电子显微镜系统的制作方法

1.本技术涉及电子显微镜技术领域，特别是涉及一种电子显微镜系统。


背景技术：

2.电子显微镜是重要的科学仪器，在材料科学，生命科学，半导体工业等领域发挥着巨大的作用。电子显微镜通常可以分为透射电子显微镜和扫描电子显微镜。一般来讲，透射电子显微镜还可以拥有扫描透射的功能，是利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品，在扫描的过程中，通过收集透射薄样品的电子束信息，以达到物质微观形貌表征的目的。尽管显示出样品的微观细节能够满足人们的需求，但是效率(即单位时间可以扫描的图像面积)太低。并且现有的电子显微镜一般仅支持单个样品的扫描，并且不能同时有效收集扫描样品的透射信息。
3.针对上述的现有技术中存在的现有的电子显微镜仅支持单个样品的扫描，并且扫描效率低以及无法同时收集扫描样品的透射信息的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素：

4.本公开提供了一种电子显微镜系统，以至少解决现有技术中存在的电子显微镜仅支持单个样品的扫描，并且扫描效率低以及无法同时收集扫描样品的透射信息的技术问题的技术问题。
5.根据本技术的一个方面，提供了一种电子显微镜系统，用于生成多个电子束对样品进行扫描，包括：多电子束形成子系统以及多电子束扫描子系统。其中偏转器多电子束形成子系统用于形成多个电子束，偏转器多电子束扫描子系统用于将偏转器多个电子束投射至样品。并且其中，偏转器多电子束扫描子系统包括偏转器模组，偏转器偏转器模组通过施加的电场和/或磁场改变偏转器电子束的轨迹，对样品进行扫描。
6.根据本技术的另一个方面，提供了一种电子显微镜系统，用于生成多个电子束对样品进行扫描，包括：多电子束形成子系统以及多电子束扫描子系统，其中多电子束形成子系统用于形成多个电子束，多电子束扫描子系统用于将多个电子束投射至样品，并且其中，多电子束扫描子系统包括：聚焦透镜模组阵列、电子束闸阵列以及光阑。其中，聚焦透镜模组阵列设置于多电子束形成子系统下侧，用于将多个电子束聚焦在电子束闸阵列；以及电子束闸阵列设置于聚焦透镜模组阵列下侧，用于控制多个电子束中各个电子束的倾斜进而控制各个电子束穿过或偏离光阑的光阑孔。
7.根据本技术的另一个方面，提供了一种电子显微镜系统，用于生成多个电子束对样品进行扫描，包括：设置于用于承载样品的样品载具下侧的多电子束收集子系统，其中多电子束收集子系统包括：投影镜模组以及设置于投影镜模组下侧的扫描透射探测器阵列。并且，投影镜模组用于将透过样品的电子束投射到扫描透射探测器阵列上；以及扫描透射探测器阵列包括多个独立探测器，用于分别收集透过样品的不同的电子束。
8.从而根据本技术实施例提供的电子显微镜系统，通过多电子束形成子系统形成扫描样品的多个电子束，然后通过多电子束扫描子系统将多个电子束投射到样品上，对样品进行扫描。其中多电子束扫描子系统设置有偏转器模组，通过在偏转器模组施加电场或者磁场改变多个电子束的运动轨迹，达到对样品进行垂直投射扫描的技术效果。从而本技术的电子显微镜系统不仅可以形成对样品进行扫描的多个电子束，并且通过偏转器模组实现多个电子束垂直投射样品，进而可以比较充分得到样品的垂直投影信息，不失真的探测样品的结构信息，达到对样品进行高效扫描以及便于收集样品的透射电子信号的技术效果。并且通过多电子束收集子系统实现对扫描过样品的电子束进行收集，从而达到对样品的投射信息进行图像显示的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的电子显微镜仅支持单个样品的扫描，并且扫描效率低以及无法同时收集扫描样品的透射信息的技术问题。
9.根据下文结合附图对本技术的具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本技术的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
10.后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
