一种显示面板和显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。


背景技术：

2.显示面板中的阵列基板制备时，通常采用铜作为阵列基板中包括源极、漏极及数据线的源漏金属层的材料。由于铜的性质较为活泼，易扩散至其他膜层中，且在高温或外加电场的作用下，铜易被氧化，影响阵列基板构成的显示器件的显示效果。因此通常构成源漏金属层的材料还包括钼铌(化学式：monb)，钼铌层通常形成在铜金属层的上下表面，以对铜进行保护。
3.然而，光刻胶在钼铌层表面的粘附力较低。当在阵列基板中的栅线表面形成数据线时，由于栅线自身具有一定的厚度，因此数据线在与栅线交叠处存在爬坡现象。在底钼铌层、铜金属层、顶钼铌层构成的导电膜层的表面涂覆光刻胶(光刻胶在顶钼铌层的表面)时，由于光刻胶与顶钼铌层的粘附力较低，因此光刻胶在上述爬坡处易产生空隙，在后续的刻蚀工艺中，刻蚀液从上述空隙处侵入导电膜层中，易使得形成的数据线发生断线。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提供一种显示面板和显示装置，用于降低在阵列基板中形成交叉设置的信号线时，位于顶层的信号线在爬坡处发生断线的几率。
5.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
6.本发明实施例的一方面，提供了一种显示面板，包括：第一信号线，包括第一子部和第二子部；至少一个绝缘层，设置在所述第一信号线上；第二信号线，包括第三子部和第四子部，设置在所述绝缘层上，其中，所述第二子部和所述第四子部存在交叠部分，第一子部和第三子部彼此不交叠，所述第二子部具有变化的线宽，且所述第二子部的至少一个边缘延伸离开连接所述边缘的两个顶点的直线，使得所述边缘延伸最远的顶点与所述直线之间的距离d在0.05μm至0.8μm的范围内。
7.可选的，所述第二子部和所述第四子部之间的交叠部分为所述第一信号线与所述第二信号线在所述显示面板的衬底上的正投影的重合区域。
8.可选的，所述第二子部延伸成为弧形或折线形状。
9.可选的，所述第二子部在所述边缘延伸离开所述直线最远处的位置的宽度大于或小于所述第二子部的平均宽度。
10.可选的，所述第二子部的最大宽度或最小宽度与调所述第一子部的宽度不相等，且所述最大宽度或最小宽度与所述第一子部的宽度之间的差δd1满足0μm＜
│
δd1
│
≦3.5μm。
11.可选的，所述第三子部的宽度与所述第四子部的宽度不相等，且所述第三子部的宽度与所述第四子部的宽度之间的差δd2满足0μm＜
│
δd2
│
≦1.5μm。
12.可选的，所述第二信号线包括金属层和至少一个金属保护层，其中所述金属保护
层位于金属层朝向所述绝缘层的一侧。
13.可选的，所述金属保护层的金属接触角为43
゜
～85
゜
。
14.可选的，所述第一信号线为栅线和/或公共线，所述第二信号线为数据线；或者，所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线和/或公共线。
15.根据本发明实施例的一方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
16.本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一导电薄膜，对所述第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层，所述第一导电层包括第一信号线；在所述第一导电层上形成第二导电薄膜，对所述第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层，所述第二导电层包括第二信号线；所述第一信号线和所述第二信号线交叉绝缘设置；其中，所述第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿所述第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于所述边缘两个顶点之间的直线距离。
17.可选的，所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影重合区域的宽度，大于所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影未重合的区域的宽度。
18.可选的，所述制备方法还包括：对所述第二导电薄膜进行粗糙化处理。
19.进一步的，所述对所述第二导电薄膜进行粗糙化处理，包括：在所述第二导电薄膜表面涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行前烘、曝光、显影、后烘工艺，并将所述光刻胶去除。
