一种转接板制造方法和转接板与流程

本发明涉及转接技术领域，具体涉及一种转接板制造方法和转接板。

背景技术：

随着半导体工艺技术的发展，转接板被广泛应用于各种半导体电子装置中。通常转接板的制作为使用硅基基板或玻璃基板，在基板上形成通孔后在基板两侧进行布线，形成转接板。由于玻璃基板加工工艺较难，因此使用硅基基板较多。但是硅基基板射频和高频性能较差，难以满足射频和高频器件的应用需求。对此现有技术中提供一种使用树脂材料作为基板材料的转接板，但是，由于树脂材料作为基板，两侧的重布线层难以形成高互联密度的重布线层。因此需要一种方法，能够提供高互连密度的重布线层。

技术实现要素：

因此本发明提供一种转接板制造方法和转接板，以解决现有技术的树脂材料基板转接板重布线层互联密度低的问题。

本发明提供一种转接板制造方法，包括以下步骤：提供制作基底，制作基底为硅基底；形成第一重布线层，在制作基底一侧形成第一重布线层；形成多个金属柱，在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱，多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触；形成塑封层，在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层，塑封层包覆多个金属柱，并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面；形成第二重布线层，在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层，多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触；去除制作基底。

可选的，本发明的转接板制造方法还包括：在形成第一重布线层的步骤之前，在制作基底一侧表面形成牺牲层；形成第一重布线层的步骤为：在牺牲层背向制作基底一侧表面形成第一重布线层。

可选的，去除制作基底的步骤为：去除牺牲层，使制作基底与第一重布线层分离。

可选的，形成第一重布线层的步骤中包括：形成凸块下金属层，在制作基底一侧形成凸块下金属层。

可选的，形成第一重布线层的步骤中还包括：形成第一金属互联结构和第一绝缘结构，第一金属互联结构与凸块下金属层电性接触；第一绝缘结构包覆凸块下金属层和第一金属互联结构。

可选的，形成塑封层的步骤包括：减薄塑封层，以使多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面与塑封层背向第一重布线层一侧的表面齐平。

可选的，形成第二重布线层的步骤包括：形成第二金属互联结构和第二绝缘结构，在塑封层背向第一重布线层一侧表面形成第二金属互联结构和第二绝缘结构，第二金属互联结构与多个金属柱电性接触，第二绝缘结构包覆第二金属互联结构。

可选的，本发明的转接板制造方法还包括：形成焊球，在形成第二重布线层的步骤之后，在第二重布线层背向塑封层一侧形成多个焊球，多个焊球分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触。

可选的，本发明的转接板制造方法还包括：形成表面保护层，在去除制作基底后，在凸块下金属层背向塑封层一侧形成表面保护层，表面保护层与凸块下金属层电性接触。

本发明还提供一种转接板，使用本发明的转接板制造方法制造。

本发明的有益效果在于：

1.本发明提供的转接板制造方法，一方面通过该方法可制造以塑封层为基板的转接板，即，以树脂材料或塑封料作为转接板的基板材料，可满足射频和高频器件的应用需求；另一方面与晶圆级芯片封装的工艺步骤大致相同，可适用相同的设备和工艺流程；此外，相比于现有技术先形成树脂材料的基板再形成重布线层的方式，由于第一重布线层在硅基的制作基底上制作形成，可以实现相比在树脂材料上形成的重布线层更高的互连密度，之后再形成塑封层，后续再去除制作基底，即可实现树脂材料的基板上的高互连密度的第一重布线层，相比于现有技术的方式只能实现微米级的互联密度，本发明的方法可提高第一重布线层的互联密度至亚微米级。

2.本发明提供的转接板制造方法，在形成第一重布线层之前，先行形成牺牲层，第一重布线层在牺牲层上形成，一方面使得重布线层的形成可利用硅基底的性质实现高互联密度，另一方面可以通过牺牲层实现制作基底的便利去除。通过转移法将硅基基底上制作的微米级或亚微米级包括多层金属互连层的重布线层移植到塑封晶圆结构的转接板上，从而实现在转接板上形成高密度互连。

3.本发明提供的转接板制造方法，通过减薄塑封层即可实现金属柱的端头齐平，相比与传统先形成基板再打孔后填充的方式，操作简便，工艺容易实现。

4.本发明提供的转接板，使用本发明提供的转接板制造方法制造，一方面通过该方法可制造以塑封层为基板的转接板，即，以树脂材料或塑封料作为转接板的基板材料，可满足射频和高频器件的应用需求；另一方面与晶圆级芯片封装的工艺步骤大致相同，可适用相同的设备和工艺流程；此外，相比于现有技术先形成树脂材料的基板再形成重布线层的方式，由于第一重布线层在硅基的制作基底上制作形成，可以实现相比在树脂材料上形成的重布线层更高的互连密度，之后再形成塑封层，后续再去除制作基底，即可实现树脂材料的基板上的高互连密度的第一重布线层，相比于现有技术的方式只能实现微米级的互联密度，本发明的方法可提高第一重布线层的互联密度至亚微米级。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1-图8为本申请的转接板制造方法中各个步骤的状态示意图；

