技术特征：
1.一种小型化低温共烧陶瓷双工器，包括：陶瓷基体，设于陶瓷基体外侧壁上的第一接地端口、公共端口、第二接地端口、高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口，以及设于陶瓷基体内部的多个电路层；所述高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口位于陶瓷基体的同一侧，且第三接地端口位于高频带通输出端口和低频段输出端口之间；第一接地端口位于低频段输出端口对侧，且第一接地端口与低频段输出端口正对；公共端口位于第三接地端口对侧，且公共端口与第三接地端口正对；第二接地端口位于高频带通输出端口对侧，且第二接地端口与高频带通输出端口正对；所述陶瓷基体内部介于公共端口与低频段输出端口之间设有用于分离出低频段信号的低通带滤波结构；其特征在于：所述陶瓷基体的介电常数为40，介质损耗小于0.001；所述多个电路层包括由下至上依次设置的六个电路层：第一电路层至第六电路层；所述低通带滤波结构包括：靠近公共端口的第一电容结构，靠近低频段输出端口的第三电容结构，靠近第二接地端口的第四电容结构，靠近第一接地端口的第五电容结构，位于第四电容结构和高频带通输出端口之间的第一电感结构，位于第一电感结构上方的第二电感结构，靠近第三接地端口的第四电感结构，位于第一电容结构和第四电感结构之间的第二电容结构，以及位于第三电容结构和第五电容结构之间的第三电感结构；所述第一电容结构包括：位于第二电路层的第一电容基片，以及位于第四电路层的第二电容基片；第一电容基片、第二电容基片都与公共端口电连接；所述第二电容结构包括：位于第三电路层的第三电容基片，以及位于第四电路层的第四电容基片；所述第三电容结构包括：位于第二电路层的第五电容基片，位于第三电路层的第六电容基片，位于第四电路层的第七电容基片，位于第五电路层的第八电容基片，以及位于第六电路层的第九电容基片；第五电容基片、第七电容基片、第九电容基片都与低频段输出端口电连接；所述第四电容结构包括：位于第二电路层的第十电容基片；所述第五电容结构包括：位于第一电路层的第十一电容基片，位于第二电路层的第十二电容基片，位于第三电路层的第十三电容基片，位于第四电路层的第十四电容基片，位于第五电路层的第十五电容基片，以及位于第六电路层的第十六电容基片；第十二电容基片、第十四电容基片、第十六电容基片都与第一接地端口电连接；所述第一电感结构包括：位于第一电路层的第一微带电感；第一微带电感的一端与第十电容基片电连接；所述第二电感结构包括：由第二电路层向上延伸至第五电路层的第一螺旋电感；第一螺旋电感位于第二电路层的始端与第三接地端口电连接；第一螺旋电感位于第五电路层的终端通过第一过孔与第一微带电感的另一端、第三电容基片电连接；所述第三电感结构包括：位于第四电路层的第二微带电感；第二微带电感的一端与第四电容基片电连接；第二微带电感的另一端通过第二过孔与第十一电容基片、第十三电容基片、第十五电容基片电连接；所述第四电感结构包括：由第二电路层向上延伸至第五电路层的第二螺旋电感；第二
螺旋电感位于第二电路层的始端与第三接地端口电连接；第二螺旋电感位于第五电路层的终端与第八电容基片电连接；且第二螺旋电感位于第五电路层的终端通过第三过孔与第二微带电感、第六电容基片电连接。2.根据权利要求1所述的小型化低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，所述第一接地端口与低频段输出端口对称设置。3.根据权利要求1所述的小型化低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，所述公共端口与第三接地端口对称设置。4.根据权利要求1所述的小型化低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，所述第二接地端口与高频带通输出端口对称设置。5.根据权利要求1所述的小型化低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，所述第一微带电感呈u形。6.根据权利要求1所述的小型化低温共烧陶瓷双工器，其特征在于，整个小型化低温共烧陶瓷双工器的尺寸为1.6mm
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0.8mm
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0.6mm。
技术总结
本发明公开了一种小型化低温共烧陶瓷双工器，包括：陶瓷基体，设于陶瓷基体外侧壁上的第一接地端口、公共端口、第二接地端口、高频带通输出端口、第三接地端口和低频段输出端口，以及设于陶瓷基体内部的多个电路层；所述陶瓷基体内部介于公共端口与低频段输出端口之间设有用于分离出低频段信号的低通带滤波结构。本发明的小型化低温共烧陶瓷双工器，其低通带滤波结构采用2阶的设计，在带外形成2个传输零点，可达到带外高抑制的要求；且低温共烧陶瓷双工器可达到小型化的目的，可大批量生产。可大批量生产。可大批量生产。
技术研发人员：李凯
受保护的技术使用者：苏州希拉米科电子科技有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/9/7