20.本发明实施例的另一方面，提供一种阵列基板，包括衬底，在衬底上依次设置的第一信号线和第二信号线，所述第一信号线和所述第二信号线交叉绝缘设置；所述第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿所述第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于所述边缘两个顶点之间的直线距离。
21.可选的，所述第一信号线的上表面中与所述第二信号线交叠的部分，沿所述第二信号线的延伸方向的两个边缘均为弧线。
22.可选的，所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影重合区域的宽度，大于所述第二信号线与所述第一信号线在所述衬底上的正投影未重合的区域的宽度。
23.可选的，所述第一信号线为栅线和/或公共线，所述第二信号线为数据线；或者，所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅线和/或公共线。
24.可选的，所述第二信号线由依次设置的第一铜扩散阻挡层、铜/铜合金层、第二铜扩散阻挡层构成。
25.本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置，包括上述所述的任一种阵列基板。
26.本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板的制备方法，具体的包括，在衬底上形成第一导电薄膜，对第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层，第一导电层包括第一信号线；在第一导电层上形成第二导电薄膜，对第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层，第二导电层包括第二信号线，第一信号线和第二信号线交叉绝缘设置。
27.其中，第一信号线的上表面中与第二信号线交叠的部分，沿第二信号线的延伸方向的至少一边缘的长度大于边缘两个顶点之间的直线距离。在第一信号线的厚度不变的情况下，相对于边缘长度等于边缘的两个顶点之间的直线距离的情况，第二导电薄膜在爬坡处与第一导电层的接触面积会增加，从而使得在第二导电薄膜表面形成光刻胶时，光刻胶
在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积增加，进而降低了爬坡处的光刻胶产生空隙的几率，这样一来，可以降低在执行刻蚀工艺时，刻蚀液从上述空隙处侵入第二导电薄膜中，造成形成的第二信号线发生断线的几率。
附图说明
28.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程图；
30.图2为根据图1所示的制备方法制备的阵列基板的结构示意图；
31.图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
32.图4为图3所示的阵列基板中a区的放大图；
33.图4(a)为图4的另一实施例的示意图；
34.图5为图3所示的阵列基板中第一信号线和第二信号线的一种结构示意图；
35.图5(a)为图5的另一实施例的示意图；
36.图6为图3所示的阵列基板中第一信号线和第二信号线的另一种结构示意图；
37.图7为图3所示的阵列基板中第一信号线和第二信号线的又一种结构示意图；
38.图8(a)-8(f)为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备过程示意图。
39.附图标记：
40.10-衬底；11-第一导电层；111-第一信号线；111a-第一子部；111b-第二子部；121-第二信号线；121a-第三子部；121b-第四子部；12-第二导电层；13-漏极；20-栅绝缘层；21-氧化物有源层；31-氧化物半导体薄膜；32-第一铜扩散阻挡薄膜层；33-铜/铜合金薄膜层；34-第二铜扩散阻挡薄膜层；35-光刻胶；351-光刻胶完全保留部分；352-光刻胶半保留部分。
具体实施方式
41.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
42.根据本发明的一个实施例，提出了一种解决氧化物背沟道(oxide bce)光刻、刻蚀工艺中爬坡断线(step open)问题的方法和mask设计。具体地，根据本实施例，为了减少氧化物tft生产工艺中的mask数量，将sdt(surface deposition technology)工艺引入到氧化物tft生产中。其中，tft中包括的sd层的金属材料为三层的monb/cu/monb，这样的选择可以防止后工艺的cu氧化出现。然而，在该实施例中，在确定了sd层金属材料之后，遇到了一个新的问题，即由于光刻胶在monb表面的粘附力较低，在数据线在与栅线交叠处的爬坡处会出现光刻胶空隙，从而导致后续进行cu蚀刻时由于侵蚀导致断线。
