显示面板及其制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。


背景技术：

2.有机发光显示面板(organic light emitting diode，简称oled)具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性基板上等多种特点，越来越多地被应用于高性能显示领域如柔性显示装置中。
3.为了提高显示面板的屏占比，通常将摄像头模组等功能器件设置在显示面板的下方。一种实现方式中，阴极层为整层结构，通过导线将阴极层连接公共电位。采用这种结构的阴极层，阴极层易于制作，导线制作简单，显示面板的制作难度较低，但第二电极层的透光率较低，导致摄像头模组的拍摄效果较差。另一种实现方式中，阴极层包括多个阴极，采用这种结构的阴极层，阴极层的透光率较好，摄像头模组的拍摄效果好，但阴极层的制作难度较高，且阴极层中的每个阴极均需连接有导线，导线制作复杂，进而导致显示面板的制作难度较高。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种显示面板及其制作方法，用于改善摄像头模组的拍摄效果的同时，降低显示面板的制作难度。
5.为了实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
6.本技术实施例的第一方面提供一种显示面板，其包括：层叠设置的阵列基板、第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层包括同层设置的电极触点和多个第一电极，多个所述第一电极间隔设置，且多个所述第一电极与所述电极触点间隔设置；所述阵列基板内设置有遮挡部，所述遮挡部与所述第一电极和所述电极触点之间的间隔相对，且所述第一电极和所述电极触点在所述阵列基板上的正投影与所述遮挡部在所述阵列基板上的正投影相邻接或者部分重合；所述第二电极层与所述电极触点相接触，所述第二电极层具有镂空区，且所述第二电极层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一电极、所述电极触点，以及所述遮挡部在所述阵列基板上的正投影。
7.本技术实施例提供的显示面板中，第二电极层中设置有镂空区，镂空区可供外界光线进入，降低了第二电极层对外界光线的阻挡，增加了摄像头模组接收的外界光线，从而提高摄像头模组的拍摄效果。同时，阵列基板中的遮挡部与第一电极与电极触点的间隔相对，且第一电极和电极触点在阵列基板上的正投影与遮挡部在阵列基板上的正投影相邻接或者部分重合，使得第一电极、电极触点与遮挡部在阵列基板上的正投影连成一体，第二电极层在阵列基板上的正投影覆盖第一电极、电极触点，以及遮挡部在阵列基板上的正投影，从而使得位于电极触点上方的第二电极层与位于第一电极上方的第二电极层相连通，且第二电极层与电极触点相接触，以实现第二电极层与电极触点电连接，从而可以使显示面板正常发光，同时由于第一电极和电极触点同层设置，使得与第一电极连接的导线以及与电
极触点连接的导线可以同层制作，简化了工艺，从而降低了显示面板的制作难度。
8.在一种可能的实现方式中，所述镂空区与相邻的所述第一电极之间的间隔正对应，且与所述电极触点正对的所述间隔中不设置有所述电极触点。
9.在一种可能的实现方式中，每个所述第一电极旁对应设置有一个所述电极触点，且每个所述第一电极与正对应的所述电极触点之间的间隔，对应一个所述遮挡部。
10.在一种可能的实现方式中，所述第一电极的边缘设置有凹陷部，所述电极触点的至少部分区域位于所述凹陷部内。
11.在一种可能的实现方式中，所述凹陷部的截面形状为圆弧形，所述电极触点的截面形状为圆形，且所述凹陷部的曲率与所述电极触点的曲率相同。
12.在一种可能的实现方式中，多个所述第一电极分为数组，每一组包括一个所述电极触点，以及与该电极触点相邻的至少两个所述第一电极，且位于每一组中的所述电极触点与每个所述第一电极之间的间隔各正对应一个所述遮挡部。
13.优选的，所述发光层包括设置在所述第一电极层上的像素限定层，所述像素限定层中设有与各所述第一电极对应的多个第一开口，以及与各所述电极触点对应的多个第二开口，所述第一开口中设置有发光材料，所述第二开口暴露至少部分所述电极触点。
14.优选的，所述第一开口在所述第一电极层上的正投影位于所述第一电极之中，且所述第一开口在所述第一电极层上的正投影的边缘与对应的所述第一电极的边缘的距离大于2微米。
