喷射器110的温度、加热壳体106中的第一气体管108的一部分的温度、加热壳体106与气体喷射器110接触的位置的温度、或在加热壳体106的内表面和气体喷射器110之间的一空间(例如，包括空气或加热的气体152中的至少一种)的温度中的至少之一。
72.加热壳体106处的第二壳体温度至少使气体喷射器110中或加热壳体106中的一部分的第一气体管108中的第一气体150的温度从第一温度升高到第二个温度。加热的气体152的热量或能量至少在气体喷射器110中或在加热壳体106中的一部分的第一气体管108中传递到第一气体150，使得第一气体150的温度升高到第二温度。
73.第一气体150在气体喷射器110中处于第一压力。第一气体150在第一压力和第二温度处于气态。在第一气体管108的至少一部分中，第一气体150处于第二压力。在一些实施例中，第一气体150在第二压力和第一温度下处于非气态。第一气体150的非气态对应于其中第一气体150的物质是部分气态、至少部分液态或至少部分固态中的至少一个。在一些实施例中，第二压力与第一压力相同。在一些实施例中，第二压力不同于第一压力。在第一压力下，第二温度超过或大约等于第一气体150的沸点，使得气体喷射器110中的第一气体150处于气态。在一些实施例中，第一气体150包括单一化合物。在一些实施例中，第一气体150包括多种化合物(例如，气体混合物)，其中气体混合物中的每种气体在第一压力下具有不同的沸点。在第一压力下，第二温度超过或大约等于气体混合物的不同沸点的最高沸点。在一些实施例中，第二温度为至少摄氏56度。第二温度的其他值亦在本公开的范围内。
74.气体喷射器110配置以将第一气体150喷射到处理区域122中。当例如由于第一气体150的温度从第一温度升高到第二温度而被喷射到处理区域122中时，第一气体150处于气态。第一气体150流过气体喷射器110或平板114中的至少一个并进入处理区域122。在一些实施例中，第一气体150从气体喷射器110经由平板114内的一个或多个开口142流到处理区域122。平板114提供第一气体150到处理区域122中大体上均匀的流动或分布。气体喷射器110的至少一部分在一个或多个开口142上方。气体喷射器110和/或平板114的其他结构和/或配置均在本公开的范围内。
75.晶片处理室116包括在平板114上方的一个或多个变压器耦合电浆(transformer coupled plasma,tcp)线圈112。晶片处理系统100包括电耦接至一个或多个变压器耦合电浆线圈112的射频(radio frequency,rf)发电机124。晶片处理系统100包括耦接到晶片处理室116的偏置射频发电机126。在一些实施例中，偏置射频发电机126耦接到在晶片处理室116中的晶片支撑件140。晶片支撑件140配置以在处理区域122中支撑晶片118。晶片支撑件140包括晶片卡盘、静电卡盘或其他合适的结构中的至少一个。一个或多个变压器耦合电浆线圈112、射频发电机124、偏置射频发电机126和/或晶片支撑件140的其他结构和/或配置
均在本公开的范围内。
76.晶片处理系统100配置以在晶片处理室116中从第一气体150建立电浆144。电浆144用于晶片118的处理(例如，蚀刻晶片118)。晶片处理系统100使用一个或多个变压器耦合电浆线圈112、射频发电机124和/或偏置射频发电机126中的至少一个建立电浆144。射频发电机124产生第一射频功率(例如，具有在大约12百万赫兹(mhz)到大约15mhz之间的频率或其他合适的频率)，并将第一射频功率施加到一个或多个变压器耦合电浆线圈112。施加到一个或多个变压器耦合电浆线圈112的第一射频功率产生电磁场以从第一气体150建立电浆144(例如，透过加速第一气体150的电子或使第一气体150电离中的至少一种来产生电浆144)。偏置射频发电机126产生偏置射频功率(例如，具有大约12mhz至大约15mhz之间的频率或其他合适的频率)，并将偏置射频功率施加到晶片支撑件140。在一些实施例中，偏置射频发电机126控制偏置射频功率以控制在晶片处理室116中的离子轰击力或获得处理的一种或多种期望的处理特性(例如，一种或多种蚀刻特性或一种或多种其他处理特性中的至少一种)。一个或多个变压器耦合电浆线圈112、射频发电机124、偏置射频发电机126和/或晶片支撑件140之间的相互作用均在本公开的范围内。