43.本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图1所示，包括：
44.步骤s101、如图2所示，在衬底10上形成第一导电薄膜，对第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层11，如图3所示，第一导电层11包括第一信号线111。
45.需要说明的是，上述构图可指：包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤形成预定图形的工艺。光刻工艺，包括成膜、曝光、显影等工艺，具体可以利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。
46.步骤s102、如图2所示，在第一导电层11上形成第二导电薄膜，对第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层12，如图3所示，第二导电层12包括第二信号线121；第一信号线111和第二信号线121交叉绝缘设置。
47.其中，如图4所示，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于边缘两个顶点之间的直线距离j。第二信号线121的延伸方向为图3中的y方向。
48.需要说明的是，第一、可以通过控制掩模板的形状，使其具有与需要形成的第一信号线111的形状相同的特定图案，从而通过掩模板曝光并执行后续光刻工艺后，形成的第一信号线111具有上述特征。
49.第二、在形成第一信号线111后，可以在第一导电层11的表面形成一层绝缘层，然后在绝缘层的表面形成上述第二导电层12，从而使得形成的第一信号线111和第二信号线121交叉绝缘设置，且第二信号线121位于第一信号线111的上方。
50.第三、上述对第二导电薄膜构图，形成由导电图案构成的第二导电层12，具体的，在第二导电薄膜的表面涂覆一层光刻胶，并通过曝光、显影、刻蚀工艺形成第二导电层12。
51.基于此，本发明提供一种阵列基板的制备方法，具体的，在衬底10上形成第一导电薄膜，对第一导电薄膜构图形成由导电图案构成的第一导电层11，第一导电层11包括第一信号线111；在第一导电层11上形成第二导电薄膜，对第二导电薄膜构图形成由导电图案构成的第二导电层12，第二导电层12包括第二信号线121，第一信号线111和第二信号线121交叉绝缘设置。
52.其中，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于边缘e两个顶点之间的直线距离j。在第一信号线111的厚度不变的情况下，相对于边缘e长度等于边缘e的两个顶点之间的直线距离，第二导电薄膜在爬坡处与第一导电层11的接触面积会增加，从而使得在第二导电薄膜表面形成光刻胶时，光刻胶在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积增加，降低了爬坡处的光刻胶产生空隙的几率，进而可以降低在执行刻蚀工艺时，刻蚀液从上述空隙处侵入第二导电薄膜中，造成形成的第二信号线121发生断线的几率。
53.此外，本发明对上述边缘e的形状不做限定，只要满足边缘e的长度大于边缘e的两个顶点之间的直线距离j。示例的，上述边缘e可以如图4所示，至少一边缘e可以为弧线；或者边缘e可以为折线。
54.以边缘e为弧线为例，为了增加通过构图工艺形成第二信号线121时，光刻胶在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积，可选的，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的两个边缘e均为弧线，此时可以如图5所示，两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相同，当然两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向也可以不同。考虑到通常信号线制作的较细，当两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相对时，第一信号线111
的上表面中与第二信号线121交叠处的部分的宽度较窄，第一信号线111极易发生断线。因此在第一信号线111较细的情况下，优选的，第一信号线111的上表面与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相同或相背。