15.优选的，所述发光材料包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料；每一组包括三个所述第一电极和一个所述电极触点，且三个所述第一电极各自对应的所述第一开口中设置的所述发光材料的颜色不同。
16.优选的，三个所述第一电极的中心分别位于虚拟三角形的三个顶点；所述第二开口的中心位于所述虚拟三角形的中心。
17.在一种可能的实现方式中，所述阵列基板包括层叠设置的衬底、绝缘层和平坦化层；所述遮挡部设置在所述绝缘层和所平坦化层之间。
18.在一种可能的实现方式中，所述第一电极层和所述阵列基板之间还同层设置有第一导线和第二导线，所述第一导线与所述第一电极相接触，以将所述第一电极电连接驱动电位，所述第二导线与所述电极触点相接触，以将所述电极触点电连接公共电位。
19.本技术实施例的第二方面提供一种显示面板的制作方法，其包括：
20.提供阵列基板，所述阵列基板内设置有遮挡部；
21.在所述阵列基板上形成第一电极层，所述第一电极层包括同层设置的电极触点和多个第一电极，多个所述第一电极间隔设置，且多个所述第一电极与所述电极触点间隔设置，所述第一电极和所述电极触点之间的间隔与所述遮挡部正对应，所述第一电极和所述电极触点在所述阵列基板上的正投影与所述遮挡部在所述阵列基板上的正投影相邻接或者部分重合；
22.形成发光层，所述发光层包括形成在所述第一电极层上的像素限定层，所述像素限定层中设有与各所述第一电极对应的多个第一开口，以及与所述电极触点对应的第二开口，所述第一开口内设置有发光材料，所述第二开口暴露至少部分所述电极触点；
23.在所述发光层上和所述第二开口内形成第二电极材料层，所述第二电极材料层与
所述电极触点相接触；
24.以所述遮挡部、所述第一电极和所述电极触点为掩膜，激光刻蚀所述第二电极材料层，形成第二电极层，所述第二电极层具有镂空区，且所述第二电极层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一电极、所述电极触点，以及所述遮挡部在所述阵列基板上的正投影。
25.本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，通过以遮挡部、第一电极和电极触点为掩膜激光刻蚀第二电极材料层，形成具有镂空区的第二电极层，减少了第二电极层的面积，使得第二电极层中存在供外界光线穿过的空间，增加了摄像头模组接收的外界光线量，从而提高摄像头模组的拍摄效果。同时由于第一电极和电极触点同层设置，使得与第一电极连接的导线以及与电极触点连接的导线可以同层制作，简化了工艺，从而降低了显示面板的制作难度。
26.在一种可能的实现方式中，所述第一电极、所述电极触点和所述遮挡部均为不透光材料层，所述第二电极的材质为银、镁银合金或者铝。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为本技术实施例中的显示面板的结构示意图；
29.图2为本技术实施例中的第一电极和电极触点的一种排布示意图；
30.图3为本技术实施例中的第一电极和电极触点的另一种排布示意图；
31.图4为本技术实施例中的显示面板的制作方法的流程图；
32.图5为本技术实施例中的阵列基板的结构示意图；
33.图6为本技术实施例中的形成第一电极层后的结构示意图；
34.图7为本技术实施例中的像素限定层后的结构示意图；
35.图8为本技术实施例中的形成发光层后的结构示意图；
36.图9为本技术实施例中的形成第二电极材料层后的结构示意图；
37.图10为本技术实施例中的激光刻蚀的示意图。
38.附图标记说明：
39.100
‑
阵列基板；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
110
‑
衬底；
40.120
‑
绝缘层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
121
‑
栅极绝缘层；
41.122
‑
层间绝缘层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
130
‑
平坦化层；
42.140
‑
遮挡部；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
210
‑
阳极；
43.220
‑
电极触点；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
230
‑
第二导线；
44.240
‑
