技术特征：
1.一种用于可见光通信的led器件，其特征在于，包括衬底、若干个并联的并设置在所述衬底的芯粒、以及设置在若干个芯粒顶部的p电极，所述芯粒在所述衬底自下而上依次生长有非掺杂的gan缓冲层、n
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gan层、ingan/gan多量子阱层、p
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algan电子阻挡层和p
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gan层；所述p电极设置在每个芯粒的p
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gan层的上层；n电极环形设置在所述n
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gan层的外侧面，若干个芯粒的n电极通过导线连接，所述导线还连接有焊点。2.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述n电极的材料为ti、al、ni或au中的一种或两种以上。3.如权利要求1或2所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述若干个芯粒的n电极所用材料均相同。4.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述p电极为石墨烯材料。5.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述用于可见光通信的led器件还包括连接桥和保护层，所述连接桥设置于并联的芯粒的n
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gan层之间并与两个芯粒的n电极连接，导线设置在连接桥的上层并互连，导线的上层设有保护层；连接桥和保护层的材质均为sio2。6.如权利要求5所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述连接桥和保护层的制备方法为：刻蚀出mesa台面，得到n
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gan层后，在n
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gan层的上层沉积sio2层，然后在sio2层的上层光刻连接桥，在连接桥的上层蒸镀金属，并光刻出导线、n电极和焊点，在导线的上层沉积sio2层，得到保护层；所述金属为ti、al、ni或au中的一种或两种以上。7.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅或氮化镓中的一种。8.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述芯粒的数量为3n个，n≥1且n为整数。9.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述衬底的长度为5～20cm。10.如权利要求1所述的用于可见光通信的led器件，其特征在于，所述芯粒的直径为10～200μm。
技术总结
本发明公开了一种用于可见光通信的LED器件，包括衬底、若干个并联的并设置在所述衬底的芯粒、以及设置在若干个芯粒顶部的P电极，所述芯粒在所述衬底自下而上依次生长有非掺杂的GaN缓冲层、N
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/11/23