11.图1是根据本技术实施例所述的电子显微镜系统的示意图；
12.图2是图1所示电子显微镜系统通过电子闸束阵列控制各个电子束的倾斜的示意图；以及
13.图3是现有的扫描电子收集系统的示意图。
具体实施方式
14.需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
15.为了使本技术领域的人员更好地理解本公开方案，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本公开保护的范围。
16.需要说明的是，本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
17.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包
括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
18.图1是根据本技术实施例第一个方面所述的电子显微镜系统的示意图，该电子显微镜系统用于生成多个电子束50对样品40进行扫描。参考图1所示，电子显微镜系统包括：多电子束形成子系统10以及多电子束扫描子系统20，其中多电子束形成子系统10用于形成多个电子束50，多电子束扫描子系统20用于将多个电子束50投射至样品40。并且其中，多电子束扫描子系统20包括偏转器模组240，偏转器模组240通过施加的电场和/或磁场改变电子束50的轨迹，对样品40进行扫描。
19.正如背景技术中所述的，电子显微镜通常可以分为透射电子显微镜和扫描电子显微镜。一般来讲，透射电子显微镜还可以拥有扫描透射的功能，是利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品，在扫描的过程中，通过收集透射薄样品的电子束信息，以达到物质微观形貌表征的目的。尽管显示出样品的微观细节能够满足人们的需求，但是效率(即单位时间可以扫描的图像面积)太低。并且现有的电子显微镜一般仅支持单个样品的扫描，并且不能同时有效收集扫描样品的透射信息。
20.有鉴于此，本技术实施例提供了一种电子显微镜系统，通过多电子束形成子系统10形成扫描样品40的多个电子束50，然后通过多电子束扫描子系统20将多个电子束50投射到样品40上，对样品40进行扫描。其中多电子束扫描子系统20设置有偏转器模组240，通过在偏转器模组240施加电场或者磁场改变多个电子束50的运动轨迹，达到对样品40进行垂直投射扫描的技术效果。从而本技术的电子显微镜系统不仅可以形成对样品40进行扫描的多个电子束50，并且通过偏转器模组240实现多个电子束50垂直投射样品40，进而可以比较充分得到样品的垂直投影信息，不失真的探测样品的结构信息，达到对样品40进行高效扫描以及便于收集样品40的透射电子信号的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的电子显微镜仅支持单个样品的扫描，并且扫描效率低的技术问题。
21.可选地，多电子束扫描子系统20还包括：设置于偏转器模组240上侧的第一磁透镜230；以及设置于偏转器模组240下侧的光阑250，其中第一磁透镜230用于改变多个电子束50的运动轨迹，使得多个电子束50通过光阑250的第一光阑孔251。
22.具体地，参考图1所示，通过第一磁透镜230改变多个电子束50运动轨迹，从而使得多个电子束50可以通过预先设置在光阑250上的第一光阑孔251。并且光阑250用于控制照射在样品上的电子束。并且偏转器模组240设置在光阑250上方，预先调整好偏转器模组240的扫描的比例力量，确保多个电子束50都能同时通过第一光阑孔251。此外，多个电子束50在扫描透射样品40上的扫描场由偏转器模组240来控制。从而通过上述多电子扫描子系统20的设置，达到对样品40实现多电子束垂直投射扫描的技术效果。进而可以充分得到样品40的垂直投影信息。
23.可选地，偏转器模组240包括层叠设置的上线圈241和下线圈242，其中上线圈241和下线圈242的尺寸比例配置为使得通过偏转器模组240的电子束50能够通过光阑250的第一光阑孔251。