间隔；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
250
‑
第一导线；
45.300
‑
发光层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
310
‑
像素限定层；
46.311
‑
第二开口；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
312
‑
第一开口；
47.320
‑
发光材料；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
321
‑
第一公共层；
48.410
‑
第二电极层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
420
‑
第二电极材料层。
具体实施方式
49.正如背景技术所述，相关技术中的显示面板存在摄像头模组拍摄效果与显示面板制作难度难以兼顾的问题，经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，摄像头模组位于显示面板的下方，若采用显示面板中远离摄像头模组的阴极层为整层结构的方案，阴极层易于制作，阴极层的导线也便于引出，显示面板的制作难度较低。然而，该方案中，阴极层的透过率较低，其透过率通常低于50％，导致穿过显示面板的外界光线较少，从而导致摄像头模组接收不到足够的外界光线，摄像头模组的拍摄效果较差。
50.发明人还研究发现，若采用阴极层为分块结构的方案，即阴极层包括间隔设置的多个阴极，由于各阴极之间具有间隔，这些间隔形成透光区，从而可以增加穿过显示面板的外界光线，改善摄像头模组的拍摄效果。然而，该方案中，显示面板的制作难度较高，主要体现在以下两方面：
51.一个方面，多个阴极通常采用真空蒸镀工艺制作，该工艺所需的高精度金属掩膜板(fine metal mask，简称为fmm)难以制作，具体地，高精度金属掩膜板的厚度通常为20微米，蒸镀阴极所需的开口直径也通常为20微米，在高精度金属掩膜板上制作该开口难度较高，失败率较高，导致高精度金属掩膜板的制作成本高，也增加了显示面板的制作难度和制作成本。如果采用其他方法制作阴极，通常存在阴极与阳极对准困难的问题，或者损伤发光材料的问题。
52.另一方面，每个阴极都需要连接到显示面板的公共电位上，以使阴极与阳极之间可以产生电位差，保证位于阴极与阳极之间的发光材料发光。但是，制作与阴极连接的导线较为复杂，也增加了显示面板的制作难度和制作成本。
53.针对上述技术问题，本技术实施例提供的显示面板中，阳极层和阴极层中一者包括多个电极块，另一者设置有镂空区，镂空区可供外界光线进入，降低了对外界光线的阻挡，增加了摄像头模组接收的外界光线，从而提高摄像头模组的拍摄效果。同时，整层结构的阴极层或阳极层通过电极触点与公共电位相连接，电极触点与包括多个电极块的阳极层或阴极层同层设置，使得整层结构的阴极层或阳极层所连接的导线数量较少，而且阴极层和阳极层可以一起制作，简化了导线制作工艺，因此，可以简化显示面板的制作难度和降低制作成本。
54.为了使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本技术保护的范围。
55.参考图1，本技术实施例提供的显示面板包括层叠设置的阵列基板100、第一电极层、发光层300和第二电极层410。阵列基板100可以为薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)阵列基板。阵列基板100包括衬底110、设置在衬底110上的绝缘层120，以及设置在绝缘层120上的平坦化层130(planarization layer，简称pln)。
56.衬底110可以为玻璃衬底、柔性塑料衬底或石英衬底。衬底110的表面上设置有沿第一方向排列的多条栅极线，以及沿第二方向排列的多条数据线，栅极线与数据线的限定区域中用于定义像素单元，第一方向与第二方向交叉。薄膜晶体管的栅极与栅极线连接，薄
膜晶体管的源极与数据线连接，每个薄膜晶体管的漏极与其对应的像素单元电连接。在显示过程中，薄膜晶体管在栅极线的控制下，将数据线输入的数据显示信号提供给与薄膜晶体管对应的像素单元中。
57.绝缘层120可以为单层或者多层结构，绝缘层120内设置有连接线，例如贯穿绝缘层120的金属线，以将薄膜晶体管与像素单元中的第一电极层(例如阳极层)电连接。