77.在一些实施例中，加热壳体106包括非导电材料。加热壳体106的非导电材料包括聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,ptfe)或其他合适的材料中的至少一种。在一些实施例中，第二气体管102包括非导电材料。第二气体管102的非导电材料包括聚四氟乙烯或其他合适的材料中的至少一种。与包含导电材料的其他晶片处理系统的管和/或壳体相比，加热壳体106和/或第二气体管102不影响电磁场或对电磁场具有较小的影响。加热壳体106和/或第二气体管102的其他结构和/或构造均在本公开的范围内。
78.在一些实施例中，加热壳体106包括排气口(未绘示)，此排气口配置以将至少一些加热的气体152从加热壳体106引导到加热壳体106的外部。在一些实施例中，气体喷射系统包括第三气体管(未绘示)，其配置以引导从加热壳体106排出的至少一些加热的气体152。在一些实施例中，至少一些加热的气体152被重新利用、再循环等以加热一种或多种其他物品和/或继续加热加热壳体106。加热壳体106、排气口和/或第三气体管的其他结构和/或构造均在本公开的范围内。
79.图2绘示根据一些实施例的晶片处理系统100的加热壳体106、第一气体管108和第二气体管102的立体图。在一些实施例中，加热壳体106具有圆柱形形状。在一些实施例中，第二气体管102的第一部分202的宽度204大于第二气体管102的第二部分208的宽度206。在一些实施例中，第二气体管102的第一部分202的宽度204小于或大约等于第二气体管102的第二部分208的宽度206。在一些实施例中，第一气体管108的宽度210大约等于第二气体管102的第二部分208的宽度206。在一些实施例中，第一气体管108的宽度210与第二气体管102的第二部分208的宽度206不同。加热壳体106、第一气体管108和/或第二气体管102的其他形状、结构和配置均在本公开的范围内。
80.图3绘示根据一些实施例的晶片处理系统100的加热装置306的示意图。在一些实施例中，气体喷射系统包括第四气体管302，此第四气体管配置以将第二气体304引导至加热装置306。第二气体304包括洁净干燥空气或其他合适的气体中的至少一种。加热装置306加热第二气体304以产生加热的气体152。在一些实施例中，加热装置306包括加热线圈(未绘示)，此加热线圈配置以在当第二气体304流过加热装置306时加热第二气体304，以产生
加热的气体152。在一些实施例中，加热装置306耦接到第二气体管102，使得加热的气体152离开加热装置306并进入第二气体管102。加热装置306、第四气体管302和/或第二气体管102的其他结构和构造均在本公开的范围内。
81.在一些实施例中，加热装置306配置以加热第二气体304以产生具有加热的气体温度的加热的气体152。在一些实施例中，加热装置306基于一个或多个回馈信号来控制加热的气体的温度。一个或多个回馈信号包括一个或多个压力信号、一个或多个温度信号、或一个或多个其他合适的信号中的至少一个信号。在一些实施例中，从配置以测量一个或多个压力(例如，气体喷射器110中第一气体150的第一压力或第一气体管108中第一气体150的第二压力中的至少一个)的一个或多个压力感测器接收一个或多个压力信号。一个或多个压力感测器包括位于气体喷射器110内或上方的压力感测器、在第一气体管108内或上方的压力感测器或放置在另一个合适的位置的压力感测器中的至少一个。此一个或多个压力信号指示一个或多个压力。在一些实施例中，从配置以测量一个或多个温度(例如，壳体温度、气体喷射器110中第一气体150的温度、第一气体管108中第一气体150的温度、第一气体管108的温度、气体喷射器110的温度、加热壳体106的外表面的温度、加热壳体106的内表面的温度、第二气体管102的温度、第二气体管102中加热的气体152的温度、气体喷射器110中加热的气体152的温度、空间(例如，在加热壳体106的内表面和气体喷射器110之间充满加热的气体152的空间)的温度、或晶片处理系统100的另一合适位置处的温度中的至少一个)的一个或多个温度感测器接收一个或多个温度信号。一个或多个温度感测器包括以下至少一个：位于气体喷射器110内或上方的温度感测器，位于第一气体管108内或上方的温度感测器，位于第二气体管102内或上方的温度感测器，位于加热壳体106内或上方的温度感测器，或放置在另一个合适位置的温度感测器。一个或多个温度信号指示一个或多个温度。加热装置306基于第一气体150的成分或一个或多个回馈信号中的至少一个来控制加热的气体152的加热的气体温度，使得第一气体150的第二温度超过或大约等于第一气体150的沸点，以抑制第一气体150的液化和/或结晶并保持第一气体150的气态。加热装置306、一个或多个压力感测器和/或一个或多个温度感测器的其他结构和/或构造均在本公开的范围内。