24.具体地，参考图1所示，并且偏转器模组240设置在光阑250上方，偏转器模组240由多个偏转器组成，其中每个偏转器设置有上线圈241和下线圈242。对偏转器施加偏转场的情况下，可以通过预先配置上线圈241和下线圈242的尺寸比例(例如线圈比例)，使得更多的电子束50可以通过第一光阑孔251。即可以预先配置上线圈241和下线圈242扫描的比例
力量，确保多个平行电子束都能同时通过第一光阑孔251。从而达到对样品40进行全面扫描的技术效果。
25.可选地，多电子束形成子系统10包括电子源110以及设置于电子源110下方的分束模块120，并且分束模块120包括：设置于电子源110下侧的分束光阑阵列121以及设置于分束光阑阵列121下侧的第二磁透镜122，其中分束光阑阵列121包括以阵列形式布置的多个第二光阑孔1211，用于将电子源110发射的电子分成多个电子束50；以及第二磁透镜122用于将多个电子束50整形为平行的多个电子束。
26.具体地，参考图1所示，电子源位110位于电子显微镜系统最上面，在对其加热到1700k并且同时在电子源110表面增加10e6v/cm的场强后，电子从电子源发射出来。从而实现电子的发射。
27.进一步地，分束模块120包括分束光阑阵列121以及第二磁透镜122。其中分束光阑121上预先设置阵列形式的多个第二光阑孔1211，从而可以将电子分成多个电子束50。其中多个光阑孔1211的位置和大小为预先设置好的。并且参考图1所示，第二磁透镜122可以是平行电子束磁透镜，当多个电子束50投射到第二磁透镜122后，第二磁透镜122可以将多个电子束50汇聚成多个平行或者近似平行的多个平行电子束50。从而实现了形成多个平行电子束50的技术效果。
28.可选地，多电子束扫描子系统20还包括：聚焦透镜模组阵列210以及电子束闸阵列220，其中聚焦透镜模组阵列210设置于多电子束形成子系统10下侧，用于将多个电子束50聚焦在电子束闸阵列220；以及电子束闸阵列220设置于聚焦透镜模组阵列210和偏转器模组240之间，用于控制多个电子束50中各个电子束的倾斜进而控制各个电子束穿过或偏离光阑250的第一光阑孔251。
29.具体地，参考图1所示，多个电子束50进入预先设置的聚焦透镜模组阵列210后汇聚在预先设置的电子束闸阵列220中。其中聚焦透镜模组阵列210可以通过调节电位数值，适当的调节聚焦在电子束闸阵列220的斑点的高度。因为电子显微镜进行样品扫描的情况下，有些电子束50是离轴成像，从而通过适当调整在电子束闸阵列220内的聚焦斑点的高度和大小，可以弥补离轴成像引起的相差。并且独立调节聚焦透镜模组阵列210的中间电极的电压，可以调节在电子束闸阵列220的聚焦斑点的上下位置，从而达到改善样品的成像质量的技术效果。
30.可选地，电子束闸阵列220包括分别与各个电子束50对应的电子束闸221，电子束闸221配置用于对相应的电子束施加电场和/或磁场，控制相应的电子束的倾斜。
31.具体地，参考图2所示，将电子束50的聚焦斑点聚焦在电子束闸阵列220中电子束闸的中间位置，在为第一磁透镜230施加合适的磁场激励数值，经过它的多个电子束50会汇聚在其后焦面上。光阑250位于第一磁透镜230的后焦面上。参考图2所示，在为电子束闸阵列220施加偏转电场或者磁场时候，可以使通过的电子束发生倾斜，倾斜后的电子束不能通过下面的光阑250的第一光阑孔251，所以此时不能照射到样品上。这样可以独立控制哪些电子束可以照射到样品上，从未避免某些电子束对样品的易损伤部位进行扫描。
32.可选地，聚焦透镜模组阵列210包括分别与各个电子束50对应的聚焦透镜系统211，其中聚焦透镜系统211包括依次堆叠的上电极211a、中电极211b以及下电极211c，并且其中上电极211a和下电极211c接地，并且中电极211b接收用于聚焦相应的电子束50的电
压。