58.如图1所示，绝缘层120包括位于衬底110上的栅极绝缘(gate insulator，简称gi)层121，以及位于栅极绝缘层121上的层间绝缘(inter layer dielectric，简称ild)层122。栅极绝缘层121覆盖薄膜晶体管的源极与漏极，栅极绝缘层121上设置薄膜晶体管的栅极。栅极绝缘层121与层间绝缘层122可以通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)工艺制作。栅极绝缘层121的材质包括氧化硅，层间绝缘层122的材质包括氧化硅(例如sio2)、硼磷硅玻璃(bpsg)、磷硅盐酸玻璃(psg)或者氮化硅(例如si3n4)等。
59.平坦化层130位于阵列基板100的最上层，且平坦化层130的上表面齐平，以便于在平坦化层130上形成较为平整的各膜层。平坦化层130的材料可以为有机材料，平坦化层130可以采用涂布或者溅射工艺制作。
60.继续参照图1，阵列基板100内还设置有遮挡部140。在一些可能的示例中，遮挡部140设置在绝缘层120上，平坦化层130覆盖绝缘层120和设置在绝缘层120上的遮挡部140。
61.遮挡部140为不透光材料层，即遮挡部140不透光。示例性的，遮挡部140的材质为金属(例如银)，或者遮挡部140为黑色材料层，如包括炭黑的树脂层。遮挡部140可以为单独设置的结构，也可以为阵列基板100内的金属线，即阵列基板100内的金属线作为遮挡部140。
62.本技术实施例中，第一电极层可以为阳极层，第二电极层410可以为阴极层；或者，第一电极层可以为阴极层，第二电极层410可以为阳极层，下文以第一电极层为阳极层，第二电极层410为阴极层为例进行描述。
63.本技术实施例中的第一电极层包括阳极210和电极触点220，阳极210和电极触点220同层设置，以便于阳极210和电极触点220同时制作。阳极210可以设置有多个，多个阳极210间隔设置，电极触点220与阳极210也间隔设置。即电极触点220与阳极210之间设置有间隔240，以避免电极触点220与阳极210之间导通。
64.阳极210和电极触点220之间的间隔与遮挡部140相正对，且阳极210和电极触点220在阵列基板100上的正投影与遮挡部140在阵列基板100上的正投影相邻接或者部分重合。可以理解的是，阳极210、电极触点220与遮挡部140在阵列基板100上的正投影连成一片。
65.阳极210与电极触点220的结构和材质可以相同，进一步保证阳极210与电极触点220可以同时制作，降低显示面板的制作难度，提高显示面板的制作效率。阳极210与电极触点220均为不透光材料层，示例性的，阳极210与电极触点220可以为金属层，例如银层；也可以为金属
‑
透明材料的叠层，例如ito
‑
ag
‑
ito层(氧化铟锡
‑
银
‑
氧化铟锡层)。
66.在上述实施例的基础上，在本技术的一些实施例中，参考图1和图2，每个阳极210旁对应设置有一个电极触点220，即阳极210的数量与电极触点220的数量相同，多个阳极210与多个电极触点220一一对应。每个阳极210与相对应的电极触点220之间的间隔240正对应一个遮挡部140。
67.如图2所示，阳极210的边缘可以设置有凹陷部，电极触点220的至少部分区域位于凹陷部内，以减少阳极210和电极触点220所占用的空间。示例性的，凹陷部的截面形状均为圆弧形，电极触点220的截面形状为圆形，且凹陷部的曲率与电极触点220的曲率相同，以使阳极210与电极触点220之间相适配。例如，阳极210与电极触点220之间的间隔240等距。当然，凹陷部的截面形状与电极触点220的截面形状不是限定的，例如凹陷部的截面形状为折线形，电极触点220的截面形状为三角形或者方形，凹陷部的截面形状与电极触点220的截面形状相适配。
68.在上述实施例的基础上，在本技术的另一些实施例中，多个阳极210可以分为数组，每一组包括一个电极触点220，以及与该电极触点220相邻的至少两个阳极210，以降低电极触点220的数量，从而降低了第一电极层的制作难度。
69.每一组中的阳极210数量可以相同，也可以不同。例如，某些组中包括两个阳极210，另一些组中包括三个阳极210；或者，每一组中都包括两个阳极210。示例性的，如图3所示，每一组包括三个阳极210和一个电极触点220，三个阳极210的中心分别位于虚拟三角形(图3中虚线所示)的三个顶点，电极触点220位于该虚拟三角形的内部。