82.图4绘示根据一些实施例的晶片处理系统100的容器402和一个或多个混合室的示意图。容器402配置以储存处理气体404。在一些实施例中，例如，使用一个或多个混合室，将处理气体404与一种或多种气体混合以产生第一气体150。一个或多个混合室包括第一混合室408、第二混合室414或一个或多个其他混合室中的至少一个。处理气体404经由第五气体管406被引导至第一混合室408。第一混合室408配置以将处理气体404与一个或多个第一气体混合以产生第二处理气体410，此第二处理气体410包括处理气体404与一个或多个第一气体的混合物。第二处理气体410经由第六气体管412被引导至第二混合室414。第二混合室414配置以将第二处理气体410与一种或多种第二气体混合以产生包括第二处理气体410与一种或多种第二气体的混合物的第一气体150。在一些实施例中，第二混合室414耦接至第一气体管108，使得第一气体150离开第二混合室414并进入第一气体管108。在一些实施例中，第一气体管108中第一气体150的压力高于第五气体管406中处理气体404的压力(例如，由于将处理气体404与一种或多种第一气体或一种或多种第二气体中的至少一种混合)。在一些实施例中，第一气体管108中第一气体150的处理气体404的沸点高于第五气体管406中处理气体404的沸点(例如，由于第一气体管108中第一气体150的压力高于第五气体管406
中处理气体404的压力)。因此，在第一气体管108中保持第一气体150的气态所需的温度高于在第五气体管406中保持处理气体404的气态所需的温度。处理气体404的沸点是第一气体150中一种或多种气体的一个或多个沸点中的最高沸点。在一些实施例中，加热装置306控制加热的气体152的加热的气体温度，使得第一气体150的第二温度超过或大约等于抑制处理气体404的液化和/或结晶并保持处理气体404的气态所需的温度。因此，当被喷射到处理区域122中时，第一气体150处于气态，并且几乎没有第一气体150为液态或固态。容器402、一个或多个混合室和/或第一气体150的其他结构和/或构造均在本公开的范围内。
83.在一些晶片处理系统中，晶片处理室的一个或多个部分(例如，晶片处理室的石英盘)被直接加热(例如，使用加热带(heating tape))。使用高于阈值温度的加热带会损坏石英盘、晶片处理室的其他部分或晶片处理室中容纳的晶片中的至少一个。若加热带的温度高于阈值温度则会导致基材、光阻或在晶片内和/或晶片上形成的其他物质中的至少一个破裂。可以将加热带的温度设置为低于阈值温度，以使加热带不会损坏石英盘、晶片处理室的其他部分或晶片中的至少一个。然而，若加热带的温度低于阈值温度可能会不足以维持晶片处理室中使用的处理气体的气态。因此，若进入晶片处理室的处理气体至少部分为液体或至少部分为固体，则至少会导致下面之一的情况发生：形成聚合物、损坏晶片处理室或形成缺陷于晶片内部和/或晶片上。透过一起执行晶片处理系统100与加热壳体106并且透过使用加热的气体152来提高加热壳体106处的壳体温度，可以将第一气体150的温度保持在第一气体150的沸点或沸点以上的第二温度，而不会对晶片118、平板114和/或晶片处理系统100的其他部分造成损坏。此外，透过将第一气体150的温度保持在等于或高于第一气体150的沸点的第二温度，晶片处理系统100可以在很少或几乎没有聚合物形成和/或在晶片118内和/或上以很少或几乎没有晶片缺陷的情况下处理晶片118。
84.根据一些实施例，在图5中绘示控制用于处理晶片(例如，晶片118或其他合适的晶片中的至少一个)的第一气体的温度的方法500。第一气体是第一气体150或其他合适的气体中的至少一种。在步骤502，处于第一温度的第一气体被引导至与包含晶片的晶片处理室相连的气体喷射器。气体喷射器是气体喷射器110或其他合适的气体喷射器中的至少一种。晶片处理室是晶片处理室116或其他合适的晶片处理室中的至少一种。在一些实施例中，第一气体在第一气体管中(例如，第一气体管108或其他合适的气体管中的至少一种)被引导至气体喷射器。在步骤504，使用加热装置加热第二气体以产生加热的气体。第二气体是第二气体304或其他合适的气体中的至少一种。加热装置是加热装置306或其他合适的加热装置中的至少一种。