33.具体地，参考图1所示，聚焦透镜模组阵列210包括分别与各个电子束50对应的聚焦透镜系统211，聚焦透镜系统211依次堆叠的上电极211a、中电极211b以及下电极211c。上电极211a和下电极211c接地，并且中电极211b接收用于控制相应的电子束的倾斜的电压，此电压的设置可以实现电子束流的聚焦。其中，聚焦透镜模组阵列210中的中电极211b可以独立调节电位数值，这样可以适当调整在电子束闸阵列220内部聚焦斑点的高度。因为有些电子束50是离轴成像，从而通过适当调整在电子束闸阵列220内的聚焦斑点的高度和大小，可以弥补离轴成像引起的相差。
34.可选地，多电子束扫描子系统20还包括：设置于光阑250下侧的物镜260，物镜260的前焦面与光阑250高度相同，用于将多个电子束50垂直投射在样品40上。
35.具体地，参考图1所示，将物镜260的前焦面于光阑250置于同一高度，可以使通过光阑250的电子束50进入物镜260后，均能垂直入射到样品40上。样品40位于物镜260的后焦面上，当有入射的平行电子束50就会汇集在提前设置好位置的样品40上。当偏转器模组240对多个平行电子束50施加扫描偏转时候，多电子束50都能通过第一光阑孔251，进入到物镜260后，既会在样品40上实现扫描过程，又会垂直聚焦到样品40上。从而实现电子束50垂直或近似垂直角度扫描入射到样品，达到了可以充分得到样品的垂直投影信息，不失真的探测样品的结构信息。并且垂直入射的单电子束流也有利于扫描透射信号的探测，提高了扫描透射束的探测器331效率，提高了信噪比，从而提升了成像质量。
36.可选地，还包括：设置于用于承载样品40的样品载具下侧的多电子束收集子系统30，其中多电子束收集子系统30包括：投影镜模组320以及设置于投影镜模组320下侧的扫描透射探测器阵列330，并且投影镜模组320用于将透过样品40的电子束投射到扫描透射探测器阵列330上；以及扫描透射探测器阵列330包括多个独立探测器331，用于分别收集透过样品40的不同的电子束50。
37.具体地，参考图1所示，多电子束收集子系统30包括投影镜模组320和扫描透射探测器阵列330。投影镜模组320将透射过样品40上的多电子束50投影到扫描透射探测器阵列330的位置。图3示出了现有的透射样品的电子的收集系统，存在探测器不便安装的技术问题，但是通过上述本技术提出的多电子束收集子系统30，给探测器331安装提供了物理空间。探测器331的位置和面积位预先设计的，当多电子束50在样品40上扫描时候，投影镜模组320可以把包含样品信息的扫描透射电子收集到探测器331上。投影到扫描透射探测器阵列330上的可以是聚焦斑点，也可以不是聚焦斑点，而是小面积的电子束斑，需要确保电子束斑点都能进入对应的独立探测器331，从而投影到探测器331上的不限于是聚焦斑点，只要投影在探测器331上即可。
38.从而通过上述设置可以实现透射电子束的收集。进而解决了由于多电子束50在样品上每个束之间的距离很小，大概为几十微米到几百微米，如果直接在样品下方放置扫描透射探测器阵列，对应的探测器通道之间会有相互干扰，不能独立收集对应的区域的信息的技术问题。
39.可选地，多电子束收集子系统30还包括：设置于投影镜模组320上侧的成像光阑阵列310，成像光阑阵列310包括以阵列形式布置的多个第三光阑孔311。
40.具体地，参考图1所示，多电子束收集子系统30还包括设置于投影机模组320上侧
的成像光阑阵列310，成像光阑阵列310包括以阵列形式布置的多个第三光阑孔311。从而通过成像光阑阵列310的第三成像光阑孔311，限制杂散电子和高角度扫描透射电子成像。进而达到增加图像质量的技术效果。
41.此外，本技术实施例第二个方面提出了一种电子显微镜系统，用于生成多个电子束对样品40进行扫描，包括：多电子束形成子系统10以及多电子束扫描子系统20，其中多电子束形成子系统10用于形成多个电子束50，多电子束扫描子系统20用于将多个电子束50投射至样品40，并且其中，多电子束扫描子系统20包括：聚焦透镜模组阵列210、电子束闸阵列220以及光阑250，其中聚焦透镜模组阵列210设置于多电子束形成子系统10下侧，用于将多个电子束聚焦在电子束闸阵列220；以及电子束闸阵列220设置于聚焦透镜模组阵列210下侧，用于控制多个电子束50中各个电子束的倾斜进而控制各个电子束穿过或偏离光阑250的光阑孔251。