70.在每一组中，电极触点220与每个阳极210之间的间隔240各正对应一个遮挡部140，即遮挡部140的数量与这一组中的阳极210的数量相同。例如，电极触点220的边缘与各阳极210的边缘的距离相等，各遮挡部140沿阳极210至电极触点220方向的宽度相等，与电极触点220与阳极210的间隔240正对应的各遮挡部140相同。
71.在另一些实施方式中，每一组中的电极触点220与阳极210之间的间隔240正对应一个遮挡部140，即电极触点220在阵列基板100上的正投影位于遮挡部140在阵列基板100上的正投影的内部，阳极210在阵列基板100上的正投影与遮挡部140在阵列基板100上的正投影相邻接或者部分重合。
72.需要说明的是，如图1所示，阳极210的下方设置有第一导线250，第一导线250位于阳极210和阵列基板100之间，第一导线250将阳极210电连接驱动电位。电极触点220的下方设置有第二导线230，第二导线230位于电极触点220和阵列基板100之间，第二导线230将电极触点220电连接到公共电位。第一导线250和第二导线230可以同层设置，以使第一导线250和第二导线230同时制作，简化显示面板的制作步骤。
73.继续参照图1，本技术实施例中的发光层300包括像素限定层310(pixel define layer，简称pdl)，像素限定层310设置在第一电极层上，像素限定层310可以为氧化硅层、氮化硅层或者透明树脂层，像素限定层310可以通过等离子化学气相沉积(plasma chemical vapor deposition，pcvd)法、喷墨打印或者旋涂(spin coating)等工艺制作。
74.像素限定层310中设有多个第一开口和第二开口311，多个第一开口与多个阳极210一一对应，第二开口311与电极触点220相对应。当电极触点220设置有多个时，第二开口311也设置有多个，多个第二开口311与多个电极触点220一一对应。第一开口和第二开口311贯穿像素限定层310，第一开口内暴露阳极210，第二开口311暴露至少部分电极触点220，例如，第二开口311暴露电极触点220的中心区域。
75.第一开口在第一电极层上的正投影位于阳极210之中，且第一开口在第一电极层上的正投影的边缘与对应的阳极210的边缘的距离大于2微米。如此设置，像素限定层310可以对阳极210封边，以避免阳极210的边缘的毛刺等结构影响第一开口内的发光材料320的
正常工作。第二开口311在第一电极层的正投影位于电极触点220的内部或者与电极触点220相重合。
76.发光材料320可以包括红色发光材料r、绿色发光材料g和蓝色发光材料b，以发出不同颜色的光。当每一组包括三个阳极210和一个电极触点220时，在一些可能的示例中，如图3所示，这三个阳极210各自对应的第一开口内设置的发光材料的颜色不同，即这三个阳极210中一个阳极210相对应的第一开口内设置有红色发光材料r，这三个阳极210中另一个阳极210相对应的第一开口内设置有绿色发光材料g，这三个阳极210中最后一个阳极210相对应的第一开口内设置有蓝色发光材料b。通过三个阳极210共用一个电极触点220，以减少电极触点220的数量。这三个阳极210的中心分别位于虚拟三角形的三个顶点，电极触点220位于该虚拟三角形中，且电极触点220的中心区域暴露在第二开口311中，第二开口311的中心位于虚拟三角形的中心。
77.在另一些可能的示例中，如图1所示，像素限定层310上还可以设置有第一公共层321，第一公共层321包括空穴注入层(hole injection layer，简称hil)和/或空穴传输层(hole transport layer，简称htl)。位于第一开口内的第一公共层321上设置有发光材料(图中未画出)，第一公共层321和发光材料上设置有第二公共层(图中未画出)，第二公共层包括电子注入层(electron injection layer，简称eil)和/或电子传输层(electron transport layer，简称etl)。
78.当像素限定层310上设置有第一公共层321和第二公共层时，第二开口311延伸至第一公共层321和第二公共层中，即第二开口311贯穿第一公共层321和第二公共层，以使电极触点220暴露出来，从而使得第二电极层可以与电极触点220相接触，以实现第二电极层与电极触点220电连接。位于第一公共层321、第二公共层和像素限定层310中的第二开口311的形状可以为阶梯形通孔，也可以为直通孔。位于第一开口内的第一电极层、第一公共层321、发光材料、第二公共层和第二电极层构成像素单元。
