技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：在电气元件正面形成保护层，并在所述保护层上形成有保护层开口；其中，所述电气元件正面具有电性连接键，所述保护层开口与所述电性连接键相对应；在芯片正面的焊垫上形成有导电柱，所述芯片正面设有连接桥；将所述电气元件正面朝向载板贴设于所述载板上，并将所述芯片正面朝向所述载板且通过所述导电柱贴设于所述载板上；其中，所述芯片位于所述电气元件之上，所述连接桥与所述电气元件之间具有间隙，且所述导电柱位于所述电气元件的外侧；形成包封层，所述包封层至少形成于所述芯片的侧面以及所述芯片与所述电气元件之间的空间。2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述方法包括：剥离所述载板。3.如权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，在剥离所述载板之后，所述方法包括：在所述保护层开口内填充导电介质，形成第一电连接部，以及在所述导电柱远离所述芯片的表面和所述保护层远离所述电气元件的表面形成布线层；所述布线层通过所述导电柱与所述芯片的焊垫电连接、以及通过所述第一电连接部与所述电气元件正面的电性连接键电连接。4.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述保护层上形成有保护层开口之后，将所述电气元件正面朝向所述载板贴设于载板上之前，所述方法包括：在所述保护层开口内填充导电介质，形成与所述电气元件正面的电性连接键电连接的第一电连接部。5.如权利要求4所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述包封层之后，所述半导体封装方法包括：剥离所述载板；在所述导电柱远离所述芯片的表面和所述保护层远离所述电气元件的表面形成布线层；所述布线层通过所述导电柱与所述芯片的焊垫电连接、以及通过所述第一电连接部与所述电气元件正面的电性连接键电连接。6.如权利要求3或5所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成布线层之后，所述方法还包括：在所述布线层远离所述芯片和所述电气元件一侧的表面上形成第二电连接部。7.如权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述第二电连接部之后，所述方法包括：在所述布线层上形成介电层，所述介电层包覆露出的所述布线层、部分所述第二电连接部以及露出的保护层，且所述第二电连接部远离所述布线层的表面露出所述介电层。8.如权利要求7所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成所述介电层之后，所述方法包括：在所述第二电连接部远离所述布线层的表面形成外连接键。9.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述芯片包括滤波器功能芯片。
10.一种半导体封装结构，其特征在于，其包括：电气元件，所述电气元件的正面具有电性连接键且所述电气元件的正面形成有保护层，所述保护层上形成有保护层开口；其中，所述保护层开口与所述电性连接键相对应；所述保护层开口中形成有第一连接部；芯片，所述芯片正面的焊垫上形成有导电柱且所述芯片正面设有连接桥；所述电气元件位于所述芯片正面所在的一侧并与所述连接桥具有间隙，且位于所述导电柱位于所述电气元件的外侧；包封层，至少包封所述芯片的侧面及所述芯片与所述电气元件之间；布线层，设于所述导电柱远离所述芯片的表面和所述保护层远离所述电气元件的表面，并通过所导电柱与所述芯片电连接以及通过所述第一连接部与所述电气元件电连接。
技术总结
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。半导体封装方法包括：在电气元件正面形成保护层，并在保护层上形成有保护层开口；电气元件正面具有电性连接键，保护层开口与电性连接键相对应；在芯片正面的焊垫上形成有导电柱，芯片正面设有连接桥；将电气元件正面朝向载板贴设于载板上，并将芯片正面朝向载板且通过导电柱贴设于载板上；芯片位于电气元件之上，连接桥与电气元件之间间隔，且导电柱位于电气元件的外侧；形成包封层，包封层至少形成于芯片的侧面以及芯片与电气元件之间的空间。上述方法通过导电柱的设置，将芯片与电气元件之间实现多层层叠封装，有利于减小封装体的体积，且能够有效保护连接桥结构，有利于保证产品性能。保证产品性能。保证产品性能。
技术研发人员：涂旭峰 霍炎
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/9/28