42.具体地，参考本实施例第一个方面所述的电子显微镜多的描述，此处就不再一一赘述。
43.此外，本技术实施例第三个方面提出了一种电子显微镜系统，用于生成多个电子束对样品40进行扫描，包括：设置于用于承载样品40的样品载具下侧的多电子束收集子系统30，其中多电子束收集子系统30包括：投影镜模组320以及设置于投影镜模组320下侧的扫描透射探测器阵列330，并且投影镜模组320用于将透过样品40的电子束投射到扫描透射探测器阵列330上；以及扫描透射探测器阵列330包括多个独立探测器331，用于分别收集透过样品40的不同的电子束50。
44.具体地，参考本实施例第一个方面所述的电子显微镜的描述，此处就不再一一赘述。
45.从而根据本技术实施例提供的电子显微镜系统，通过多电子束形成子系统10形成扫描样品40的多个电子束50，然后通过多电子束扫描子系统20将多个电子束50投射到样品40上，对样品40进行扫描。其中多电子束扫描子系统20设置有偏转器模组240，通过在偏转器模组240施加电场或者磁场改变多个电子束50的运动轨迹，达到对样品40进行垂直投射扫描的技术效果。从而本技术的电子显微镜系统不仅可以形成对样品40进行扫描的多个电子束50，并且通过偏转器模组240实现多个电子束50垂直投射样品40，进而可以比较充分得到样品的垂直投影信息，不失真的探测样品的结构信息，达到对样品40进行高效扫描以及便于收集样品40的透射电子信号的技术效果。并且通过多电子束收集子系统30实现对扫描过样品40的电子束进行收集，从而达到对样品40的投射信息进行图像显示的技术效果。进而解决了现有技术中存在的现有的电子显微镜仅支持单个样品的扫描，并且扫描效率低以及无法同时收集扫描样品的透射信息的技术问题。
46.此外，在通常的扫描透射电子显微镜系统中，往往采用单个电子束在样品上聚焦并扫描，在此过程中收集不同区域的透射电子信息组成一幅样品局部的微观图像。本系统实现了多电子束在样品上不同的区域上的同时扫描成像。具体实验方式是：
47.电子源110位于最上面，在对其加热到1700k时候，同时在电子源110表面增加10e6v/cm的场强后，电子从电子源110发射出来，入射到分束光阑阵列121，分束光阑阵列121上有设计好的光阑孔，在此处实现了将光束分成多束流。本技术中提前设计好光阑上多孔的位位置和大小，当第二磁透镜122汇聚后，可以得到多个近似平行的电子束。
48.聚焦透镜模组阵列210是多个电透镜系统211，每个电透镜系统211有上中下三极211a、211b、211c组成。上下极接地电位，中间极接较高或较低的电位，此种电压的设置可以实现电子束流的聚焦。其中，聚焦透镜模组阵列210中的中间电极可以独立调节电位数值，这样可以适当调整在电子束闸内部聚焦斑点的高度。因为多电子束系统中的有些光束是离轴成像，为了弥补离轴成像引起的相差，可以适当调整在电子束闸内的聚焦斑点。
49.多束流电子束进入到了第二磁透镜122，将进入第二磁透镜122的电子束矫正为平行束流或者近似平行束流。平行或者近似平行束流进入到聚焦透镜阵列模组210里后进行汇聚，在下面会形成汇聚斑点。这样，就完成了由单电子束形成为多电子束。在设计当中，将束斑聚焦在电子束闸220的中间位置，当给第一磁透镜230施加合适的磁场激励数值，经过它的多电子束会汇聚在其后焦面上。光阑250位于第一磁透镜230的后焦面上。当给电子束闸阵列220施加偏转电场或者磁场时候，可以使通过的电子束发生倾斜，倾斜后的电子束不能通过下面的光阑250，所以此时不能照射到样品上。这样可以独立控制哪些电子束可以照射到样品上。
50.多电子束在扫描透射场景下，多电子束能聚焦并能垂直入射到样品上：
51.单电子束扫描入射到样品最好是垂直或近似垂直角度，这样可以比较充分得到样品的垂直投影信息，不失真的探测样品的结构信息。在单束流扫描透射模式下，垂直入射的单电子束流也有利于扫描透射信号的探测，提高了单扫描透射束的探测器效率，提好了信噪比，从而提升了成像质量。