79.继续参照图1，阴极层与电极触点220相接触，阴极层通过电极触点220以及第二导线230连接到公共电位上。阴极层具有镂空区，镂空区贯穿阴极层，以减少阴极层的面积，以供外界光线穿过阴极层，提高外界光线的进入量，从而提高摄像头模组的拍摄效果。示例性的，镂空区与阳极210之间的间隙正对，且与镂空区正对的间隔中不设置有电极触点220，即镂空区与阳极210和电极触点220并正对，以保证电极触点220和阳极210正对的阴极层连通。
80.阴极层在阵列基板100上的正投影覆盖阳极210、电极触点220，以及遮挡部140在阵列基板100上的正投影，即位于阳极210上方的阴极层与位于电极触点220上的阴极层相连通。在阳极210的正投影范围内的阴极层可以通过电极触点220连接到公共电位，以保证显示面板可以正常工作。
81.示例性的，阴极层在阵列基板100上的正投影与阳极210、电极触点220，以及遮挡部140在阵列基板100上的正投影相重合，以进一步减少阴极层的面积，提高外界光线的进入量。
82.在一些可能的示例中，如图3所示，阴极层包括多个阴极，每个阴极与一组阳极210和电极触点220相对应。与一组阳极210和电极触点220相对的阴极为一体结构，即位于一组中至少两个像素单元共用一个阴极，阴极与电极触点220相接触，以降低电极触点220的数
量。
83.第二电极层的材质可以包括金属，例如银、镁银合金、铝中的一种或者多种。第二电极层可以通过以阳极210、电极触点220和遮挡部140为掩膜，激光刻蚀形成。刻蚀时，激光聚焦于第二电极层，以避免损伤其他膜层。此外，激光的波长为特定值，以使第二电极层对该波长的激光的吸收率较高，其他膜层对该波长的激光的吸收率较低，进一步避免损伤其他膜层。
84.本技术实施例提供的显示面板中，第二电极层410中设置有镂空区，镂空区可供外界光线进入，降低了第二电极层410对外界光线的阻挡，增加了摄像头模组接收的外界光线，从而提高摄像头模组的拍摄效果。同时，阵列基板100中的遮挡部140与第一电极与电极触点220的间隔相对，且第一电极和电极触点220在阵列基板100上的正投影与遮挡部140在阵列基板100上的正投影相邻接或者部分重合，使得第一电极、电极触点220与遮挡部140在阵列基板100上的正投影连成一体，第二电极层410在阵列基板100上的正投影覆盖第一电极、电极触点220与遮挡部140在阵列基板100上的正投影，从而使得位于电极触点220上方的第二电极层410与位于第一电极上方的第二电极层410相连通，且第二电极层410与电极触点220相接触，以实现第二电极层410与电极触点220电连接，从而可以使显示面板正常发光。同时由于第一电极和电极触点220同层设置，使得与第一电极连接的导线以及与电极触点220连接的导线可以同层制作，简化了工艺，从而降低了显示面板的制作难度，降低了显示面板的制作难度。
85.本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法，如图4所示，该显示面板的制作方法包括以下步骤：
86.步骤s101、提供阵列基板，阵列基板内设置有遮挡部。
87.参考图5，阵列基板100可以为tft阵列基板，该阵列基板100包括衬底110、设置在衬底110上的绝缘层120，以及设置在绝缘层120上的平坦化层130。
88.衬底110的表面上设置有沿第一方向排列的多条栅极线，以及沿第二方向排列的多条数据线，栅极线与数据线的限定区域中用于定义像素单元，第一方向与第二方向交叉。薄膜晶体管的栅极与栅极线连接，薄膜晶体管的源极与数据线连接，每个薄膜晶体管的漏极与其对应的像素单元电连接；在显示过程中，薄膜晶体管在栅极线的控制下，将数据线输入的数据显示信号提供给与薄膜晶体管对应的像素单元中。
89.绝缘层120可以为单层或者多层结构，绝缘层120内设置有连接线，例如贯穿绝缘层120的金属线，以将薄膜晶体管与第一电极层电连接。示例性的，绝缘层120包括位于衬底110上的栅极绝缘层121，以及位于栅极绝缘层121上的层间绝缘层122。栅极绝缘层121覆盖薄膜晶体管的源极与漏极，栅极绝缘层121上设置有薄膜晶体管的栅极。
90.平坦化层130一般位于阵列基板100的最上层，平坦化层130的上表面齐平，以便于在平坦化层130上形成较为平整的各膜层。平坦化层130的材料可以为有机材料，平坦化层130可以采用涂布或者溅射工艺制作。
91.阵列基板100内还设置有遮挡部140。遮挡部140可以设置在绝缘层120上，平坦化层130覆盖绝缘层120和设置在绝缘层120上的遮挡部140。遮挡部140为不透光材料层，即遮挡部140不透光。示例性的，遮挡部140的材质为金属(例如银)，或者遮挡部140为黑色材料层，如包括炭黑的树脂层。遮挡部140可以为单独设置的结构，也可以为阵列基板100内的金