55.根据一个实施例，如图4所示，第一信号线111包括第一子部111a和第二子部111b，第二信号线121包括第三子部121a和第四子部121b，第二子部111b和第四子部121b之间存在彼此交叠的部分，并且第一子部111a和第三子部121a之间不交叠。第二子部111b和第四子部121b之间彼此交叠的部分为所述第一信号线111和第二信号线121在衬底上的正投影的重合区域。应当理解的是，虽然未示出，在第一信号线111上可以形成有至少一层绝缘层，第二信号线121可以形成在所述绝缘层上，从而第一信号线111和第二信号线121之间彼此绝缘。
56.根据本实施例，所述第一信号线111的第二子部111b可以具有变化的线宽。在本实施例中，第二子部的至少一个边缘可以延伸离开连接该边缘的两个顶点的直线。例如如图4所示，第二子部111b的一个边缘e向上延伸，使得第二子部具有变化的线宽。在本实施例中，边缘e向上延伸的最高点与连接边缘e的两个顶点之间的直线之间的距离d在0.05至0.8μm的范围内。如果距离d小于0.05μm，则可能导致光刻胶在monb表面的粘附力不足，使得爬坡处产生光刻胶空隙，从而导致蚀刻过程中发生断线。如果距离d大于0.8μm，则可能增加寄生电容，从而影响显示性能。
57.在本实施例中，第二子部111b的一个边缘e向上延伸，然而应当理解的是本公开不限于此，在其它实施例中，例如如图4(a)所示，第二子部111b的两个边缘均朝向远离第一信号线111中心的方向延伸。在其它实施例中，例如如图5和图6所示，两个边缘可以均朝向同一个方向延伸，或者两个边缘可以均朝向第一信号线111中心的方向延伸。因此，根据本发明的一个实施例，第二子部111b的中心处(即边缘e延伸最远处)的线宽大于或小于第二子部111b的平均线宽；或者第二子部111b的线宽基本均匀。更具体地说，当第二子部111b的两个边缘中仅一个边缘朝向远离第一信号线111中心的方向延伸时，第二子部111b的中心处(即边缘e延伸最远处)的线宽大于第二子部111b的平均线宽，而当第二子部111b的两个边缘中仅一个边缘朝向第一信号线111中心的方向延伸时，第二子部111b的中心处(即边缘e延伸最远处)的线宽小于第二子部111b的平均线宽。可选地，当第二子部111b的两个边缘均朝向远离第一信号线111中心的方向延伸时，第二子部111b的中心处(即边缘e延伸最远处)的线宽大于第二子部111b的平均线宽，当第二子部111b的两个边缘均朝向第一信号线111中心的方向延伸时，第二子部111b的中心处(即边缘e延伸最远处)的线宽小于第二子部111b的平均线宽，而当第二子部111b的两个边缘中的一个边缘朝向第一信号线111中心的方向延伸而另一个边缘朝向远离第一信号线111中心的方向延伸时，第二子部111b的宽度基本均匀。
58.在制作阵列基板时，为了简化工艺，有时栅极由栅线的一部分充当。示例的，如图7所示，第一信号线111为栅线，第二信号线121为数据线。其中，第一信号线111包括凸起部b和栅线本体c，第二信号线121与凸起部b交叠，漏极13与凸起部b交叠。此时由于第一信号线111较粗，即使第一信号线111的上表面与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相对，由于第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠处的部分的宽度较宽，因此可以降低发生断线的几率。图7所示的实施例可
以具有与前述参照图4至图6描述的实施例相同的结构，在这里不再赘述。
59.由于第二子部111b可以具有变化的线宽而第一子部通常具有均匀的线宽，因此第一信号线111的第二子部111b宽度(例如最大/最小宽度)与第一信号线111的第一子部111a的宽度可以不相等。根据本公开的一个实施例，第二子部111b的最大宽度(或最小宽度)与第一子部111a的宽度之间的宽度差为δd1，且0μm＜
│
δd1
│
≦3.5μm。例如，在图4-6的实施例中，第二子部111b位于非tft区域中，其度差δd1为接近0μm的值，而在图7的实施例中，第二子部111b位于tft区域中，其宽度差δd1为接近3.5μm的值。
60.在此基础上，为了进一步增加光刻胶在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积，可选的，如图5所示，第二信号线121与第一信号线111在衬底10上的正投影重合区域的宽度w1，大于第二信号线121与第一信号线111在衬底10上的正投影未重合的区域的宽度w2。其中，第二信号线121的宽度是指：沿第一信号线111的延伸方向(如图3所示的x方向)，第二信号线121的一端与另一端之间的直线距离。
