技术特征：
1.一种半导体结构，包括：基板，具有衬垫；粘合层，设于所述基板上；第一重布线层，设于所述粘合层上；至少一个导通孔，所述导通孔包括自下而上设置的第二导通孔和第一导通孔，所述第一导通孔延伸于所述第一重布线层至所述粘合层中，第二导通孔延伸于所述粘合层至所述基板的衬垫，各所述第一导通孔的下端面位于同一水平位置。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，各所述第二导通孔的高度不同。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第一导通孔包括第一种子层、第二种子层以及导电柱。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第二导通孔包括所述第二种子层和所述导电柱。5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述第二导通孔在朝向所述基板的方向上先逐渐膨胀再逐渐收缩。6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：第二粘合层，设于所述第一重布线层上；第二重布线层，设于所述第二粘合层上；第三导通孔，电连接所述第一重布线层和所述第二重布线层。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：电子元件，电性连接所述第一重布线层和/或所述第二重布线层；底部填充材，填充所述电子元件与所述第二重布线层之间的缝隙。8.一种制造半导体结构的方法，包括：提供载体，所述载体包括导通孔开孔模具、脱模层、第一种子层以及第一重布线层；通过粘合层将所述载体结合至基板上，其中，所述基板具有衬垫；移除所述导通孔开孔模具和所述脱模层，以定义出延伸于所述第一重布线层至所述粘合层中的第一导通孔开孔；移除部分所述粘合层以露出所述衬垫，以定义出延伸于所述粘合层至所述基板的第二导通孔开孔；在所述第一导通孔开孔和所述第二导通孔开孔中依次形成第二种子层和导电柱，形成电性连接所述第一重布线层和所述基板的导通孔。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述载体是通过以下步骤形成的：提供晶圆；刻蚀所述晶圆，以形成所述导通孔开孔模具；在所述导通孔开孔模具上依次形成所述脱模层、所述第一种子层以及所述第一重布线层；刻蚀部分所述第一种子层，以露出所述脱模层的尖端，以形成依次设置的所述导通孔开孔模具、所述脱模层、所述第一种子层以所述及第一重布线层的载体。10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述方法还包括：提供第二重布线层；
通过第二粘合层将所述第二重布线层结合至所述第一重布线层上；在所述第二重布线层上形成第三导通孔，以电连接所述第一重布线层和所述第二重布线层。
技术总结
本公开涉及半导体结构及其制造方法。通过将预先形成的用于定义导通孔开孔(via opening)的模具(例如细柱fine/thin post)和第一重布线层(Fan
技术研发人员：吕文隆
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/9/9