属线，即阵列基板100内的金属线作为遮挡部140。
92.步骤s102、在阵列基板上形成第一电极层，第一电极层包括同层设置的电极触点和多个第一电极，多个第一电极间隔设置，且多个第一电极与电极触点间隔设置，第一电极和电极触点之间的间隔与遮挡部正对应，第一电极和电极触点在阵列基板上的正投影与遮挡部在阵列基板上的正投影相邻接或者部分重合。
93.参照图6，示例性的，通过在阵列基板100上沉积第一电极材料，再通过激光刻蚀等工艺刻蚀第一电极材料，以同时形成多个第一电极和电极触点220。第一电极材料为不透光材料，第一电极材料可以为金属，例如银；也可以为金属
‑
透明材料的叠层，例如ito
‑
ag
‑
ito的叠层。
94.如图6所示，第一电极(例如为阳极210)可以为多个，多个第一电极间隔设置，电极触点220与第一电极间隔设置，且该间隔(如图6中虚线所示空间)与遮挡部140正对应。第一电极和电极触点220在阵列基板100上的正投影与遮挡部140在阵列基板100上的正投影相邻接或者部分重合，即第一电极、电极触点220与遮挡部140在阵列基板100上的正投影连成一片。
95.在本技术的一些实施例中，如图2所示，每个第一电极旁对应设置有一个电极触点220，且每个第一电极与对应的电极触点220之间的间隔正对应一个遮挡部140。第一电极的边缘可以设置有凹陷部，电极触点220的至少部分区域位于凹陷部内，以减少第一电极和电极触点220所占用的空间。
96.在本技术的另一些实施例中，多个第一电极可以分为数组，每一组包括相邻的至少两个第一电极以及位于这些第一电极之间的一个电极触点220，以降低电极触点220的数量，降低第一电极层的制作难度。示例性的，如图3所示，每一组包括三个第一电极和一个电极触点220，三个第一电极的中心分别位于虚拟三角形的三个顶点，电极触点220位于虚拟三角形的内部。在每一组中，电极触点220与每个第一电极之间的间隔各正对应一个遮挡部140，即遮挡部140的数量与这一组中的第一电极的数量相同。
97.需要说明的是，如图6所示，第一电极的下方设置有第一导线250，第一导线250位于第一电极和阵列基板100之间，第一导线250将第一电极电连接驱动电位。电极触点220的下方设置有第二导线230，第二导线230位于电极触点220和阵列基板100之间，第二导线230将电极触点220电连接到公共电位。第一导线250和第二导线230可以同层设置，以使第一导线250和第二导线230同时制作，简化显示面板的制作步骤。
98.步骤s103、形成发光层，发光层包括形成在第一电极层上的像素限定层，像素限定层中设有与各第一电极对应的多个第一开口，以及与电极触点对应的第二开口，第一开口内设置有发光材料，第二开口暴露至少部分电极触点。
99.参照图7，通过等离子化学气相沉积法、喷墨打印或者旋涂等工艺在第一电极层上形成像素限定材料层，再对像素限定材料层进行图形化工艺形成贯穿像素限定材料层的第一开口312和第二开口311，具有第一开口312和第二开口311的像素限定材料层形成像素限定层310。
100.其中，第一开口312的数量为多个，多个第一开口312与多个第一电极一一对应，且第一开口312内暴露第一电极，第二开口311与电极触点220相对应，且第二开口311暴露至少部分电极触点220。当电极触点220设置有多个时，第二开口311也设置有多个，且多个第
二开口311与多个电极触点220一一对应。第一开口312在第一电极层上的正投影位于第一电极之中，且第一开口312在第一电极层上的正投影的边缘与对应的第一电极的边缘的距离大于2微米。第二开口311在第一电极层的正投影位于电极触点220的内部或者与电极触点220相重合。
101.在本技术一些可能的示例中，参照图8，形成像素限定层310后，在像素限定层310、第一开口312和第二开口311内形成第一公共层321，第一公共层321包括空穴注入层和/或空穴传输层；再在位于第一开口312内的第一公共层321上蒸镀发光材料；在第一公共层321和发光材料上形成第二公共层，第二公共层包括电子注入层和/或电子传输层；激光刻蚀去除位于第二开口311内的至少部分第一公共层321和第二公共层，以暴露电极触点220。
102.需要说明的是，当每一组包括三个第一电极和一个电极触点220时，如图3所示，这三个第一电极相对应的第一开口312分别对应红色发光材料r、绿色发光材料g和蓝色发光材料b，且这三个第一电极的中心分别位于虚拟三角形的三个顶点，第二开口311的中心位于该虚拟三角形的中心。