61.根据本公开的一个实施例，第二信号线121的第三子部121a的宽度(例如图5所示的w1)与第四子部121b的宽度(例如图5所示的w2)不相等，并且它们之间的差值为δd2，且0μm＜
│
δd2
│
≦1.5μm。
62.应该理解的是，图5的实施例中示出了第三子部121a的宽度大于第四子部121b的宽度，然而本公开不限于此。在其他实施例中，例如，如图5(a)所示，第三子部121a的宽度也可以小于第四子部121b的宽度。
63.需要说明的是，可以通过控制掩模板的形状，使其具有与需要形成的第二信号线121的形状相同的特定图案，从而通过掩模板曝光并执行后续光刻工艺后，形成的第二信号线121具有上述形状。
64.在此情况下，当在第二导电薄膜的表面形成光刻胶，在上述爬坡处，相对于第二信号线121中w1＝w2的情况，光刻胶与第二导电薄膜的上表面的接触面积进一步增大，这样一来，可以进一步降低爬坡处的光刻胶产生空隙的几率。
65.在此基础上，本发明对阵列基板的类型不做限定，对于阵列基板中交叉设置的信号线，在两条信号线交叠处，将位于底层的信号线设置为上述结构时，均可以实现降低形成信号线时，位于顶层的信号线发生断线的几率。示例的，当阵列基板为底栅型时，如图3所示，上述第一信号线111可以为栅线，或者为与栅线同层的公共线(gate common)，第二信号线121为数据线(sd line)；当阵列基板为顶栅型时，上述第一信号线111为数据线，第二信号线121为栅线，或者与栅线同层的公共线。
66.此外，上述第一信号线111和第二信号线121通常采用铜/铜合金形成。由于铜的性质较为活泼，为了防止铜/铜合金被氧化，或扩散至有源层或其他膜层中，对其他膜层造成污染，可选的，在铜/铜合金层的上表面形成第二铜扩散阻挡层、下表面形成第一铜扩散阻挡层。其中，第一铜扩散阻挡层和第二铜扩散阻挡层可以防止铜扩散至其他膜层，例如有源层中，也可以防止在后续膜层的制作工艺中，铜/铜合金被氧化。
67.可选的，构成上述铜扩散阻挡层的材料包括钼铌合金、钼钛合金、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)，钼铌合金、钼钛合金、氧化铟锡、氧化铟锌可以很好的防止铜/铜合金的扩散以及降低其被氧化的几率。
68.在此基础上，由于光刻胶在采用钼铌合金构成的铜扩散阻挡层表面的附着力较
低，因此当形成第二信号线121时，增加了在爬坡处产生空隙，导致形成的第二信号线121发生断线的几率。
69.在此情况下，根据本发明实施例提供的制作方法，使得第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于边缘e两个顶点之间的直线距离j，以增加第二导电薄膜在爬坡处与第一导电层11的接触面积，从而有效的降低在第二导电薄膜表面形成光刻胶时，在爬坡处的光刻胶产生空隙的几率。
70.在本发明的一个实施例中，第二信号线121可以包括金属层和至少一个金属保护层，其中所述金属保护层位于金属层朝向所述绝缘层的一侧。根据一个具体实施方式，金属层可以由cu形成，金属保护层可以由monb形成，且monb层位于cu层朝向所述绝缘层的一侧。
71.根据本公开的一个实施例，所述金属保护层的金属接触角为43
゜
～85
゜
。根据本实施例，接触角(contact angle)是指在固、液、气三相交界处，自固-液界面经过液体内部到气-液界面之间的夹角。在本公开中，接触角特指水滴接触角，指液体水滴在固体材料表面上的接触角,是衡量该材料表面润湿性能的重要参数。换言之，根据本公开的实施例，当水滴被放置到金属保护层的表面时，其接触角为43
゜
～85
゜
。
72.以下以阵列基板为底栅型，第一信号线111为栅线，第二信号线121为数据线为例，对阵列基板的制备过程进行说明，具体的可通过如下步骤实现。
73.s11、在衬底10上形成第一导电薄膜，即栅极薄膜；并在第一导电薄膜101上方形成一层光刻胶。
74.s12、利用掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留部分和光刻胶去除部分。
75.其中，掩模板的不透光部分在沿第二信号线121的延伸方向、栅极薄膜与第二信号线121的预交叠处的至少一个侧边的长度大于该侧边的两个顶点之间的直线距离。
76.这样一来，可以使得形成的光刻胶保留部分中对应于第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘的长度大于边缘两个顶点之间的直线距离。
77.s13、采用刻蚀工艺对栅极薄膜进行刻蚀，形成第一导电层11。
78.具体的，第一导电层11包括第一信号线111，且第一信号线111如图4所示，上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于边缘e两个顶点之间的直线距离j。
