技术特征：
1.一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤1，在p型硅衬底形成p型外延层，在p型外延层形成第一介质层(1)；步骤2，在第一介质层(1)上进行光刻形成保护环区(2)；对保护环区(2)进行p型注入，形成p型掺杂区(3)；步骤3，在p型外延层的第一介质层(1)上进行光刻形成漂移区(4)，在漂移区(4)上进行n型注入，形成n型掺杂区(5)；步骤4，在漂移区(4)上通过光刻形成源漏区(7)，再进行n型注入，形成n型掺杂区(8)；步骤5，在漂移区(4)上进行光刻形成栅区(10)；所述栅区(10)贯穿漂移区(4)，并延伸至p型外延层，在栅区(10)中进行多次p型注入并退火，形成p型掺杂区(11)；步骤6，在漂移区(4)内形成源极电极(12)和漏极电极(13)；步骤7，在表面形成钝化层(14)；步骤8，在p型硅衬底的背面形成栅极电极(15)后，完成抗辐照结型场效应晶体管。2.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤1中，所述p型硅衬底的电阻率范围为0.0001ω
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cm～0.1ω
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cm，所述p型外延层的电阻率范围为1ω
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cm～100ω
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cm。3.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤2中，所述p型注入为p+离子注入，p+离子注入的杂质为硼，注入能量范围为30kev至120kev，注入剂量在每平方厘米1e14个至1e17个。4.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤3中，所述n型注入为n
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离子注入，n
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离子注入的杂质为磷，注入能量范围为30kev至120kev，注入剂量在每平方厘米1e11个至1e14个。5.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤4中，所述n型注入为n
‑
离子注入，n
‑
离子注入的杂质为磷，注入能量范围为30kev至120kev，注入剂量在每平方厘米1e14个至1e17个。6.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤5中，所述p型注入为p+离子注入，p+离子注入的杂质为硼，单次注入能量范围为30kev至120kev，单次注入剂量在每平方厘米1e12个至1e15个。7.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤5中，p型注入的次数为2～5次。8.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤6中，所述源极电极(12)和漏极电极(13)的金属为铝。9.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤7中，所述钝化层(14)的材质为聚酰亚胺、sio2或sin中的一种或多种的组合，钝化层(14)的厚度为100nm～5000nm。10.根据权利要求1所述的一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，步骤8中，所述栅极电极(15)的金属为al、ti、ni、ag和au中的一种或多种组合。
技术总结
本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后，完成抗辐照结型场效应晶体管。场效应晶体管。场效应晶体管。
技术研发人员：杨晓文 王健 王忠芳 侯斌 李照 胡长青 王英民
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
技术研发日：2021.06.15
技术公布日：2021/9/17