加热的气体是加热的气体152或其他合适的气体中的至少一种。在步骤506处，加热的气体被引导到包围气体喷射器的加热壳体，以将气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度增加到第二温度。加热壳体是加热壳体106或其他合适的加热壳体中的至少一种。在一些实施例中，在第二气体管(例如，第二气体管102或其他合适的气体管中的至少一种)中将加热的气体引导至加热壳体。在步骤508，在将第一气体的温度升高到第二温度之后，将第一气体从气体喷射器喷射到晶片处理室中。此第一气体被用于晶片的处理。在一些实施例中，在晶片处理室中从第一气体建立电浆(例如，电浆144或其他合适的电浆中的至少一种)。此电浆被用于晶片的处理。
85.一个或多个实施例涉及一种计算机可读取媒体，此计算机可读取媒体包括配置以实现本文提出的一种或多种技术的处理器可执行指令。在图6中绘示示例性计算机可读取
媒体，其中实施例600包括在其中编码有计算机可读取数据606的计算机可读取媒体608(例如，可录光盘(cd-r)、一次型数字多功能光盘(dvd-r)、快闪驱动器、硬式磁盘机的盘片等)。此计算机可读取数据606依次包括一组处理器可执行计算机指令604，当由处理器执行时，此处理器可执行计算机指令604以实现本文阐述的一个或多个原理。在一些实施例600中，当由处理器执行时，处理器可执行计算机指令604配置以实现方法602(例如，前述方法中的至少一些)。在一些实施例中，当由处理器执行时，处理器可执行计算机指令604配置以执行系统(例如，一个或多个前述系统中的至少一些)。本领域具普通知识者可以根据本文提出的技术进行操作以设计许多这样的计算机可读取媒体。
86.在一些实施例中，本公开提供了晶片处理系统。此晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统在晶片处理室中包括晶片支撑件。晶片支撑件配置以在处理区域中支撑晶片。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括耦接到晶片处理室的气体喷射器。气体喷射器配置以将第一气体喷射到处理区域中。此第一气体被用于晶片的处理。气体喷射系统包括第一气体管，此第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。气体喷射系统包括第二气体管，此第二气体管配置以将加热的气体引导至加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度升高到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中第一气体的温度从第一温度增加到第二温度。在一些实施例中，晶片处理系统包含发电机。发电机耦接到晶片处理室并配置以产生射频功率以从第一气体在处理区域中建立电浆，其中电浆用于晶片的处理。在一些实施例中，处理包含蚀刻。在一些实施例中，第一气体包含四氯化硅(sicl4)及第二温度至少为摄氏56度。在一些实施例中，第一气体在第一气体管中处于第一压力；第一气体在气体喷射器中处于第二压力；第一气体在第二压力和第二温度下处于气态；以及第一气体在第一压力和第一温度下处于一非气态。在一些实施例中，气体喷射系统包含加热装置，其配置以加热第二气体以产生加热的气体。在一些实施例中，第二气体包含洁净干燥空气。在一些实施例中，加热壳体或第二气体管中的至少一个包含非导电材料。在一些实施例中，非导电材料包含聚四氟乙烯。
87.在一些实施例中，本公开提供了一种气体喷射系统。气体喷射系统包括耦接到晶片处理室的气体喷射器。气体喷射器配置以将第一气体喷射到由晶片处理室定义的处理区域中。第一气体用于在处理区域中处理晶片。气体喷射系统包括第一气体管，此第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。气体喷射系统包括第二气体管，此第二气体管配置以将加热的气体引导至加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度升高至第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度增加到第二温度。在一些实施例中，处理包含蚀刻。第一气体包含四氯化硅(sicl4)；以及第二温度至少为摄氏56度。在一些实施例中，第一气体在第一气体管中处于第一压力；第一气体在气体喷射器中处于第二压力；以及第一气体在第二压力和第二温度下处于气态。在一些实施例中，气体喷射系统包含加热装置，其配置以加热第二气体以产生加热的气体。在一些实施例中，第二气体包含洁净干燥空气。在一些实施例中，加热壳体或第二气体管中的至少一个包含非导电材料。在一些实施例中，非导电材料包含聚四氟乙烯。