79.之后，将形成有第一导电层11的衬底10清洗后，还可以采用pecvd在形成有第一导电层11的衬底10上沉积栅绝缘层20。
80.s14、在形成有第一导电层11的衬底10上形成有源层21、第二导电层12。
81.具体的，通过以下步骤实现：
82.步骤s21、如图8(a)所示，在形成有第一导电层11的衬底10上依次形成氧化物半导体薄膜31、由第一铜扩散阻挡薄膜层32、铜/铜合金薄膜层33、第二铜扩散阻挡薄膜层34构成的第二导电薄膜，并在第二导电薄膜上方形成光刻胶35。
83.步骤s22、如图8(b)所示，利用半色调掩模板40对光刻胶35进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分351、光刻胶半保留部分352和光刻胶完全去除部分；光刻胶完全保留
部分351与源极和漏极13对应，光刻胶半保留部分352与源极和漏极13之间的区域对应，光刻胶完全去除部分与其他区域对应。
84.其中，半色调掩模板包括不透明部分、半透明部分和透明部分。光刻胶35经过曝光后，光刻胶完全保留部分351对应半色调掩模板的不透明部分，光刻胶半保留部分352对应半色调掩模板的半透明部分，光刻胶完全去除部分对应半色调掩模板的透明部分。
85.当然，上述所指的光刻胶35为正性胶，当光刻胶35为负性胶时，光刻胶完全保留部分351则对应半色调掩模板的透明部分，光刻胶完全去除部分则对应半色调掩模板的不透明部分，光刻胶半保留部分352依然对应半色调掩模板的半透明部分。
86.步骤s23、如图8(c)所示，进行第一次铜刻蚀工艺，对与光刻胶完全去除部分对应的第一铜扩散阻挡薄膜层32、铜/铜合金薄膜层33、第二铜扩散阻挡薄膜层34进行刻蚀。
87.其中，在铜刻蚀工艺中，通常采用10％～20％的过蚀时间，以保持刻蚀干净。此外，在保证铜刻蚀干净的情况下，尽量缩短过蚀时间，以降低发生光刻胶剥离和信号线断线的几率。
88.步骤s24、如图8(d)所示，进行氧化物半导体薄膜31刻蚀，对与光刻胶完全去除部分对应的氧化物半导体薄膜31进行刻蚀，得到氧化物有源层21。
89.步骤s25、如图8(e)所示，采用灰化工艺去除光刻胶半保留部分352。
90.其中，在保证光刻胶半保留部分352灰化干净的前提下，尽量缩短灰化时间，以降低发生光刻胶剥离和信号线断线的几率。
91.可选的，对图8(e)所示的光刻胶35进行烘干。其中，烘干温度为110
°
～150
°
，时间为100s～200s。这样一来，可以增加光刻胶35在第二铜扩散阻挡层34表面的附着力。
92.步骤s26、如图8(f)所示，采用第二次铜刻蚀工艺，对露出的第一铜扩散阻挡薄膜层32、铜/铜合金薄膜层33、第二铜扩散阻挡薄膜层34进行刻蚀，形成上述第二导电层12。
93.其中，在铜刻蚀工艺中，通常采用10％～20％的过蚀时间，以保持刻蚀干净。此外，在保证铜刻蚀干净的情况下，尽量缩短过蚀时间，以降低发生光刻胶35剥离和信号线断线的几率。
94.最后，剥离上述光刻胶35。
95.此外，本领域技术人员清楚的知道，可以在形成有第二导电层12的衬底10上继续形成其他膜层，例如公共电极层、像素电极层。本发明对此不再赘述。
96.此外，可选的，在上述步骤s22之前，上述制备方法还包括：对第二导电薄膜进行粗糙化处理。需要说明的是，本发明对上述粗糙化处理的具体方式不做限定，只要在对第二导电薄膜进行处理后，可以使得第二导电薄膜的表面粗糙即可。
97.在此情况下，由于第二导电薄膜的表面粗糙，在第二导电薄膜上形成光刻胶35时，可以增加光刻胶35在第二导电薄膜的附着效果，从而降低了光刻胶35在上述爬坡处存在空隙的几率。
98.示例的，上述对第二导电薄膜进行粗糙化处理，可以包括：在第二导电薄膜表面涂覆光刻胶35，对光刻胶35进行前烘、曝光、显影、后烘工艺，并将光刻胶35去除。这样一来，可以通过高温的光刻胶35对第二导电薄膜的表面进行处理，使得第二导电薄膜的表面粗糙。
99.本实施中，通过一次构图工艺形成氧化物有源层21、第二导电层12，具有简化工艺步骤的效果，可以降低工艺成本。
100.当然，也可以先通过一次构图工艺形成氧化物有源层21，再通过一次构图工艺形成第二导电层12，此时采用普通调掩模板进行曝光工艺，通过控制掩模板的形状，可以控制形成的第二导电层12中第二信号线121的上表面的形状。
101.本发明实施例提供一种阵列基板，如图3所示，包括衬底10，在衬底10上依次设置的第一信号线111和第二信号线121，第一信号线111和第二信号线121交叉绝缘设置。
102.其中，如图4所示，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于该边缘e两个顶点之间的直线距离j。