103.步骤s104、在发光层上和第二开口内形成第二电极材料层，第二电极材料层与电极触点相接触。
104.示例性的，在第二公共层上和第二开口311内形成第二电极材料层420，如图9所示，第二电极材料层420为整层结构。第二电极材料层420覆盖第二公共层，且与电极触点220相接触，以使第二电极材料层420与电极触点220电连接。第二电极材料层420的材质可以为金属，例如为银、镁银合金、铝中的一种或者多种。
105.步骤s105、以遮挡部、第一电极和电极触点为掩膜，激光刻蚀第二电极材料层，形成第二电极层，第二电极层具有镂空区，且第二电极层在阵列基板上的正投影覆盖第一电极、电极触点，以及遮挡部在阵列基板上的正投影。
106.参照图10，以遮挡部140、第一电极和电极触点220为掩膜，激光刻蚀第二电极材料层420，去除未被遮挡部140、第一电极和电极触点220遮挡的第二电极材料层420，保留的第二电极材料层420形成第二电极层410，第二电极层410具有镂空区。
107.可以理解的是，第二电极层410在阵列基板100上的正投影覆盖第一电极、电极触点220，以及遮挡部140在阵列基板100上的正投影，每一组中的第二电极层410为一个整体。第二电极层410的镂空区与第一电极之间的间隙正对，且与镂空区正对的间隔中不设置有电极触点220，以保证电极触点220和第一电极正对的第二电极层410连通。
108.如图10所示，激光刻蚀第二电极材料层420时，激光位于阵列基板100的下方，即激光由下向上照射，通过将激光聚焦于第二电极材料层420，可以避免其他膜层受到损伤。此外，激光的波长可以设定为特定值，第二电极材料层420对该波长的激光的吸收率较高，其他膜层对该波长的激光的吸收率较低，进一步避免其他膜层受到损伤。
109.需要说明的是，本技术实施例中的遮挡部140设置在阵列基板100中，在另一些可能的实施例中，遮挡部140还可以为位于第一电极层与第二电极层410之间的支撑垫(spc)，该支撑垫不透光。如此设置，利用显示面板本身所具有的结构，无需额外制作遮挡部140。
110.本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，通过以遮挡部140、第一电极和电极触点220为掩膜激光刻蚀第二电极材料层420，形成具有镂空部的第二电极层410，减少了第二电极层410的面积，使得第二电极层410中存在供外界光线穿过的空间，增加摄像头模组
接收的外界光线，从而提高摄像头模组的拍摄效果。同时，多个第一电极和电极触点220同层设置，使得与第一电极连接的导线以及与电极触点220连接的导线可以同层制作，简化了工艺，从而降低了显示面板的制备难度。
111.本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
112.应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
113.一般而言，应当至少部分地由语境下的使用来理解术语。例如，至少部分地根据语境，文中使用的术语“一个或多个”可以用于描述单数的意义的任何特征、结构或特性，或者可以用于描述复数的意义的特征、结构或特性的组合。类似地，至少部分地根据语境，还可以将诸如“一”或“所述”的术语理解为传达单数用法或者传达复数用法。
114.应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在
……
上”、“在
……
以上”和“在
……
之上”，以使得“在
……
上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在
……
以上”或者“在
……
之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
115.此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
116.文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
117.文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
118.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。