88.在一些实施例中，提供一种控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法。此方法包括将处于第一温度的第一气体引导至与包含晶片的晶片处理室相连的气体喷射器。此方法包括使用加热装置加热第二气体以产生加热的气体。此方法包括将加热的气体引导到包围气体喷射器的加热壳体，以将气体喷射器中第一气体的温度从第一温度增加到第二温度。此方法包括在将第一气体的温度升高到第二温度之后，将第一气体从气体喷射器喷射到晶片处理室中，其中第一气体被用于晶片的处理。在一些实施例中，方法包含从第一气体在该晶片处理室中建立电浆，其中电浆被用于晶片的处理。在一些实施例中，引导该第一气体包含：将第一气体管中的第一气体引导至气体喷射器，其中第一气体在第一气体管中处于第一压力；第一气体在气体喷射器中处于第二压力；第一气体在第二压力和第二温度下处于气态；以及第一气体在第一压力和第一温度下处于非气态。
89.前述内容概述了几个实施例的特征，以便本领域具普通知识者可以更好地理解本公开的各方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地将本公开用作设计或修改其他制程和结构的基础，以实现与本文介绍的实施例相同的目的或实现相同的益处。本领域具普通知识者还应该理解，这样的等效构造并不脱离本公开的精神和范围，并且在不背离本公开的精神和范围的情况下，它们可以进行各种改变、替换和变更。
90.尽管已经以特定于结构特征或方法步骤的语言描述了主题，但是应当理解，所附权利要求的主题不必限于上述特定特征或步骤，而是，上述特定特征和步骤被公开为实现至少一些权利要求的示例形式。
91.在此提供实施例的各种步骤。描述部分或所有步骤的顺序不应解释为暗示这些步骤必定与顺序有关。受益于此描述，将意识到替代的顺序。此外，将理解的是，在本文提供的每个实施例中，并非所有步骤都必须存在。另外，将理解的是，在一些实施例中并非所有步骤都是必需的。
92.应当理解，为了简单和易于理解的目的，本公开所描绘的层、特征、元件等以相对于彼此的特定尺寸(例如，结构尺寸或方向)绘示，而在一些实施例中，它们的实际尺寸与本公开所示的尺寸实质上不同。另外，存在用于形成本公开提到的层、区域、特征、元件等的多种技术(例如，蚀刻技术、平坦化技术、布植技术、掺杂技术、旋涂技术、溅镀技术、生长技术、或诸如化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)之类的沉积技术中的至少一种)。
93.此外，“示例性”在本文中用来表示作为示例、实例、说明等，并且不一定是有利的。如在本公开中使用的，“或”旨在表示包括性的“或”而不是排他性的“或”。另外，在本公开和所附权利要求中使用的“一个”和“一种”通常被解释为意指“一个或多个”，除非另有说明或从上下文中清楚地指示单数形式。另外，a和b中的至少一个通常指a或b或a和b两者。此外，在一定程度上，就使用“包括”、“具有”、“有”、“带有”或其变体而言，这些术语指在以类似于术语“包含”的方式包括在内。另外，除非另有说明，否则“第一”、“第二”等并非暗示时间方面、空间方面、顺序等。相反地，此类术语仅用作特征、元素、项目等的标识符号、名称等。例如，第一元素和第二元素通常对应于元素a和元素b或两个不同的元素或两个相同的元素或一样的元素。
94.此外，尽管已经相对于一个或多个实施方式绘示和描述了本公开，但是基于对本公开和附图的阅读和理解，本领域具普通知识者将想到等同的变更和修改。本公开包括所有这样的修改和变更，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别是关于上述元件(例如，元
素、资源等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于描述此类元件的术语旨在与执行所描述的元件的特定功能的任何元件(例如，在功能上是等效的)相对应，即使其在结构上不等同于所公开的结构。另外，尽管可能已经针对几种实施方式中的一种实施方式公开了本公开的特定特征，然而若对于任何给定的或特定的应用可能是期望和有利的，则这样的特征可以与其他实施方式的一个或多个其他特征组合。