103.需要说明的是，第一信号线111和第二信号线121依次设置在衬底10上，因此第二信号线121位于第一信号线111的上方，因此在第二信号线121与第一信号线111交叠处，第二信号线121存在爬坡现象。
104.基于此，本发明提供的上述阵列基板，包括交叉绝缘设置的第一信号线111和第二信号线121，其中，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的至少一边缘e的长度大于边缘e两个顶点之间的直线距离j。在形成有第一信号线111的衬底10上通过构图工艺形成第二信号线121时，在第一信号线111的厚度不变的情况下，相对于边缘e长度等于边缘e的两个顶点之间的直线距离，在通过构图工艺形成第二导电层12时，第二导电薄膜在爬坡处与第一导电层11的接触面积会增加，从而使得在第二导电薄膜表面形成光刻胶35时，光刻胶35在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积增加，降低了爬坡处的光刻胶35产生空隙的几率，进而可以降低在执行刻蚀工艺时，刻蚀液从上述空隙处侵入第二导电薄膜中，造成形成的第二信号线121发生断线的几率。
105.在此基础上，本发明对上述边缘e的形状不做限定，只要满足边缘e的长度大于边缘e的两个顶点之间的直线距离j。示例的，上述边缘e可以如图4所示，上述边缘e可以为弧线，或者为折线。
106.在此基础上，为了增加通过构图工艺形成第二信号线121时，光刻胶35在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积，可选的，第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的两个边缘e均为弧线。此时可以如图5所示，两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相同，当然两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向也可以不同。
107.进一步的，为了降低由于第一信号线111的上表面中与第二信号线121交叠处的部分的宽度较窄，导致第一信号线111断线的几率，优选的，第一信号线111的上表面与第二信号线121交叠的部分，沿第二信号线121的延伸方向的两个边缘e的弧线的圆弧凸起方向相同或相背。
108.在此基础上，为了进一步增加光刻胶35在爬坡处与第二导电薄膜的接触面积，可选的，如图5所示，第二信号线121与第一信号线111在衬底10上的正投影重合区域的宽度w1，大于第二信号线121与第一信号线111在衬底10上的正投影未重合的区域的宽度w2。其中，第二信号线121的宽度是指：沿第一信号线111的延伸方向(如图3所示的x方向)，第二信号线121的一端与另一端之间的直线距离。
109.在此情况下，当在第二导电薄膜的表面形成光刻胶35，在上述爬坡处，相对于第二信号线121中w1＝w2的情况，光刻胶35与第二导电薄膜的上表面的接触面积进一步增大，这样一来，可以进一步降低爬坡处的光刻胶35产生空隙的几率。
110.此外，上述第一信号线111和第二信号线121通常采用铜/铜合金形成。由于铜的性
质较为活泼，为了防止铜/铜合金被氧化，或扩散至有源层或其他膜层中，对其他膜层造成污染，可选的，第一信号线111和第二信号线121由依次设置的第一铜扩散阻挡层、铜/铜合金层、第二铜扩散阻挡层构成。
111.这样一来，第一铜扩散阻挡层和第二铜扩散阻挡层可以防止铜扩散至其他膜层，例如有源层中，也可以防止在后续膜层的制作工艺中，铜/铜合金被氧化。
112.可选的，构成上述铜扩散阻挡层的材料包括钼铌合金、钼钛合金、氧化铟锡、氧化铟锌，钼铌合金、钼钛合金、氧化铟锡、氧化铟锌可以很好的防止铜/铜合金的扩散以及降低其被氧化的几率。
113.此外，本发明对阵列基板的类型不做限定，例如，可以为底栅型阵列基板或者顶栅型阵列基板。在阵列基板中，形成有交叉设置的多条信号线，当阵列基板为底栅型时，示例的，如图3所示，上述第一信号线111可以为栅线，或者为与栅线同层的公共线，第二信号线121为数据线；当阵列基板为顶栅型时，上述第一信号线111为数据线，第二信号线121为栅线，或者与栅线同层的公共线。
114.本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任一种阵列基板，上述显示装置具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果，由于前述实施例已经对该阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
115.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。