52.同理，多电子束扫描透射也希望能得到多电子束均能垂直并聚焦入射在样品上，获得这样的方法虽然很困难，但精心的设计可以得到如上的要求。具体实现方法如下：偏转器模组240设置在光阑250上方，设计时候，调整好偏转器的扫描的比例力量，确保多束电子束都能同时通过光阑250。将物镜260的前焦面于光阑250置于同一高度，可以使通过光阑250的电子束进入物镜260后，均能垂直入射到样品上。样品位于物镜260的后焦面上，当有平行入射的电子束就会汇集在提前设置好位置的样品上。当偏转器模组220对多个电束施加扫描偏转时候，多电子束都能通过第一光阑孔251，进入到物镜260后，既会在样品上实现扫描过程，又会垂直聚焦到样品上。多电子束在扫描透射样品上的扫描场由偏转器模组240来控制。
53.收集多束扫描透射电子信号的方法：
54.一些常规的透射电子显微镜或者扫描电子显微镜，包含扫描透射功能，入射到样品上的电子束经过样品散射后，得到不同包含样品结构或者材料的信息。基本原理是入射电子束垂直或者近似垂直的角度打到样品上，在样品下方会透射出电子，透射出的电子包含了样品的结构或者元素信息。信息信号的强弱对应于在荧光屏上显示的灰度数值。此时，对电子束施加扫描驱动，可以使聚焦的电子束在样品上逐点扫描，连续收集这些扫描透射信号，就可以在荧光上显示每个点对应的灰度信息，样品上的二维尺度特征就可以显示出来。
55.因为多电子束在样品40上每个束之间的距离很小，大概为几十微米到几百微米，如果直接在样品下方放置扫描透射探测器阵列330，对应的探测器331通道之间会有相互干扰，不能独立收集对应的区域的信息。本发明提供了一种方式，收集多束扫描透射电子信号系统由成像光阑阵列310，投影镜模组320和扫描透射探测器阵列330组成。投影镜模组320
将透射过样品上的多电子束投影到扫描透射探测器阵列330的位置。通过这种方式，给探测器331安装提供了物理空间。探测器331的位置和面积也需要精心的设计，当多电子束在样品上扫描时候，投影镜模组320仍然能把包含样品信息的扫描透射电子收集到探测器331上。投影到扫描透射探测器阵列330上的可以是聚焦斑点，也可以不是聚焦斑点，而是小面积的电子束斑，需要确保电子束斑点都能进入对应的独立探测器331。探测器331可以是半导体直接探测器，也可以是闪烁体光电倍增管探测器。
56.此外，多电子束扫描透射电子显微镜系统：包含多电子束形成子系统10，多电子束扫描子系统20，多电子束收集子系统30。
57.1.多电子束形成子系统10：1)此系统电子束从电子源110出来，先经过多孔分束光阑121分束，然后在通过第二磁透镜122汇聚为平行光。2)独立调节聚焦透镜模组阵列210的中间电极的电压，可以调节在电子束闸阵列220的聚焦斑点的上下位置，从而在一定程度上改善样品的成像质量。
58.2.多电子束扫描子系统20：光阑250位于物镜260的前焦面上，选取偏转器模组240的上下扫描线圈的比例，使扫描后的电子束正好通过第一光阑孔251，并且使得电子束50可以垂直照射到样品40上。
59.3.多电子束收集子系统30：1)由成像光阑阵列310，投影镜模组320和扫描透射探测器阵列330组成。2)增加成像光阑阵列310，限制杂散电子和高角度扫描透射电子成像。3)将多电子束扫描透射电子信号投影到所对应的探测器阵列330的探测器331上，为探测器阵列330的摆放提供了物理空间。4)投影镜模组320将扫描透射信号投影到扫描透射探测器阵列330上，可以在扫描透射探测器331上形成聚焦斑点，也可以不是聚焦斑点，多电子扫描透射电子束只要投影在探测器331上就可以。
60.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
61.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
62.在本公开的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关
系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
63.以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。