图9为本申请的转接板制造方法的流程示意图。

具体实施方式

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1

参考图1-图9，本实施例提供一种转接板制造方法，包括以下步骤：

s100：参考图1，提供制作基底100，制作基底100为硅基底；

s300：参考图2，形成第一重布线层300，在制作基底100一侧形成第一重布线层300；

s400：参考图3，形成多个金属柱400，在第一重布线层300背向制作基底100一侧形成多个金属柱400，多个金属柱400分别与第一重布线层300中的第一金属互联结构320电性接触；

s500：参考图4和图5，形成塑封层500，在第一重布线层300背向制作基底100一侧形成塑封层500，塑封层500包覆多个金属柱400，并暴露多个金属柱400背向第一重布线层300一侧的端面；

s600：参考图6，形成第二重布线层600，在塑封层500背向第一重布线层300一侧形成第二重布线层600，多个金属柱400分别与第二重布线层600中的第二金属互联结构610电性接触；

s800：参考图7，去除制作基底100。

本实施例提供的转接板制造方法，一方面通过该方法可制造以塑封层500为基板的转接板，即，以树脂材料或塑封料作为转接板的基板材料，可满足射频和高频器件的应用需求；另一方面与晶圆级芯片封装的工艺步骤大致相同，可适用相同的设备和工艺流程；此外，相比于现有技术先形成树脂材料的基板再形成重布线层的方式，由于第一重布线层300在硅基的制作基底上制作形成，可以实现相比在树脂材料上形成的重布线层更高的互连密度，之后再形成塑封层500，后续再去除制作基底100，即可实现树脂材料或塑封料的基板上的高互连密度的第一重布线层300，相比于现有技术的方式只能实现微米级的互联密度，本发明的方法可提高第一重布线层300的互联密度至亚微米级。

参考图1，在本实施例中，转接板制造方法还包括：s200：在形成第一重布线层300的步骤之前，在制作基底100一侧表面形成牺牲层200；形成第一重布线层300的步骤为：在牺牲层200背向制作基底100一侧表面形成第一重布线层300。

此外，转接板制造方法还包括：去除制作基底100的步骤s800为：去除牺牲层200，使制作基底100与第一重布线层300分离。

通过在形成第一重布线层300之前，先行形成牺牲层200，第一重布线层300在牺牲层上形成，一方面使得重布线层300的形成可利用硅基底的性质实现高互联密度，另一方面可以通过牺牲层200实现制作基底100的便利去除。

在本实施例中，形成第一重布线层300的步骤中包括：形成凸块下金属层310(ubm)，在制作基底100一侧形成凸块下金属层310。

进一步的，形成第一重布线层300的步骤中还包括：形成第一金属互联结构320和第一绝缘结构330，第一金属互联结构320与凸块下金属层310电性接触；第一绝缘结构330包覆凸块下金属层310和第一金属互联结构320。第一金属互联结构320包括多层金属层形成的多条金属互联线，各金属互联线的线宽小于等于2μm，线距小于2μm。

第一金属互联结构320包括多层子金属层，第一绝缘结构330包括多层绝缘层，多层子金属层和多层子绝缘层依次先后形成，最终多层子金属层构成第一金属互联结构320，多层子绝缘层构成第一绝缘结构330。

参考图5，在本实施例中，形成塑封层500的步骤包括：减薄塑封层500，以使多个金属柱400背向第一重布线层300一侧的端面与塑封层500背向第一重布线层300一侧的表面齐平。

本发明提供的转接板制造方法，通过减薄塑封层500即可实现金属柱400的端头齐平，相比与传统先形成基板再打孔后填充的方式，操作简便，工艺容易实现。

在本实施例中，形成第二重布线层600的步骤包括：形成第二金属互联结构610和第二绝缘结构620，在塑封层500背向第一重布线层300一侧表面形成第二金属互联结构610和第二绝缘结构620，第二金属互联结构610与多个金属柱400电性接触，第二绝缘结构620包覆第二金属互联结构610。第二金属互联结构610包括多层子金属层形成的多条金属互联线，各金属互联线的线宽小于等于2μm，线距小于2μm。

第二金属互联结构610包括多层子金属层，第二绝缘结构620包括多层子绝缘层，多层子金属层和多层子绝缘层依次先后形成，最终多层子金属层构成第二金属互联结构610，多层子绝缘层构成第二绝缘结构620。

参考图7：在本实施例中，转接板制造方法还包括：s700：形成焊球700，在形成第二重布线层600的步骤之后，在第二重布线层600背向塑封层500一侧形成多个焊球700，多个焊球700分别与第二重布线层600中的第二金属互联结构610电性接触。

参考图8：在本实施例中，转接板制造方法还包括：s900：形成表面保护层800，在去除制作基底后100，在凸块下金属层310背向塑封层500一侧形成表面保护层800，表面保护层800与凸块下金属层310电性接触。表面保护层800可以为金属层，例如可以为niau合金层。

形成表面保护层，可以有效防止凸块下金属层310氧化，同时在后续转接板安装芯片时利于芯片的焊接。

本发明还提供一种转接板，使用本发明的转接板制造方法制造。一方面通过本发明的转接板制造方法可制造以塑封层为基板的转接板，即，以树脂材料或塑封料作为转接板的基板材料，可满足射频和高频器件的应用需求；另一方面与晶圆级芯片封装的工艺步骤大致相同，可适用相同的设备和工艺流程；此外，相比于现有技术先形成树脂材料的基板再形成重布线层的方式，由于第一重布线层在硅基的制作基底上制作形成，可以实现相比在树脂材料上形成的重布线层更高的互连密度，之后再形成塑封层，后续再去除制作基底，即可实现树脂材料的基板上的高互连密度的第一重布线层，相比于现有技术的方式只能实现微米级的互联密度，本发明的方法可提高第一重布线层的互联密度至亚微米级。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。